双脉冲
双脉冲的相关文献在1981年到2023年内共计785篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、金属学与金属工艺、航天(宇宙航行)
等领域,其中期刊论文144篇、会议论文6篇、专利文献435732篇;相关期刊92种,包括四川生理科学杂志、焊接技术、焊接学报等;
相关会议6种,包括全国镀膜与表面精饰低碳技术论坛、连接器与开关第十一届学术会议、第十一届全国应用化学年会等;双脉冲的相关文献由1881位作者贡献,包括何勇、李映坤、刘飞等。
双脉冲—发文量
专利文献>
论文:435732篇
占比:99.97%
总计:435882篇
双脉冲
-研究学者
- 何勇
- 李映坤
- 刘飞
- 薛家祥
- 陈雄
- 张棚
- 杨渊
- 许玉荣
- 高阿婷
- 于泉
- 吴开源
- 张翔宇
- 李青频
- 甘晓松
- 赵飞
- 郭运强
- 黄薇薇
- 刘小丹
- 宋毕春
- 朱亮
- 杨恩志
- 王唯
- 申婷婷
- 葛文
- 赵懿滢
- 邓德凤
- 雷和练
- 高列义
- 黄子平
- 丁洪斌
- 代明璐
- 刘宇
- 刘彤彤
- 刘烁贝
- 利凤祥
- 吴坚
- 周常河
- 夏伦华
- 姜澜
- 常立民
- 张初
- 张鹏
- 彭继宇
- 方锡惠
- 李向峰
- 李欣
- 李江
- 李聪
- 杜鹏飞
- 杨洪波
-
-
谢卓;
温智琳;
司明奇;
窦银萍;
宋晓伟;
林景全
-
-
摘要:
高端芯片制造所需要的极紫外光刻技术位于我国当前面临35项“卡脖子”关键核心技术之首.高转换效率的极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分.本文通过采用双激光脉冲打靶技术实现较强的6.7 nm极紫外光输出.首先,理论计算Gd^(18+)-Gd^(27+)离子最外层4d壳层的4p-4d和4d-4f能级之间跃迁、以及Gd^(14+)-Gd^(17+)离子最外层4f壳层的4d-4f能级之间跃迁对波长为6.7 nm附近极紫外光的贡献.其后开展实验研究,结果表明,随着双脉冲之间延时的逐渐增加,波长为6.7 nm附近的极紫外光辐射强度呈现先减弱、后增加、之后再减弱的变化趋势,在双脉冲延时为100 ns处产生的极紫外光辐射最强.并且,在延时为100 ns处产生的光谱效率最高,相比于单脉冲激光产生的光谱效率提升了33%.此外,发现双激光脉冲打靶技术可以有效地减弱等离子体的自吸收效应,获得的6.7 nm附近极紫外光谱宽度均小于单激光脉冲打靶的情形,且在脉冲延时为30 ns时刻所产生的光谱宽度最窄,约为单独主脉冲产生极紫外光谱宽度的1/3.同时,Gd极紫外光谱的变窄提高了波长为6.7 nm(0.6%带内)附近的光谱利用效率.
-
-
谢卓;
王海建;
窦银萍;
宋晓伟;
林景全
-
-
摘要:
激光等离子体极紫外光源具有体积小、稳定性高和输出波长可调节等优势,在极紫外光刻领域发挥着重要的作用。Bi靶激光等离子体极紫外光源在波长9~17 nm范围内具有较宽的光谱,可应用于制造极紫外光刻机过程中所需的极紫外计量学领域。利用平像场光谱仪和法拉第杯对Bi靶激光等离子体极紫外光源以及离子碎屑辐射特性进行了实验研究。在单脉冲激光打靶条件下,实验中观察到Bi靶激光等离子极紫外光谱在波长12.3 nm处出现了一个明显的凹陷,其对应着Si L-edge的吸收,是Bi元素光谱的固有属性。相应地在波长为11.8和12.5 nm位置处产生了两个宽带的辐射峰。研究了两波长光谱特性以及辐射强度随激光功率密度的变化。结果表明,在改变聚焦光斑大小实现不同激光功率密度(0.7×10^(10)~3.1×10^(10) W·cm^(-2))过程中,当功率密度为2.0×10^(10) W·cm^(-2)时两波长处的光辐射最强,其原因归结为Bi靶极紫外光辐射强度受激光能量用于支撑等离子膨胀的损失和极紫外光被等离子体再吸收之间的平衡制约所致。在改变激光能量实现不同激光功率密度过程中,由于烧蚀材料和产生两波长所需高阶离子随着功率密度的增加而增加,增强了两波长处的光辐射。进一步,研究了双脉冲激光对Bi靶极紫外光谱辐射特性影响,实验发现双脉冲打靶下原来在单脉冲打靶时出现在波长13~14 nm范围内的凹陷消失。最后,对单脉冲激光作用Bi靶产生极紫外光源碎屑角分布进行了测量。结果表明,当探测方向从靶面法线方向移动到沿着靶面方向上的过程中,探测到Bi离子动能依次减小,并且离子动能随激光脉冲能量降低而呈线性减小。此项研究有望为我国在研制极紫外光刻机过程所需的计量学领域提供技术支持和打下夯实的基础。
-
-
丁继;
唐开锋
-
-
摘要:
为了分析功率MOSFET关断特性,本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导了数学模型,表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真结果对数学模型进行了验证;设计了双脉冲实验,实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于器件设计优化和应用改善。
-
-
剡昌锋;
赵伟坤;
孟佳东;
王文斌;
吴黎晓
-
-
摘要:
根据提取的滚动轴承特征信号实现对故障缺陷尺寸的准确估计,提出了一种基于双脉冲特征的滚动轴承缺陷尺寸估计方法.采用AR模型对采集到的振动信号进行预白化处理,对预白化处理后的信号进行VMD分解,得到一系列固有模态函数.根据峭度值和互信息最大,分别选取包含有阶跃成分与冲击成分的分量,并采用平方包络增强信号的特征.根据双脉冲特征,确定滚动体进入和退出缺陷时所对应的时间,提出了故障轴承的缺陷尺寸估计方法.研究了转速和缺陷尺寸对该方法精度的影响,分析了造成误差的原因.通过实验验证该提取方法的有效性,经过估计得到的缺陷尺寸误差在5%以内,验证了该缺陷尺寸估计方法具有较高的精度.
-
-
施洪亮;
罗德伟;
王佳佳;
谭渺;
杨奎;
周帅;
饶沛南
-
-
摘要:
针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。仿真和实验结果表明,采用该方法能够针对SiC-MOSFET开关模块关断尖峰电压和缓冲吸收电路总损耗快速设计出满足要求的电路参数,使关断尖峰电压和缓冲吸收电路损耗处于系统优化的最佳区间。
-
-
蒋林;
蒲晓珉;
边晓光;
吴小田;
贺生鹏;
刘芙伶
-
-
摘要:
IGBT的关断过电压一直是变流器设计中备受关注的重要课题.本文对IGBT关断过电压的产生原因及吸收电路抑制方法进行了分析,在背靠背变流器系统开发中采用了一些有效抑制IGBT关断过电压的措施,并通过双脉冲试验进行了测试验证.结果表明,本系统中通过加吸收电容有效抑制了IGBT的关断过电压,能够满足应用于该背靠背变流器安全运行的需求.
-
-
王鼎;
吴昊;
白玉冰;
迟雪;
朱力
-
-
摘要:
根据双脉冲发动机工作过程中径向软隔层大变形、高弹性、小应变的特点,结合隔层橡胶材料实测性能数据,采用超弹性本构模型对隔层三元乙丙橡胶材料性能进行表征,考虑发动机燃烧室装药工艺造成二脉冲药柱、隔层间隙大小不定的情况,应用A baqus软件建立了软隔层有限元模型,利用轴对称模型简化计算量,对不同间隙下软隔层在一脉冲工作时受力情况进行了数值模拟,得到了隔层的实际应变情况.结果表明:径向隔层筒段头部及锥段与筒段转折处是受力严苛区域;当前工况下稳态计算隔层受载应变水平远低于材料极限,具有较高的安全裕度,现有的隔层安全判据不适用;二脉冲药柱、隔层间隙对隔层受力影响显著,减小二者间隙可有效降低隔层应变水平,提高隔层可靠性.
-
-
彭豪;
张琳;
刘欣;
郭飞
-
-
摘要:
为研究微毫秒脉冲电场对细胞摄取DNA的影响规律,基于孔密度、孔径及DNA迁移方程,建立脉冲电场作用下球形细胞DNA转染的数学模型,仿真计算典型脉冲参数作用下胞内DNA浓度的变化特性.仿真结果表明:在单个脉宽100μs、电场强度1kV/cm的脉冲作用下,胞内DNA浓度由0增至7.8×10?8mol/m3;而在单个脉宽1ms、电场强度0.5kV/cm的脉冲作用下,胞内DNA浓度增至1.1×10?8mol/m3.同时研究上述两种脉冲组成的双脉冲作用下,其时间间隔(0~1s)以及施加顺序对细胞摄取DNA的影响,结果显示,先施加100μs后再施加1ms脉冲时,不同时间间隔下胞内DNA浓度均为3.45×10?7mol/m3;而当改变脉冲施加顺序且脉冲时间间隔小于10ms时DNA浓度为8.9×10?8mol/m3,当间隔增至1s时,DNA浓度增至1.68×10?7mol/m3.此外,仿真结果显示,特定条件下DNA摄取浓度与脉冲幅值正相关.仿真结果为脉冲致细胞DNA转染的应用提供了脉冲参数优选指导.
-
-
-
桂存兵;
陈果
-
-
摘要:
以电压型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的驱动为研究对象,提出了驱动等效模型,将IGBT开关周期划分为四个阶段,并进行了运行模式分析.提出了基于双脉冲输入的IGBT驱动优化设计策略,策略中包含初始设计、温控型双脉冲测试平台设计、开关特性测试及数据处理、以及基于最小损耗的优化设计四个步骤.最后进行了实例验证,测试结果验证了所提出优化设计策略的有效性.
-
-
-
黄德华;
郭永;
胡双启;
赵建国;
晋春;
李江;
赵璐
- 《第十一届全国应用化学年会》
| 2009年
-
摘要:
利用双脉冲技术,通过正交实验优化了制备非晶态Ni-P镀层的工艺条件,并比较分析了双脉冲、单脉冲及商流条件下的沉积速率、腐蚀电位、耐蚀时间及表面形貌。rn 研究结果表明,与晶态和混晶结构相比。非晶态下的XRD衍射图谱平缓、宽大,且同为非晶态时,由于镀层组成成分的不同,衍射峰也不相同;在双脉冲条件下,平均电流密度为8A/dm2时,出现非晶态的几率最高;与直流和单脉冲相比,双脉冲条件下的腐蚀电位最正,耐蚀时间最长,镀层表面平整致密,而单脉冲条件下的沉积速率最大。
-
-
-
-
-
-
-
-