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材料去除率

材料去除率的相关文献在1995年到2022年内共计389篇,主要集中在金属学与金属工艺、机械、仪表工业、无线电电子学、电信技术 等领域,其中期刊论文329篇、会议论文38篇、专利文献734176篇;相关期刊109种,包括金刚石与磨料磨具工程、机械科学与技术、机械设计与制造等; 相关会议20种,包括2016年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议暨2016年中国光整加工技术产学研协调发展论坛、第16届全国特种加工学术会议、第十八届中国磨粒技术学术会议等;材料去除率的相关文献由1044位作者贡献,包括苏建修、朱永伟、袁巨龙等。

材料去除率—发文量

期刊论文>

论文:329 占比:0.04%

会议论文>

论文:38 占比:0.01%

专利文献>

论文:734176 占比:99.95%

总计:734543篇

材料去除率—发文趋势图

材料去除率

-研究学者

  • 苏建修
  • 朱永伟
  • 袁巨龙
  • 李军
  • 左敦稳
  • 阎秋生
  • 吕冰海
  • 赵万生
  • 康仁科
  • 路家斌
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

年份

    • 吴玉厚; 王琛; 田军兴; 孙健; 李颂华; 任科轩
    • 摘要: 为探究磨料对氮化硅陶瓷球精研加工的影响,从而提高氮化硅陶瓷球的表面质量和材料去除率,以基液种类、磨料种类和研磨盘转速为主要影响因素设计正交试验,并分析各因素对表面粗糙度Ra的影响程度。以表面粗糙度Ra和材料去除率为评价指标,通过单因素试验优化研磨参数。根据正交试验结果,得到精研加工过程中各影响因素对于表面粗糙度Ra的影响程度,从大到小排列依次为:磨料种类>基液种类>研磨盘转速。综合考虑陶瓷球精研加工的要求,确定最佳的研磨参数组合为:煤油基液、碳化硅磨料以及150 r/min的研磨盘转速。在金刚石、碳化硅、氮化硼、氧化铬和氧化铁这5种磨料中,氧化铁磨料修复粗研过后的氮化硅陶瓷球表面缺陷的效果最好。
    • 丁振宇; 雷红
    • 摘要: 目的为了提高氧化锆陶瓷手机背板的化学机械抛光(CMP)性能,合成新型非球形二氧化硅磨粒,并分析非球形二氧化硅磨粒在CMP过程中的作用机理。方法利用Zr^(4+)阳离子对球形二氧化硅纳米颗粒间作用力进行调控,制备Zr^(4+)与SiO_(2)的质量比分别为0、0.025、0.050、0.075、0.100的抛光磨粒;利用纳米粒度电位仪和电子扫描显微镜(SEM)分析抛光液胶体稳定性和磨粒形貌;采用表面粗糙度(Sa)和材料去除率(MRR)来分析磨粒的化学机械抛光性能;利用改装后的摩擦因数仪和X射线光电子能谱仪(XPS)揭示非球形二氧化硅对氧化锆陶瓷的作用机理。结果在锆元素相对含量(以质量分数计)为0.075%时,得到了分散性良好的非球形二氧化硅磨粒抛光液,相较于球形二氧化硅磨粒抛光液,MRR提升了40.5%,并得到了Sa为1.74 nm的光滑表面;XPS分析结果表明,在抛光过程中二氧化硅磨粒可与氧化锆发生固相化学反应,生成更易去除的ZrSiO_(4)。摩擦因数测量结果表明,非球形二氧化硅磨粒与陶瓷片的摩擦因数从球形磨粒时的0.276提高到0.341。结论非球形的二氧化硅磨粒在抛光过程中具有更高的摩擦因数和化学机械协同作用,能高效地去除表面粗糙峰,并获得粗糙度为纳米级的平整表面,实现对氧化锆陶瓷手机背板的高效、高精度抛光。
    • 孙金言; 孙桓五; 纪刚强; 段海栋; 杨冬亮
    • 摘要: 为解决氧化锆陶瓷难加工、加工效率低、表面质量差的问题,采用液体磁性磨具光整加工技术对氧化锆陶瓷进行加工。通过配置不同磨料的液体磁性磨具对氧化锆零件进行光整加工,研究磨料种类对加工效果的影响。通过设计单因素试验,研究加工时间、工件转速、磁感应强度和轴向运动速度等主要工艺参数对氧化锆陶瓷表面粗糙度Ra和材料去除率MRR的影响规律。结果表明:在加工过程中使用高硬度的金刚石磨料可以获得比其他磨料更高的材料去除率,加工后能获得更好的表面质量。表面粗糙度Ra随时间的增加而降低,加工60 min以后Ra不再继续下降。Ra随工件转速、轴向运动速度的增大而减小,随磁感应强度的增大Ra先减小后增大;MRR随工件转速、磁感应强度的增大先增大后减小,随轴向运动速度的增大而增大。采用液体磁性磨具光整加工技术可以在提高氧化锆陶瓷材料去除率的同时有效降低其表面粗糙度。
    • 纪刚强; 孙桓五; 段海栋; 杨冬亮; 李思雪
    • 摘要: 采用响应曲面法中的Box-Behnken(三因素三水平)实验设计方法,根据实验结果分别建立电压、温度和电解质浓度3个工艺参数下的表面粗糙度和材料去除率响应曲面分析模型;通过研究表面粗糙度Ra和材料去除率MRR在各工艺参数相互影响下的响应曲面和等高线图,得到工艺参数对响应因子即表面粗糙度Ra和材料去除率MRR的影响规律,以及相应目标下的最优工艺参数组合;对最优工艺参数组合进行实验验证并检验模型的准确性。单目标参数优化结果显示,当电压为262 V、温度为80°C及电解质浓度为3.5 wt%时,表面粗糙度Ra达到最小值0.055μm;当电压为239 V、温度为71°C及电解质浓度为4.0 wt%时,材料去除率MRR达到最大值4.766μm/min。双目标参数优化结果显示,当电压为238 V、温度为72°C及电解质浓度为3.8 wt%时,表面粗糙度Ra和材料去除率MRR分别为0.071μm和4.413μm/min。实验验证结果显示,单目标优化时样品的表面粗糙度Ra=0.057μm、材料去除率MRR=4.980μm/min;多目标优化时样品的表面粗糙度Ra=0.078μm,材料去除率MRR=4.292μm/min,且相对误差均在合理范围内。同时不锈钢电解质等离子体抛光工艺参数响应曲面模型准确性较高,具有良好的预测能力,在最佳工艺参数组合下加工的工件表面平整光滑,机械加工的痕迹基本被去除。
    • 袁向东; 伍占文; 林雨斌; 张丰; 丁建文
    • 摘要: 玻璃纤维增强复合材料(Glass fiber-reinforced polymer,GFRP)是一种广泛应用的高性能复合材料,因此也对不同加工工艺提出了更高的要求。为研究其加工性能,以主轴转速(9000~15000 r/min)、进给速度(1500~4500 mm/min)以及切削深度(0.1~0.5 mm)为切削参数进行试验,以铣削过程中的切削力以及最终加工质量作为衡量指标,使用线性拟合建立切削力数学模型,以遗传算法优化的BP神经网络对加工表面粗糙度进行预测,最后对高效铣削加工工艺进行多目标优化。切削力均随着进给速度、主轴转速以及切削深度而增加,切削参数对表面粗糙度为复杂的非线性相关,表面粗糙度同切削深度呈现出明显的正相关;对切削力进行的线性回归拟合表现出较好的拟合准度以及预测精度,使用遗传算法优化后的神经网络可以很好地提高对于表面粗糙度的预测精度,平均预测误差为8.27%。以较小的切削力,较好的表面质量以及较大的材料去除率对GFRP的加工进行多目标优化,得到高效加工参数为进给速度4500 mm/s,主轴转速11181 r/min,切削深度为0.5 mm,以期为GFRP的高效切削提供参考和指导。
    • 王磊; 吴润泽; 牛林; 安志博; 金洙吉
    • 摘要: 针对碳化硅晶体抛光效率低的问题,研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺,对比NaOH、NaNO_(3)、H_(3)PO_(4)3种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果。选用0.6 mol/L的NaNO_(3)作为电化学机械抛光过程的电解液,使用金刚石–氧化铝混合磨粒,通过正交试验研究载荷、转速、电压、磨粒粒径对电化学机械抛光碳化硅晶体的表面质量和材料去除率的影响。采用优选的试验参数进行抛光试验,结果表明:在粗抛阶段可实现20.259μm/h的高效材料去除,在精密抛光阶段可获得碳化硅表面粗糙度Sa为0.408 nm的光滑表面。
    • 阎秋生; 蔡志航; 潘继生; 黄蓓; 曾自勤
    • 摘要: 为提高光电晶片的磁流变抛光效率并实现其超光滑平坦化加工,提出其磁流变变间隙动压平坦化加工方法,研究不同变间隙条件下蓝宝石晶片的材料去除率和表面粗糙度随加工时间的变化,并分析磁流变变间隙动压平坦化加工机理。结果表明:通过蓝宝石晶片对磁流变抛光液施加轴向低频挤压振动,其抛光压力动态变化且磁流变液产生挤压强化效应,使抛光效率与抛光效果显著提升。在工件下压速度为1.0 mm/s,拉升速度为3.5 mm/s,挤压振动幅值为1 mm条件下磁流变变间隙动压平坦化抛光120 min后,蓝宝石晶片的表面粗糙度Ra由6.22 nm下降为0.31 nm,材料去除率为5.52 nm/min,相较于恒定间隙磁流变抛光,其表面粗糙度降低66%,材料去除率提高55%。改变变间隙运动速度可以调控磁流变液的流场特性,且合适的工件下压速度和工件拉升速度有利于提高工件的抛光效率和表面质量。
    • 吴伏家; 王帅; 刘军强; 周浩
    • 摘要: GH4169高温合金深孔零件广泛应用于航空、航天领域,利用传统钻削方法加工GH4169高温合金深孔存在刀具磨损严重、切削热大、切削效率低等问题。混合等离子体加工属于特种加工方式的一种,具有零切削力、加工效率高的特点,把混合等离子体加工运用于GH4169高温合金的深孔加工中,可以解决GH4169高温合金的深孔难加工问题。利用混合等离子体对GH4169高温合金进行深孔加工时,峰值电流、主轴转速和电极进给速度是重要影响因素,表面质量和材料去除率是衡量加工效果的性能指标。利用控制单因素和正交试验的方法进行验证,将得到的试验数据运用极值法和灰色关联度进行分析,得到最佳试验参数组合:峰值电流25A、主轴转速75rad/min、电极进给速度0.45mm/min,测得的材料去除率为158.65mm3/min,表面粗糙度为1.9μm,其加工效率相比于GH4169的钻削深孔加工具有较大的提高。
    • 潘杰; 陈凡; 杨炜; 金闻达
    • 摘要: 目的在湿性物理抛光作业中,根据不同工件的表面抛光质量和效率要求,实现抛光工艺参数的自适应匹配,达到理想的抛光效果。方法基于工件表面材料去除原理,建立工艺参数与材料去除率(MRR)和表面粗糙度的数学关系模型,明确影响抛光效果的工艺参数。针对工艺参数与抛光质量和效率之间的复杂且交互影响的关系,以及理论计算的抛光效果与实际结果存在差异的问题,提出SPSO-BP预测模型,分别以20组不同的抛光工艺参数与对应抛光结果为训练样本,训练SPSO-BP模型,并与传统PSO-BP模型进行对比。基于训练好的预测模型,根据不同的基础条件与抛光质量和抛光效率的要求,通过模型自适应匹配抛光工艺参数。针对SUS304板材,设定表面粗糙度目标R_(a1)-R_(a5)和材料去除率目标R_(m1)-R_(m5),分别通过SPSO-BP和PSO-BP模型预测获得的工艺参数进行抛光试验,将获得的真实粗糙度Ra_(z1)-Ra_(z5)和材料去除率R_(mz1)-R_(mz5)与目标值进行对比验证。结果SPSO-BP预测模型比PSO-BP预测模型具有更高的收敛精度,SPSO-BP和PSO-BP预测模型的收敛精度分别为1.26×10^(-6)、0.180,并且SPSO-BP模型对样本具有较好的跟踪能力和泛化能力。以SPSO-BP模型预测的工艺参数进行抛光,获得的真实粗糙度Ra_(z)和真实材料去除率R_(mz),相较于PSO-BP预测模型与目标值更接近。通过SPSO-BP和PSO-BP预测模型获得的真实粗糙度值Ra_(z)与目标值Ra的最大误差比分别为8.00%和20.00%,平均误差比分别为5.77%和14.07%,最小误差比分别为2.50%和10.00%;真实材料去除率R_(mz)与目标值R_(m)的最大误差比分别为3.00%和8.57%,平均误差比分别为2.14%和7.46%,最小误差比分别为1.11%和4.38%。结论根据不同的基础条件及抛光质量和抛光效率要求,可以通过SPSO-BP预测模型自适应匹配抛光工艺参数,与传统PSO-BP预测模型相比具有更高的收敛精度,可以获得与抛光目标更接近的真实抛光效果。
    • 叶卉; 李晓峰; 崔壮壮; 姜晨
    • 摘要: 为了实现熔石英元件的高效低缺陷加工,研究了基于磁辅助抛光技术的元件材料去除特性和表面质量形成机制。采用不同抛光间隙和不同铁粉体积比的磁性抛光液对研磨后的熔石英元件进行磁辅助抛光,并对元件材料去除率、抛光斑轮廓、表面粗糙度和透过率进行评价,结合空间磁感应强度仿真和抛光压力分析,确定加工参数对元件加工效率和表面质量的影响规律。结果表明:材料深度去除率随空间磁感应强度的增强呈幂函数上升且随抛光液中铁粉体积比增加而显著提升,低空间磁场强度和低铁粉体积比的抛光液有利于促进以化学去除为主的磁辅助弹性抛光从而获得光洁表面。小抛光间隙(0.5 mm)及高铁粉体积比(14.18%)的抛光液可实现最大材料深度去除率0.4392μm/min和体积去除率1.49×10^(-4) mm^(3)/min,大抛光间隙(1.5 mm)及低铁粉体积比(9.93%)的抛光液能够获得粗糙度R_(a)低至8.1 nm的光滑表面。
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