抛光液

摘要： 简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP体系的研究进展,展望了蓝宝石CMP体系未来的研究方向。

摘要： 碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为0.289 nm的CMP加工。对试验结果进行均值和极差分析,探究各因素在CMP加工中的作用规律,得出pH值和磨粒质量分数对CZT晶体的CMP加工精度和去除速率影响较大,且较强的酸性条件和较大的磨粒质量分数分别有利于提高CZT晶体的化学溶解作用和机械磨削作用的结论,提出针对CZT晶片的CMP优化加工方案。通过X射线光电子能谱(XPS)表征,探究对抛光性能影响作用最大的酸度在CMP加工中所起到的化学腐蚀作用,揭示CZT晶体在CMP过程中“氧化剂氧化-酸根离子刻蚀-络合物螯合-磨粒磨削”的材料去除机制。

摘要： 该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO_(3)的SiO_(2)抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO_(2)抛光液pH值为1~2时,SiO_(2)抛光液中存在Si—OH和Si—O-形式;锗单晶先与HNO_(3)反应生成Ge(NO_(3))_(4),而后Ge^(4+)的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH继续反应并以Ge—OH_(2)^(+)形式存在。由于表面电荷的吸引,Si—O-和Ge—OH_(2)^(+)在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层,从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。抛光时间为15~20 min时,机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态,CMP抛光后锗单晶表面粗糙度S_(a)≤0.8 nm,10倍显微镜下无划痕、麻点。

摘要： 配制适用于TC4钛合金雾化施液抛光的特种抛光液,通过抛光实验获得纳米级的光滑钛合金表面。研究不同磨料、氧化剂和络合剂含量对钛合金材料去除率和表面粗糙度的影响,通过正交试验优化抛光液组成及配比。优化后的抛光液由质量分数20%的SiO_(2)磨料、0.1%的柠檬酸、1%的聚乙二醇-400、2%的H_(2)O_(2)组成,pH值为4。抛光试验结果表明,优化后抛光液的抛光效果较好,材料去除率及试件表面质量均有所提升,其中材料去除率为549.87 nm/min,表面粗糙度为0.678 nm。XPS分析表明,抛光过程中钛合金表层在酸性环境下与H_(2)O_(2)和柠檬酸反应,生成了易于通过机械作用去除的氧化层。

摘要： 利用静态腐蚀法分别研究了络合剂甘氨酸、氧化剂双氧水、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)、腐蚀抑制剂吡唑在碱性条件下对铜静态腐蚀速率的影响及作用机理.实验结果表明,在一定浓度范围内甘氨酸和双氧水的协同作用会加快Cu的静态腐蚀速率,而高氧化剂浓度会使得Cu表面形成氧化层钝化膜,抑制Cu腐蚀.活性剂ADS对Cu腐蚀有抑制作用,但抑制效果不如吡唑.通过调节吡唑浓度,可控制Cu静态腐蚀速率的大小,利于抛光液在实际使用中对去除速率进行优化与调配.

摘要： 近年来,国内半导体的发展始终吸引着国人的目光。尽管我们在奋力的追赶,但在半导体制造领域仍与欧美日等国家存在一定的差距,在芯片制造环节仍在技术工艺和设备上依赖于国外。甚至有人发出造芯片比造原子弹还难的感叹!

摘要： 为了配制适用于JGS1光学石英玻璃超声波精细雾化抛光的特种抛光液,以材料去除率和表面粗糙度为评价指标,设计正交试验探究抛光液中各组分含量对雾化抛光效果的影响,并对材料去除机制进行简要分析.结果表明:各因素对材料去除率的影响程度由大到小分别为SiO2、pH值、络合剂、助溶剂和表面活性剂,对表面粗糙度影响程度的顺序为SiO2、表面活性剂、pH值、助溶剂和络合剂;当磨料SiO2质量分数为19％,络合剂柠檬酸质量分数为1.4％,助溶剂碳酸胍质量分数为0.2％,表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮质量分数为0.9％,pH值为11时,雾化抛光效果最好,材料去除率为169.5 nm/min,表面粗糙度为0.73 nm;去除过程中石英玻璃在碱性环境下与抛光液发生化学反应,生成低于本体硬度的软质层,易于通过磨粒机械作用去除.使用该抛光液进行传统化学机械抛光和雾化化学机械抛光,比较两者的抛光效果.结果表明:两者抛光效果接近,但超声雾化方式抛光液用量少,仅为传统抛光方式的1/7.

摘要： 本文利用单因素及正交试验探究磨粒种类、抛光液pH值、表面活性剂种类、磨粒粒径对C面蓝宝石化学机械抛光材料去除率的影响,试验结果表明:采用二氧化硅作为磨粒能得到较高的材料去除率及较好的表面形貌;材料去除率随抛光液pH值的增大呈现先增大再减小的趋势,其中pH值在9附近能得到较好的去除率;材料去除率还随着磨粒粒径的增大而增大;使用三乙醇胺(TEA)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作表面活性剂能得到较高的材料去除率;各试验因素对蓝宝石晶片材料去除率的主次顺序为磨粒粒径、表面活性剂、抛光液pH值;其中当磨粒粒径为50 nm,表面活性剂选CTAB,抛光液pH值为9既能得到较高的材料去除率又能获得较好的表面质量。

摘要： 在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面.CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术.抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率.本文回顾了近年来国内外开发的各种新型铜抛光液,归纳总结表明铜抛光液正在朝着弱碱性、绿色环保、一剂多用和复配协同作用的方向发展.此外,展望了铜抛光液未来的重点研究方向.

摘要： 金属材料薄至0.1mm以下时,其优异的可挠特性即可表现出来,不锈钢或将成为柔性显示器的主要基板材料.抛光液在工作区能够与工件发生化学反应从而影响工件表面质量和材料去除率(MRR).实验采用乙二胺(EDA)、氢氧化钠、草酸、盐酸分别配制不同的酸碱性抛光液,研究抛光液酸碱性对游离磨料抛光304不锈钢材料去除率、表面形貌和表面粗糙度的影响.实验结果表明:酸性抛光液抛光的材料去除率高于碱性抛光液;草酸抛光液可同时获得优表面质量和高加工效率,抛光后的304不锈钢表面粗糙度Ra值为6.22nm,材料去除率为445nm/min.

摘要： 柔性显示已成为下一代显示技术的研究热点,不锈钢材料将成为柔性大尺寸显示器衬底的主要材料之一,而化学机械抛光(CMP)技术将是实现不锈钢材料表面超光滑、无损伤、最实用加工技术之一.本文采用正交实验,研究了pH值、磨粒粒径、分散剂、氧化剂、磨粒含量、缓蚀剂对材料去除率和表面粗糙度的影响,得到了不同目标要求的抛光液基本成分配比,为进一步研究不锈钢化学机械抛光液提供参考.

摘要： 柔性显示已成为下一代显示技术的研究热点,不锈钢材料将成为柔性大尺寸显示器衬底的主要材料之一,而化学机械抛光(CMP)技术将是实现不锈钢材料表面超光滑、无损伤、最实用加工技术之一.采用正交实验,研究了pH值、磨粒粒径、分散剂、氧化剂、磨粒含量、缓蚀剂对材料去除率和表面粗糙度的影响,得到了不同目标要求的抛光液基本成分配比,为进一步研究不锈钢化学机械抛光液提供参考.

摘要： 化学机械抛光(CMP)是迄今为止惟一可以在蓝宝石大规模生产中应用的抛光方法,然而,CMP在应用中还存在一些问题:抛光速率低,导致生产效率低;表面质量有待继续提高,要完全去除划痕、凹坑、桔皮等缺陷,提高成品率,而且随着LED蓝宝石衬底向大尺寸的发展以及器件质量的提高,对抛光速率和表面质量的要求会更加苛刻,单一粒径氧化硅磨料和现有化学配方逐渐不能满足要求.本研究拟从磨料(机械)和化学配方(化学)同时着手,克服现有抛光液的不足,研发新型蓝宝石抛光液.

摘要： 随着相变存储器30nm技术的发展,对于通过相变材料Ge2Sb2Te5(GST)的高低电阻之间的转换来实现数据存储的结构存储单元的抛光性能的要求也越来越高,不仅要求GST有相对高的抛光速率,同时也要求GST/SiO2合适的选择比以及没有腐蚀,残留等问题的存在.针对目前工艺的要求,我们研发了一种新的抛光液A,抛光液A不仅实现了对GST高的去除率和合适的选择比,同时解决了一般抛光液跑完之后存在的残留,腐蚀等问题并且还提高了抛光之后的表面效果.

摘要： Co基阻挡层具有被应用作为下一代铜互连阻挡层的潜力,Co的化学机械抛光过程需要系统研究.本文研究了不同类型抛光液对Cu/Co/TaN图形片的抛光效果的影响.实验结果表明,商用的酸性Cu以及Ta/TaN抛光液抛光Co/TaN图形片后容易造成沟槽侧壁处Co的腐蚀溶解,而商用碱性抛光液可以显著改善这一现象.对比商用的酸性以及碱性Ta/TaN抛光液,自主配制的LHS-1型抛光液抛光Co/TaN图形片后碟形坑更低、电阻更小以及漏电流更小.LHS-1型抛光液具有抛光新型Co/TaN阻挡层的潜在应用价值.

摘要： HfOx基阻变存储器(RRAM)是近期非挥发性存储器的研究热点之一,而HfOx的平坦化是形成器件结构单元的关键工艺.针对HfOx化学机械抛光(CMP)进行了抛光液的设计及优化,主要讨论了抛光液pH值和促进剂对去除速率(RR)和表面粗糙度的影响.结果表明,在酸性条件下HfOx有较高的去除速率,同时表面粗糙度较小,尤其是pH=6时抛光速率可达101.7nm/min,表面RMS粗糙度为0.12nm,促进剂氟硼酸钠(NaBF4)用量的对比结果表明,在0.01～1wt％的范围内抛光速率呈先增大,后平缓的趋势,RMS粗糙度较小,但促进剂用量的增加会导致抛光液稳定性的下降,因此,优选NaBF4用量为0.1～0.2wt％.

摘要： 采用高纯度纳米金刚石粉体作为研磨剂，选择合适的分散介质，并加入表面活性剂，超声分散后再经离心处理制成了油基纳米金刚石抛光液。对产物进行粒度分析、红外光谱分析以及扫描电子显微镜(sEM)表征，研究表面活性剂种类及其用量对抛光液的分散性、悬浮性、稳定性的影响。利用扫描探针显微镜(AFM)研究所得抛光液对单晶硅的抛光效果。结果表明：白油最适合做抛光液的分散介质；表面活性剂A和B复配的分散效果最好，抛光液的二次粒度趋于最小；单晶硅片抛光后表面粗糙度达到0．306nm。

摘要： 本文重点介绍水溶性金刚石研磨液的基本特点、常用规格及其应用领域、加工对象和加工机理，同时还介绍了作者研究成果及其应用情况。

摘要： 化学机械抛光技术可用于生产高质量的加工表面。在蓝宝石衬底CMP过程中高的抛光速率及好的表面质量是最终的目标。在抛光液及抛光参数不变的条件下对(0001)蓝宝石衬底的去除速率与抛光温度之间的关系进行了研究。采用抛光碱性介质及粒径15-25nm和浓度20%(质量分数)的SiO2磨料。pH值为11. 26。表面质量依据RMS粗糙度由原子力显微镜测定。结果表明随抛光温度的升高，去除速率随之提高。在抛光温度40度及抛光压力0.05MPa条件下，去除速率可达4. 96um/h，粗糙度达0.1nm。在一定的温度范围内，随温度的升高去除速率也提高这一结果表明化学作用明显受温度的影响，并在一定机械作用条件下对动力学过程起控制作用。

摘要： 本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt%；表面活性剂0.001～0.1 wt%；去离子水余量。本发明利用超声振动辅助来提高边缘抛光中颗粒动能，在传统硅边缘抛光中磨粒切削作用基础上、增加磨粒在水平或垂直方向上的冲击作用，使得抛光中的机械作用增加，提高了大尺寸硅边缘抛光效率；同时为了平衡化学与机械作用，以及避免机械作用过强产生缺陷，本发明采用离子交换树脂通过离子交换法对磨粒进行表面改性，结合抛光液配方的调控，快速获得超光滑表面。

摘要： 本发明针对去除阴极辊表面氧化层的现有研磨法费时费力的问题，提供一种钛质阴极辊用电化学抛光液及利用该抛光液抛光阴极辊的方法，所述抛光液由氨三乙酸、草酸、柠檬酸和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚分散于去离子水中配制而成，其中，氨三乙酸的浓度为5‑100g/L，草酸和柠檬酸的浓度均为1‑50g/L，脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚的浓度为1‑10g/L。采用本发明的抛光液进行抛光后，阴极辊表面平整光滑，表面粗糙度Ra值可达到0.2‑0.4μm，且抛光省时省力。

摘要： 本发明公开了一种双氧水体系抛光液以及在双氧水体系中抛光THGEM膜的方法，其中，该双氧水体系抛光液的配方如下：硫酸40‑55g、双氧水350‑400g、硝酸10‑15g、尿素2‑3g、柠檬酸1‑2g、聚乙二醇0.05‑0.2g、水补足1L；该抛光方法步骤如下：将装挂好的THGEM膜依次进行除锈、水洗、恒温抛光、脱膜、钝化、超声清洗、吹干。本发明的有益之处在于：(1)抛光液成分简单，原料易得，容易配比；(2)操作容易，反应用的水不需要是去离子水，并且不需要过高温度，最佳工艺条件为45°C；(3)处理时间短，最佳条件下只需要180s；(4)抛光效果好，毛刺去除效果佳，表面更平整，光亮度更高；(5)污染小，对人体无伤害；(6)抛光后的膜耐压高，在氮气环境下可达到1200V。

摘要： 本发明公开了一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓进行抛光的方法，本发明的抛光液对锑化镓材料抛光去除速率高，抛光后晶片表面光洁平坦，并且无崩边掉渣，且本发明的抛光工艺方法简单，人为控制因素较少，可用率大大提高，有利于降低成本。

摘要： 本发明公开了一种抛光液加热装置，所述抛光液加热装置包括加热容器，所述加热容器内限定有容纳腔，所述容纳腔内盛装有热交换液体；发热元件，所述发热元件设置在所述容纳腔内用于对所述热交换液体加热；和抛光液换热管，所述抛光液换热管具有入口端和出口端，所述抛光液换热管盘绕在所述容纳腔内且所述抛光液换热管的入口端和出口端分别从所述加热容器内伸出。本发明还公开了包括所述抛光液加热装置的抛光液温度控制设备和抛光液输送系统。通过利用包括本发明的抛光液加热装置的抛光液温度控制设备和抛光液输送系统，可以向化学机械抛光工序提供所需温度的抛光液，从而提高抛光效果。

摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光的抛光液，包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，余量为去离子水，粒度为60~100nm，PH值为9.5；所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为15~30nm，pH值为9.5；应用上述的抛光液对CdS晶片进行化学机械抛光的方法，抛光方法包括：对待抛光的CdS晶片利用粗抛抛光液进行粗抛，以及对粗抛后的CdS晶片利用精抛抛光液进行精抛；其中，进行粗抛抛光和精抛抛光时，抛光压力为60~120g/cm

摘要： 一种用于镍基合金的电化学抛光液添加剂、抛光液及抛光方法，属于电化学抛光领域，具体方案如下：一种用于镍基合金的电解抛光液添加剂，包括碱性红12、碱性红2或碱性红5。一种用于镍基合金的电解抛光液，包括所述的电解抛光液添加剂。一种镍基合金的表面抛光方法，包括以下步骤：对镍基合金工件表面的进行预处理；将预处理后的镍基合金工件放入电解抛光液中，镍基合金工件作为阳极连接电源的正极，钛网作为阴极连接电源的负极，对镍基合金工件的表面进行电化学抛光处理；清洗抛光后的工件，然后对其冷风干燥处理。本发明所述的抛光液具有效率高、成本低的优点，处理后的工件不仅可以达到镜面的效果，还提高了合金的耐蚀性。

摘要： 本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt%；表面活性剂0.001～0.1 wt%；去离子水余量。本发明利用超声振动辅助来提高边缘抛光中颗粒动能，在传统硅边缘抛光中磨粒切削作用基础上、增加磨粒在水平或垂直方向上的冲击作用，使得抛光中的机械作用增加，提高了大尺寸硅边缘抛光效率；同时为了平衡化学与机械作用，以及避免机械作用过强产生缺陷，本发明采用离子交换树脂通过离子交换法对磨粒进行表面改性，结合抛光液配方的调控，快速获得超光滑表面。

摘要： 本发明公开了一种不锈钢表面加工用抛光液及应用该抛光液的抛光方法，涉及不锈钢表面的抛光技术领域。其技术要点是：一种不锈钢表面加工用抛光液，包括如下重量份数的组分：二氧化硅：8‑12份；脂肪醇聚氧乙烯醚：2‑5份；烷基酚聚氧乙烯醚：2‑5份；聚乙二醇：2‑5份；苯并三氮唑：0.1‑0.5份；苯甲酸单乙醇胺：0.1‑0.5份；二邻甲苯硫脲：0.5‑1份；柠檬酸：0.5‑1份；氢氟酸：0.5‑1份；水：70‑100份。通过采用上述配方得到的抛光液在对不锈钢表面进行抛光的同时，还能对不锈钢表面进行除锈，且不锈钢抛光后不易返修，可以长时间保持表面光洁明亮。

摘要： 一种用于硅片背面的抛光液添加剂、抛光液以及背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法，属于太阳能电池技术领域。按重量百分数计，抛光液添加剂包括：烷基三甲基氢氧化氨1～3％、磷酸钠盐0.5～2％、非离子表面活性剂2～5％和水90～96.5％。按重量百分数计，抛光液包括：碱类物质3～5％、抛光液添加剂2～5％以及水90～95％。背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法，包括：对进行扩散制程后的硅片的背面进行酸抛以去除磷硅玻璃；然后对硅片进行清洗；利用抛光液对清洗后的硅片的背面进行抛光。其能提高硅片背面的反射率和少子寿命，并能够提高背钝化晶硅太阳能电池的电池效率。