WO₃团簇束流沉积系统及利用其制备WO₃薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种WO₃团簇束流沉积系统及利用其制备WO₃薄膜的方法，包括如下步骤：1）、选择WO₃陶瓷靶作为溅射靶材；2）、将衬底清洗后固定在高真空沉积室的衬底基座上；3）、利用机械泵和分子泵预抽真空，使沉积室的真空压强小于等于1×10^‑5Pa；4）、在团簇源室侧壁管道内通入液氮，分别通过溅射气体入口和缓冲气体入口通入惰性气体Ar气和He气，使团簇源室的压强达到100～500Pa，使用溅射电源，溅射出的W离子和O离子通过气体聚集法在团簇源室中与He原子不断地碰撞而逐渐生长成WO₃团簇；5）形成的WO₃定向团簇束流对准衬底开始沉积，沉积速率为0.1～0.5Å/s，沉积时间为10～30分钟，在衬底上形成厚度为100～200纳米的WO₃团簇薄膜；6）获得的WO₃团簇薄膜经快速热处理系统在400～600℃退火5～10分钟。