WO3薄膜

摘要： 介绍了WO_(3)薄膜纳米结构与电致变色性能之间的关联。阐述了非晶态与晶态WO_(3)结构之间的协同效应,非晶态WO_(3)提供更多离子扩散通道,晶态WO_(3)作为稳定框架结构有效缓解离子在注入/抽出过程中所引起的体积膨胀或收缩。总结了纳米结构WO_(3)薄膜和非晶/晶态双相纳米结构WO_(3)薄膜的制备方法及性能,并对电致变色WO_(3)薄膜的未来发展趋势进行了展望。

摘要： WO3(三氧化钨)薄膜厚度的选择对电致变色器件性能有至关重要的作用。通过TFCalc软件理论计算WO3薄膜褪色态、着色态透过光谱及其光学调制幅度变化;通过在FTO(氧化锡掺氟)玻璃上制备氧化钨薄膜,研究分析不同厚度氧化钨晶体结构与光学调制幅度相关性。对比研究发现:WO3厚度的选择应根据着色态透过率和实际的光学调制幅度确定,光学理论计算WO3薄膜的调制幅度有一定的局限性,这与晶态WO3薄膜的结构发生变化有关。

摘要： 电致变色(Electrochromism,EC)器件,具有工作电压低、多稳态、静态无功耗、变色功耗低、透光度/反射度连续可调等特点.WO3制作的电致变色器件存在响应时间过长、光学调制幅度较低等问题.为了能够进一步缩短响应时间,本文使用WO 3作为变色层的材料并制备电致变色器件,研究了不同氩氧流量比下对WO 3薄膜的影响以及对响应时间的影响,且以Ag-WO 3复合层作为变色层的改进方案来制备电致变色器件,研究其对响应时间的影响.研究表明:当氩氧流量比为50:50时,WO3薄膜制备的电致变色器件的响应时间最短,着色响应时间与褪色响应时间分别为21.27 s与11.68 s;Ag-WO 3复合薄膜制作的电致变色器件,当Ag层厚度为6 nm时,两种响应时间最小,着色响应时间与褪色响应时间分别为12.71 s和7.89 s.WO3薄膜制作的电致变色器件,在不同氩氧流量比下器件的响应时间受到影响;Ag-WO 3复合薄膜制作的电致变色器件响应时间与用WO 3制作的器件相比明显缩短,但是当Ag层厚度增加时,器件的响应时间随之增加.

摘要： 以W粉和H2 O2为前驱体,采用简单的溶胶-凝胶法制备了WO3纳米晶,然后在ITO玻璃上旋涂成膜,并在420°C下煅烧1 h,薄膜光滑致密.将制备的薄膜作为空穴注入层应用在绿光QLEDs中.QLEDs的亮度、电流效率和工作寿命分别为18560 cd·m-2、11.8 cd·A-1和11844 h.

摘要： 柔性衬底具有成本低、形变能力强等优点.在柔性衬底上沉积电致变色性能优异的三氧化钨(WO3)薄膜拓展了电致变色器件在可穿戴电子设备、防眩目眼镜和军事伪装等领域的应用.本文比较了适用于电致变色器件的不同柔性衬底;介绍了在柔性衬底上制备纳米结构WO3薄膜的方法;综述了基于柔性衬底WO3薄膜的电致变色性能;最后提出柔性电致变色器件现存问题及未来发展趋势.

摘要： 以氯化钨(WCl6)、无水乙醇(C2H5OH)和二甲基甲酰胺(C3H7NO)为前驱体,以聚乙二醇(PEG-1000)为造孔剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备WO3多孔薄膜,考察了PEG与WCl6添加比例对薄膜形貌结构和气敏特性的影响.结果表明,在PEG与WCl6添加比例为0.5时可获得形貌均一、孔隙率高、比表面积大的WO3多孔薄膜.所获WO3薄膜具有单一的单斜晶系结构,主要由直径为20～60 nm的纳米颗粒所构成.气敏特性研究结果表明,WO3多孔薄膜呈现n型半导体特性,在最佳工作温度100°C时表现出对NO2良好的气敏性能;WO3薄膜的成膜机理表明,造孔剂PEG-1000引导无机材料形成高孔隙率和高比表面积的三维多孔薄膜结构,该多孔结构有望作为NO2气体的潜在气敏材料.

摘要： 本文采用真空热蒸发法,在ITO基底上制备WO_3薄膜,之后在空气气氛中对其进行了400°C,1 h的退火处理。SEM测试结果表明,退火后的WO_3薄膜变得更为致密平整。将退火后的WO_3薄膜,及通过溶胶凝胶法制得的TiO_2-CeO_2对电极薄膜和PC-PEO-LiClO_4凝胶态电解质封装得到电致变色器件,以探索该退火处理对WO_3薄膜电致变色性能的影响。结果表明,该WO_3基电致变色器件在632. 8 nm处的光学调制幅度达56. 8%,记忆时间超过24 h,且具有良好的循环稳定性。本研究表明WO_3薄膜的后期退火处理对制备高性能WO_3基电致变色器件具有重要的意义。

摘要： 利用磁控溅射WO3陶瓷和金属Ag靶的方法在玻璃衬底上沉积WO3及弥散Ag粒子的WO3薄膜,通过SEM、XRD、Raman谱和UV-Vis光谱等技术考察共沉积Ag层在薄膜表层和里层分布对WO3薄膜表面形貌、分子振动模式和光吸收特性的影响.结果表明:共沉积Ag层不仅显著地影响了WO3薄膜的Raman谱和光吸收特性,而且分布在薄膜表层和内层的Ag粒子能有效地修饰WO3薄膜表面微观结构,为改善WO3薄膜的结构和光学特性提供了一种有效的方法.%WO3 and Ag-dispersed WO3 films were deposited on glass substrates by the magnetron sputtering of WO3 ceramic and metal Ag targets.SEM,XRD,Raman and UV-Vis spectra were used to investigate the effects of co-deposited Ag layers,which were dispersed in the surface and the interior of the WO3 films,respectively,on the surface morphology,molecular vibration modes and optical absorption properties.The experimental results show that not only Raman spectra and optical absorption behaviors of the WO3 films are evidently influenced but also the surface morphology of the WO3 film can be effectively modified by the Ag nano-particles dispersed in the surface and the interior.This work provides an effective method to modify the structure and optical properties of the WO3 thin film.

摘要： 采用过氧化聚钨酸法制备WO3溶胶,在ITO导电玻璃基体上采用旋涂法制备WO3薄膜.主要探讨了退火温度对WO3薄膜结构与电变色性能、响应时间和循环稳定性的影响.热重和X射线衍射分析结果表明:热处理温度应低于320°C时,WO3薄膜为非晶态.在240～320°C范围内,随着热处理温度升高,光密度变化量降低即电致变色性能变差,着-褪色时间延长,而薄膜的循环稳定性越来越好.经320°C退火处理的WO3薄膜形成晶态,稳定性好,此时该电致变色薄膜的着-褪色响应时间分别为2.76和1.30s.

摘要： 利用磁控溅射WO3陶瓷和金属Ag靶的方法在玻璃衬底上沉积WO3及弥散Ag粒子的WO3薄膜,通过SEM、XRD、Raman谱和UV-Vis光谱等技术考察共沉积Ag层在薄膜表层和里层分布对WO3薄膜表面形貌、分子振动模式和光吸收特性的影响。结果表明：共沉积Ag层不仅显著地影响了WO3薄膜的Raman谱和光吸收特性,而且分布在薄膜表层和内层的Ag粒子能有效地修饰WO3薄膜表面微观结构,为改善WO3薄膜的结构和光学特性提供了一种有效的方法。

摘要： 本文采用DC磁控溅射的方法在玻璃基片上制备WO3薄膜,在不同温度条件下对薄膜进行退火处理;测量了不同氧分压下制备的薄膜在紫外到可见光范围内的透过率.实验表明,氧分压在75﹪左右条件下制备的薄膜具有较好的光学性能,退火温度在300°C左右可明显改变薄膜的光学性质.

摘要： 本文采用DC磁控溅射的方法在玻璃基片上制备WO3薄膜,在不同温度条件下对薄膜进行退火处理;测量了不同氧分压下制备的薄膜在紫外到可见光范围内的透过率.实验表明,氧分压在75﹪左右条件下制备的薄膜具有较好的光学性能,退火温度在300°C左右可明显改变薄膜的光学性质.

摘要： 本文采用DC磁控溅射的方法在玻璃基片上制备WO3薄膜,在不同温度条件下对薄膜进行退火处理;测量了不同氧分压下制备的薄膜在紫外到可见光范围内的透过率.实验表明,氧分压在75﹪左右条件下制备的薄膜具有较好的光学性能,退火温度在300°C左右可明显改变薄膜的光学性质.

摘要： 本文采用DC磁控溅射的方法在玻璃基片上制备WO3薄膜,在不同温度条件下对薄膜进行退火处理;测量了不同氧分压下制备的薄膜在紫外到可见光范围内的透过率.实验表明,氧分压在75﹪左右条件下制备的薄膜具有较好的光学性能,退火温度在300°C左右可明显改变薄膜的光学性质.

摘要： 电致变色材料具有的电致变色效应使其在着色态与漂白态时的光学常数发生改变,本文通过对电致变色器件膜系的光学模拟计算,证实了电致变色器件可以通过离子的注入与抽出使其具有可观的红外反射率及发射率调制性.文中并通过对直流反应溅射制备的WO电致变色薄膜的红外反射特性的测试和计算,验证了电致变色材料的红外反射特性与发射率的可调性.

摘要： 电致变色材料具有的电致变色效应使其在着色态与漂白态时的光学常数发生改变,本文通过对电致变色器件膜系的光学模拟计算,证实了电致变色器件可以通过离子的注入与抽出使其具有可观的红外反射率及发射率调制性.文中并通过对直流反应溅射制备的WO电致变色薄膜的红外反射特性的测试和计算,验证了电致变色材料的红外反射特性与发射率的可调性.

摘要： 电致变色材料具有的电致变色效应使其在着色态与漂白态时的光学常数发生改变,本文通过对电致变色器件膜系的光学模拟计算,证实了电致变色器件可以通过离子的注入与抽出使其具有可观的红外反射率及发射率调制性.文中并通过对直流反应溅射制备的WO电致变色薄膜的红外反射特性的测试和计算,验证了电致变色材料的红外反射特性与发射率的可调性.

摘要： 电致变色材料具有的电致变色效应使其在着色态与漂白态时的光学常数发生改变,本文通过对电致变色器件膜系的光学模拟计算,证实了电致变色器件可以通过离子的注入与抽出使其具有可观的红外反射率及发射率调制性.文中并通过对直流反应溅射制备的WO电致变色薄膜的红外反射特性的测试和计算,验证了电致变色材料的红外反射特性与发射率的可调性.

摘要： 电致变色材料具有的电致变色效应使其在着色态与漂白态时的光学常数发生改变,本文通过对电致变色器件膜系的光学模拟计算,证实了电致变色器件可以通过离子的注入与抽出使其具有可观的红外反射率及发射率调制性.文中并通过对直流反应溅射制备的WO电致变色薄膜的红外反射特性的测试和计算,验证了电致变色材料的红外反射特性与发射率的可调性.

摘要： 电致变色材料具有的电致变色效应使其在着色态与漂白态时的光学常数发生改变,本文通过对电致变色器件膜系的光学模拟计算,证实了电致变色器件可以通过离子的注入与抽出使其具有可观的红外反射率及发射率调制性.文中并通过对直流反应溅射制备的WO电致变色薄膜的红外反射特性的测试和计算,验证了电致变色材料的红外反射特性与发射率的可调性.

摘要： 本发明涉及一种WO3/CuWO4/NiFe LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，属于光电催化技术领域。所述的复合光电极能够克服WO3稳定性低和产物选择性弱等关键问题，成功实现光电化学水分解过程中的长期稳定运行，具有极强的应用价值。该三元复合光电极材料的制备方法主要包括以下步骤：以钨酸钠和草酸铵为原料，140oC水热反应6h，合成WO3薄膜电极；通过浸渍的方式将硝酸铜的乙酸溶液滴加在WO3薄膜电极表面，500oC高温煅烧，部分WO3与CuO反应生成钨酸铜，即得WO3/CuWO4薄膜电极；然后配置硝酸铁和硝酸镍的电解质溶液，通过电沉积方法将NiFe层状化合物负载在WO3/CuWO4电极表面，最终得到WO3/CuWO4/NiFe LDH三元复合光电极。

摘要： 本发明涉及一种六角柱型WO3/Bi2WO6复合光电极薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。制备的复合光电极形貌新颖，结构规整，光生载流子分离效率高，光电催化水分解性能优异，可实现可见光照下持续稳定产氢。该光阳极薄膜的制备方法主要包括以下步骤：以钨酸钠和草酸铵为前驱体，FTO导电玻璃为基底，水热反应一段时间，在FTO基底上原位生长出纳米板状WO3薄膜；以该薄膜为模板，在其表面滴加一定体积的硝酸铋的乙酸水溶液，高温煅烧，纳米板WO3薄膜自组装为六角柱型WO3/Bi2WO6复合薄膜。该复合光电极制备过程简单，条件可控，成本低廉，在未来能源领域具有广阔的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种WO3团簇束流沉积系统及利用其制备WO3薄膜的方法，包括如下步骤：1）、选择WO3陶瓷靶作为溅射靶材；2）、将衬底清洗后固定在高真空沉积室的衬底基座上；3）、利用机械泵和分子泵预抽真空，使沉积室的真空压强小于等于1×10‑5Pa；4）、在团簇源室侧壁管道内通入液氮，分别通过溅射气体入口和缓冲气体入口通入惰性气体Ar气和He气，使团簇源室的压强达到100～500Pa，使用溅射电源，溅射出的W离子和O离子通过气体聚集法在团簇源室中与He原子不断地碰撞而逐渐生长成WO3团簇；5）形成的WO3定向团簇束流对准衬底开始沉积，沉积速率为0.1～0.5Å/s，沉积时间为10～30分钟，在衬底上形成厚度为100～200纳米的WO3团簇薄膜；6）获得的WO3团簇薄膜经快速热处理系统在400～600°C退火5～10分钟。

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及TiO2/WO3复合薄膜的制备方法。首先使用双极脉冲磁控溅射在基底上溅射TiO2薄膜，然后在溅射好的TiO2薄膜上二次沉积WO3薄膜，将获得的复合薄膜进行退火处理即得TiO2/WO3复合薄膜。本发明采用双极脉冲磁控溅射法，制备灵活、可控性好，有望在工业中形成规模化生产。

摘要： 本发明属于纳米材料传感器技术领域，具体涉及WO3/MXene的纳米复合薄膜和传感器及其制备方法和应用。所述WO3为纳米颗粒状结构，MXene为多层纳米片状结构，WO3纳米颗粒均匀地粘附在多层MXene纳米片的层间或表面，使多层MXene纳米片层间具有空隙，为气体吸附提供了丰富的反应场所。制备方法：WO3纳米颗粒的合成；多层MXene纳米片的合成；WO3/MXene复合材料的合成。传感器为WO3/MXene复合材料的溶液涂覆在印刷叉指电极上，形成均匀的气敏薄膜。所述传感器应用于无线非接触式三甲胺(TMA)检测装置。本发明用于在室温下检测TMA，具有快速响应/恢复时间及良好的稳定性和选择性、无线非接触式检测的优势。

摘要： 本发明涉及一种WO3/CuWO4/NiFe LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，属于光电催化技术领域。所述的复合光电极能够克服WO3稳定性低和产物选择性弱等关键问题，成功实现光电化学水分解过程中的长期稳定运行，具有极强的应用价值。该三元复合光电极材料的制备方法主要包括以下步骤：以钨酸钠和草酸铵为原料，140oC水热反应6h，合成WO3薄膜电极；通过浸渍的方式将硝酸铜的乙酸溶液滴加在WO3薄膜电极表面，500oC高温煅烧，部分WO3与CuO反应生成钨酸铜，即得WO3/CuWO4薄膜电极；然后配置硝酸铁和硝酸镍的电解质溶液，通过电沉积方法将NiFe层状化合物负载在WO3/CuWO4电极表面，最终得到WO3/CuWO4/NiFe LDH三元复合光电极。

摘要： 本发明涉及一种六角柱型WO3/Bi2WO6复合光电极薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。制备的复合光电极形貌新颖，结构规整，光生载流子分离效率高，光电催化水分解性能优异，可实现可见光照下持续稳定产氢。该光阳极薄膜的制备方法主要包括以下步骤：以钨酸钠和草酸铵为前驱体，FTO导电玻璃为基底，水热反应一段时间，在FTO基底上原位生长出纳米板状WO3薄膜；以该薄膜为模板，在其表面滴加一定体积的硝酸铋的乙酸水溶液，高温煅烧，纳米板WO3薄膜自组装为六角柱型WO3/Bi2WO6复合薄膜。该复合光电极制备过程简单，条件可控，成本低廉，在未来能源领域具有广阔的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种WO3团簇束流沉积系统及利用其制备WO3薄膜的方法，包括如下步骤：1）选择WO3陶瓷靶作为溅射靶材；2）将衬底清洗后固定在高真空沉积室的衬底基座上；3）利用机械泵和分子泵预抽真空，使沉积室的真空压强小于等于1×10-5Pa；4）在团簇源室侧壁管道内通入液氮，分别通过溅射气体入口和缓冲气体入口通入惰性气体Ar气和He气，使团簇源室的压强达到100～500Pa，使用溅射电源，溅射出的W离子和O离子通过气体聚集法在团簇源室中与He原子不断地碰撞而逐渐生长成WO3团簇；5）形成的WO3定向团簇束流对准衬底开始沉积，沉积速率为0.1～0.5?/s，沉积时间为10～30分钟，在衬底上形成厚度为100～200纳米的WO3团簇薄膜；6）获得的WO3团簇薄膜经快速热处理系统在400～600°C退火5～10分钟。

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及TiO2/WO3复合薄膜的制备方法。首先使用双极脉冲磁控溅射在基底上溅射TiO2薄膜，然后在溅射好的TiO2薄膜上二次沉积WO3薄膜，将获得的复合薄膜进行退火处理即得TiO2/WO3复合薄膜。本发明采用双极脉冲磁控溅射法，制备灵活、可控性好，有望在工业中形成规模化生产。

摘要： 本发明公开了一种金属有机框架修饰的WO3/W光阳极薄膜及其制备方法和应用，该薄膜的制备方法包括以下步骤：(1)以金属W片作为阳极原料，在阴极、电解液和化学抛光剂存在下，进行阳极氧化反应，结束后煅烧阳极，得到WO3/W光阳极薄膜；(2)取上述WO3/W光阳极薄膜，加入溶剂、钴盐、镍盐和对苯二甲酸，混合均匀后进行水热反应，即得到(Co,Ni)‑MOF修饰的WO3/W光阳极薄膜。本发明提供的WO3/W光阳极薄膜，附着力大，不容易脱落，提高了光阳极薄膜的使用耐久性。并且表现出良好的阳极产氧能力，在弱碱性的碳酸氢钠电解质溶液中表现出良好的稳定性和可重复使用性。