SPICE模型

摘要： 针对逻辑电路的应用设计了一种功能完整的电压阈值忆阻器SPICE模型,并对其进行实验测试与验证。利用电压阈值忆阻器SPICE模型搭建了MRL(忆阻比例逻辑门)和多功能忆阻模块,运用在搭建加法器中,设计了一种基于电压阈值忆阻器的加法器电路,并对此加法器进行实验验证与性能分析。实验结果与性能分析表明,基于电压阈值忆阻器的加法器电路不仅能实现正确的逻辑运算,而且能提高器件面积的利用率和逻辑运算效率,比传统的加法器减少了87.6%功耗。

摘要： 为了分析功率MOSFET关断特性,本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导了数学模型,表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真结果对数学模型进行了验证;设计了双脉冲实验,实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于器件设计优化和应用改善。

摘要： 提出了地平面上的屏蔽电缆在入射均匀平面波激励下的SPICE模型.该模型适用于辐射和传导EMC分析.它允许内部和外部系统之间的双向耦合,因此可以集成到抗扰度和发射分析的仿真中.该模型是在经典传输线理论的基础上建立的,由传输线、受控源和RLC电路组成,可以与非线性元件相结合.论文将计算结果与数值模拟结果进行了比较,两者吻合较好.

摘要： 硅基光电晶体管在高频通信、自动控制、电力系统领域具有广泛的应用前景.从系统验证和仿真的角度,迫切需要建立光电晶体管的等效电路模型,该模型需要包含电学特性和光学特性.本文提出了一种高频(100MHz～1GHz)硅基光电晶体管的SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)等效模型,包含器件的主要光电特性,通过TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真建立了模型中关键电学和光学参数的提取方法.基于所建立的高频光电晶体管的SPICE模型等效电路进行仿真,所得到的仿真结果能够完整描述光电晶体管的电学特性和光学特性,并验证了模型在器件模拟与电路应用上的可行性,表明本文所提出的SPICE模型和参数提取方法,对于基于高频光电晶体管的系统仿真,具有参考价值.

摘要： 在高校实验教学中引入虚拟仿真技术,对于强化教学内容、提高教学质量有着非常重要的意义。为此,该文搭建了基于Proteus仿真软件的低成本光伏系统最大功率点跟踪(MPPT)算法仿真实验平台,在该平台中建立了光伏阵列SPICE模型,分析了扰动观察法和电导增量法的原理,通过嵌入式Arduino UNO微控制器对两种MPPT算法进行了仿真对比分析。结果表明:扰动观察算法简单、跟踪速度较快,但跟踪过程中震荡较大;而电导增量法却具有平稳计算最大功率点的特点。

摘要： 文章设计出一种基于忆阻器的可重构逻辑门电路,并利用忆阻器的SPICE模型,对设计的电路进行了仿真验证.该电路单元可实现多种基本逻辑运算,在此单元电路基础上设计了3线-8线译码器的电路.可重构逻辑门电路结构简单,可实现多种逻辑运算,节约了硬件设计的资源,提高了设计的灵活性,并具有数据存储的功能,可为存储计算的硬件设计提供一些参考.

摘要： 在盖革模式下工作的雪崩光子二极管(APD)也称为单光子雪崩光子二极管(single photon avalanche photon diode,SPAD)是一种常用于激光测距成像领域的单光子探测器.本文针对SPAD探测应用中的淬火问题,设计了一种电容淬火(capacitive quenching circuit,CQC)电路.首先,根据SPAD器件的性能参数,建立了SPAD的SPICE等效模型,并通过无源淬火电路验证了该模型.其次,基于该等效模型的基础上,仿真验证了所设计的CQC淬火电路的淬火效果.仿真结果表明:所设计的CQC电路不仅具有门控有源淬火电路的优点,而且具有更稳定的偏置电压和击穿电流.本文设计的CQC淬火电路的淬火时间和恢复时间分别为16 ns和41 ns,基本可满足单光子测距的应用需求.

摘要： 提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级(Level-1)模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移率模型来代替.产品数据手册验证了该模型静态特性的准确性,DC/DC Boost变换器实验也验证了该模型动态特性的准确性.利用该模型讨论了4H-SiC/SiO2的界面态密度和表面粗糙度对4H-SiC MOSFET开关特性的影响.结果表明,随着界面态密度的增加,4H-SiCMOSFET的开通延迟时间随之增加,而关断提前的时间也增加,同时器件的开关损耗也增加,但是表面粗糙度对开关特性的影响非常小.所取得的结果对4H-SiC MOSFET的应用和器件工艺都有一定的指导作用.%Spice modeling of 4H-SiC MOSFET based on advanced mobility model has been developed.This modeling employs the Spice Level-1 model of MOSFET,but the constant mobility in the current equations has been replaced by the advanced mobility expressions,which can exactly reflect the effect of 4H-SiC/ SiO2 interface features on the characteristics of 4H-SiC MOSFET.The transfer characteristics of the developed 4H-SiC MOSFET model have been verified by the production datasheet,and the dynamic characteristics have been experimentally verified in DC/DC Boost converter.Based on the developed 4H-SiC MOSFET model,the effect of 4H-SiC/SiO2 interface trap and surface roughness on the dynamic characteristics of 4H-SiC MOSFET has been discussed.The results show that the switching loss increases with the increase in interface trap density,but surface roughness exists little impact on switching characteristics.The achieved results are very helpful to device application and device process.

摘要： 针对快信号在长同轴电缆传输时产生的信号畸变和校正问题,提出了建立电缆的分布式spice模型的方法,并以此模型分析电缆的传输特性.最后借助仿真程序对所建立的模型进行了时间域和频率域分析.

摘要： 本文建立了对称振子天线的辐射SPICE模型,首先根据对称振子天线辐射电场的积分表达式求得辐射电场,进而将该表达式用具体的电路结构来实现,从而得到SPICE模型.该模型是由集总元件组成,只与天线的基本结构参数和辐射场点的位置有关,而与天线的馈电结构无关.将该模型的仿真结果与数值仿真软件CST的仿真结果进行对比,良好的一致性说明了推导出的SPICE模型的正确性.

摘要： 本文建立了对称振子天线的辐射SPICE模型,首先根据对称振子天线辐射电场的积分表达式求得辐射电场,进而将该表达式用具体的电路结构来实现,从而得到SPICE模型.该模型是由集总元件组成,只与天线的基本结构参数和辐射场点的位置有关,而与天线的馈电结构无关.将该模型的仿真结果与数值仿真软件CST的仿真结果进行对比,良好的一致性说明了推导出的SPICE模型的正确性.

摘要： 本文建立了对称振子天线的辐射SPICE模型,首先根据对称振子天线辐射电场的积分表达式求得辐射电场,进而将该表达式用具体的电路结构来实现,从而得到SPICE模型.该模型是由集总元件组成,只与天线的基本结构参数和辐射场点的位置有关,而与天线的馈电结构无关.将该模型的仿真结果与数值仿真软件CST的仿真结果进行对比,良好的一致性说明了推导出的SPICE模型的正确性.

摘要： 本文建立了对称振子天线的辐射SPICE模型,首先根据对称振子天线辐射电场的积分表达式求得辐射电场,进而将该表达式用具体的电路结构来实现,从而得到SPICE模型.该模型是由集总元件组成,只与天线的基本结构参数和辐射场点的位置有关,而与天线的馈电结构无关.将该模型的仿真结果与数值仿真软件CST的仿真结果进行对比,良好的一致性说明了推导出的SPICE模型的正确性.

摘要： 利用Synopsys TCAD工具，对基于中国科学院微电子所开发的0.35μmPDSOI器件工艺进行单粒子翻转的模拟和分析。结合激增电流的物理意义，提出合理的数学模型，推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的“尾部”电流，提出子电路模型，并基于SPICE三极管模型进行参数提取。最后以SRAM为例，验证了SPICE模型的合理性和精确性。

摘要： 利用Synopsys TCAD工具，对基于中国科学院微电子所开发的0.35μmPDSOI器件工艺进行单粒子翻转的模拟和分析。结合激增电流的物理意义，提出合理的数学模型，推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的“尾部”电流，提出子电路模型，并基于SPICE三极管模型进行参数提取。最后以SRAM为例，验证了SPICE模型的合理性和精确性。

摘要： 利用Synopsys TCAD工具，对基于中国科学院微电子所开发的0.35μmPDSOI器件工艺进行单粒子翻转的模拟和分析。结合激增电流的物理意义，提出合理的数学模型，推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的“尾部”电流，提出子电路模型，并基于SPICE三极管模型进行参数提取。最后以SRAM为例，验证了SPICE模型的合理性和精确性。

摘要： 利用Synopsys TCAD工具，对基于中国科学院微电子所开发的0.35μmPDSOI器件工艺进行单粒子翻转的模拟和分析。结合激增电流的物理意义，提出合理的数学模型，推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的“尾部”电流，提出子电路模型，并基于SPICE三极管模型进行参数提取。最后以SRAM为例，验证了SPICE模型的合理性和精确性。

摘要： 器件建模是进行系统或组件仿真的基础。本文对在辐射环境下的元器件仿真模型的两种建立方法进行了描述，一种是建立在器件物理原理基础上的SPICE模型，另一种是根据输入、输出外特性来形成的模型，并分别举例说明。

摘要： 本发明提供了一种电阻模块的SPICE电路仿真模型、SPICE仿真方法和装置，其中，所述模型包括：与所述电阻模块中每一段电阻对应的本征电阻模型块，所述本征电阻模型块之间的连接关系与所述电阻模块中电阻之间的连接关系一致，每一个所述本征电阻模型块包括一个体电阻、分别与所述体电阻连接的两个头电阻和两个对地的寄生电容，所述体电阻和所述两个头电阻串联，所述两个对地的寄生电容的分别和所述体电阻的两端连接，所述电阻模块的SPICE电路仿真模型还包括段间寄生电容，所述段间寄生电容耦接于相邻的本征电阻模型块的体电阻的端点之间。所述模型能够更好地反映实际电路中电阻之间的相对物理位置和电性关系，从而获得更为精确的电路仿真结果。

摘要： 本发明涉及一种基于Spice十字型霍尔仿真模型的建模方法，根据技术手册中各种关系曲线拟合得出霍尔输出与各个影响量之间的关系，通过利用LTSpice软件建立十字型霍尔仿真模型。建立的十字形电路模型中各个输出参数根据前述建模方法中获取的参数函数式进行控制。该建模方法建立的电路模型考虑了温度、非线性电阻等诸多因素，能够准确描述不同霍尔间的差异，且由于该电路模型中的参数来源极易获得，具有良好的实用性。并且通过对电路模型中的参数进行设置后，可以方便改变霍尔的性能，进而方便完成如蒙特卡洛分析等可靠性分析工作。

摘要： 本发明涉及优化集成电路SPICE模型中的应力影响模型的方法和装置，以及制造集成电路的方法。该应力影响模型利用版图参数和与工艺相关的工艺模型参数来计算应力对晶体管参数的影响，所述优化应力影响模型的方法包括：获取版图中多个版图区域的至少一个版图参数的值以及晶圆上相对应的多个晶圆区域的至少一个工艺参数的值；基于所获取的版图参数的值和工艺参数的值，建立表示所述工艺参数对版图参数的依赖性的函数；以及将所述函数作为工艺模型参数应用到所述应力影响模型中。利用上述方法得到的应力影响模型，能够反映出工艺参数波动对晶体管性能的影响，从而更准确地模拟诸如晶体管等器件的特性，以有助于集成电路的设计和制造。

摘要： 本发明提供了一种SPICE模型参数获取方法及SPICE模型参数获取装置。所述SPICE模型参数获取方法，包括如下步骤：构建一互连结构模型；设置与所述目标信号线耦合电容相关的多个仿真参数；计算与多个仿真参数一一对应的多个层内线间耦合电容以及多个总耦合电容；以仿真参数为自变量、层内线间耦合电容与总耦合电容为因变量进行公式拟合，得到拟合公式；根据拟合公式计算预设信号线的层内线间耦合电容以及总耦合电容，并输入SPICE模型。本发明提高了电路仿真测试结果的可靠性，改善互连结构电路设计的效率。

摘要： 本发明提供了一种SPICE模型参数提取器的构建方法及SPICE建模方法，在目标器件的初始SPICE模型中的每个模型参数的取值范围内均选取若干具体值，将每个具体值赋值给相应的模型参数以组合出若干SPICE模型，对每个SPICE模型进行仿真得到相应的仿真数据，将每个仿真数据均输入SPICE模型参数提取器并通过比对所有SPICE模型中的每个具体值与相应的提取值优化SPICE模型参数提取器。SPICE建模时，将目标器件的测试数据输入SPICE模型参数提取器中得到模型参数的提取值，再将提取值赋值给初始SPICE模型中的相应的模型参数得到目标器件的SPICE模型。本发明无需反复修改每个模型参数的值并对比测试数据与仿真数据，也无需购买大量软件资源，节省了人力物力，建模速度更快。

摘要： 本发明提供了一种电阻模块的SPICE电路仿真模型、SPICE仿真方法和装置，其中，所述模型包括：与所述电阻模块中每一段电阻对应的本征电阻模型块，所述本征电阻模型块之间的连接关系与所述电阻模块中电阻之间的连接关系一致，每一个所述本征电阻模型块包括一个体电阻、分别与所述体电阻连接的两个头电阻和两个对地的寄生电容，所述体电阻和所述两个头电阻串联，所述两个对地的寄生电容的分别和所述体电阻的两端连接，所述电阻模块的SPICE电路仿真模型还包括段间寄生电容，所述段间寄生电容耦接于相邻的本征电阻模型块的体电阻的端点之间。所述模型能够更好地反映实际电路中电阻之间的相对物理位置和电性关系，从而获得更为精确的电路仿真结果。

摘要： 本发明涉及一种基于Spice十字型霍尔仿真模型的建模方法，根据技术手册中各种关系曲线拟合得出霍尔输出与各个影响量之间的关系，通过利用LTSpice软件建立十字型霍尔仿真模型。建立的十字形电路模型中各个输出参数根据前述建模方法中获取的参数函数式进行控制。该建模方法建立的电路模型考虑了温度、非线性电阻等诸多因素，能够准确描述不同霍尔间的差异，且由于该电路模型中的参数来源极易获得，具有良好的实用性。并且通过对电路模型中的参数进行设置后，可以方便改变霍尔的性能，进而方便完成如蒙特卡洛分析等可靠性分析工作。

摘要： 本发明涉及优化集成电路SPICE模型中的应力影响模型的方法和装置，以及制造集成电路的方法。该应力影响模型利用版图参数和与工艺相关的工艺模型参数来计算应力对晶体管参数的影响，所述优化应力影响模型的方法包括：获取版图中多个版图区域的至少一个版图参数的值以及晶圆上相对应的多个晶圆区域的至少一个工艺参数的值；基于所获取的版图参数的值和工艺参数的值，建立表示所述工艺参数对版图参数的依赖性的函数；以及将所述函数作为工艺模型参数应用到所述应力影响模型中。利用上述方法得到的应力影响模型，能够反映出工艺参数波动对晶体管性能的影响，从而更准确地模拟诸如晶体管等器件的特性，以有助于集成电路的设计和制造。

摘要： 本发明属于半导体仿真技术领域，主要提供了一种基于SPICE模型的仿真方法、仿真系统，建立仿真器件的器件架构，并且模拟其电性曲线；对仿真器件的晶圆允收测试的参数进行定义，并根据电性曲线对仿真器件进行电学测试得到第一电性参数；通过仿真得到晶圆允收测试的电学仿真数据，并将电学仿真数据与第一电性参数进行比较，得到LDE输入参数与晶圆允收测试的电性变化参数；基于LDE输入参数和电性变化参数进行类神经网络训练，得到类神经网络加权参数和类神经网络架构；将得到的类神经网络加权参数与类神经网络架构写入模型卡，从而基于SPICE模型的模型卡实现对器件的仿真，可以避免目前的LDE仿真需要用户将函数写入模型卡，导致测试工作量较大的问题。

摘要： 本发明公开了一种基于Spice协议的自主安全VDI模型优化方法，是在Spice协议改造的基础上在安全控制点上加入安全防护功能，实现基于PKI的用户身份控制，通过Spice协议的安全改造实现传输数据的多通道加密，数据转发以及终端设备接入控制。