电压尖峰
电压尖峰的相关文献在1994年到2022年内共计166篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文71篇、会议论文10篇、专利文献90410篇;相关期刊52种,包括电工电能新技术、电工技术学报、电源技术等;
相关会议10种,包括四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会、2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会、2009全国节能型高强度气体放电灯技术与发展研讨会等;电压尖峰的相关文献由383位作者贡献,包括刘鸿鹏、孙志新、李科科等。
电压尖峰—发文量
专利文献>
论文:90410篇
占比:99.91%
总计:90491篇
电压尖峰
-研究学者
- 刘鸿鹏
- 孙志新
- 李科科
- 李茂华
- 柳树渡
- 董亚武
- 贲洪奇
- 吴浩伟
- 孙朝晖
- 张书鑫
- 张伟
- 徐正喜
- 徐殿国
- 王卫
- 陈仲
- D·基斯
- D·斯泰克尔
- J·J·克劳福特
- J·米勒
- K·威尔逊
- M·布兰克
- T·布鲁姆
- W·K·莱尔德
- 仇新宇
- 何勇吉
- 何思模
- 余鹏飞
- 刘军军
- 刘少博
- 刘念洲
- 刘桂花
- 卡洛·菲奥基
- 吴大立
- 吴文韬
- 周樑
- 周自超
- 周远平
- 唐钊
- 姚奇
- 姚川
- 姜波
- 孟涛
- 宋青华
- 张化伟
- 张容驰
- 张方华
- 张明
- 张晓斌
- 徐海波
- 徐迎春
-
-
薛尧;
王琛琛;
杨晓峰;
李凯;
郑琼林
-
-
摘要:
只有公共直流侧电容的V形钳位多电平变换器(VMC)在中压、大功率电能变换的场合具备良好的应用价值。但当VMC电平数较高时,其换流回路电感不可避免地增大,使IGBT开关器件的关断过电压问题凸显。为此,该文提出一种简单的VMC吸收电路方案。依据VMC的运行原理,将其开关器件区分为主开关器件和辅助开关器件。主开关器件动作并切换电流通路,在每一对互补的主开关器件两端添加吸收电容(构成类似半桥开关能量缓冲单元),以抑制其关断过电压。而主开关器件相对应的辅助开关器件则先开通、后关断,仅提供静态电压支撑的功能,因此无需吸收电路保护。该文以七电平VMC为例,对所提的吸收电路方案进行了分析和研究。实验结果表明,所提的VMC吸收电路方案能够显著抑制开关器件的关断电压尖峰。并且,该方案仅需少量吸收电容与主开关一起构成类似半桥开关能量缓冲单元的形式即可实现所有开关器件的关断过电压保护,其成本低、可靠性高,具有良好的工程实用性。
-
-
无
-
-
摘要:
引言IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短,也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关,也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时,集电极电压过冲会格外大,有可能超过额定值,从而损坏IGBT。
-
-
施洪亮;
罗德伟;
王佳佳;
谭渺;
杨奎;
周帅;
饶沛南
-
-
摘要:
针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。仿真和实验结果表明,采用该方法能够针对SiC-MOSFET开关模块关断尖峰电压和缓冲吸收电路总损耗快速设计出满足要求的电路参数,使关断尖峰电压和缓冲吸收电路损耗处于系统优化的最佳区间。
-
-
张宇;
李先允;
王书征;
唐昕杰;
袁宇;
卢乙
-
-
摘要:
为了使SiC MOSFET工程运用时避免串联扰动的威胁,研究栅源回路参数对串联扰动的影响是很有必要的.研究通过对栅源回路参数的调控,将串联扰动现象分为正压尖峰与负压尖峰两部分进行分析,确定影响串扰电压尖峰的参数,为驱动回路参数设计提供方向性意见.首先建立拓扑简化模型,理论分析影响电压尖峰的栅源回路参数,随后搭建实验平台进行电压尖峰观测以及对理论分析进行实验验证,最后对实验波形进行分析.实验表明,当驱动电阻为0~20Ω、驱动杂散电感为0~300 nH、栅极电容为0~10 nF时,串联扰动随着桥臂自身驱动电阻、驱动杂散电感的增大而增大、随着栅极电容的增大而减小.此外,负载阻抗会影响负压尖峰,尖峰震荡同样会影响器件正常工作.
-
-
王文月;
牛萍娟
-
-
摘要:
与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiC MOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重.而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延时与开关损耗且控制程度复杂.因此文章结合有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰的方法,提出了一种改进驱动电路.首先阐明SiC MOSFET瞬态电压尖峰产生原理.其次,在有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰前提下,基于控制辅助三极管开通与关断,注入栅极电流思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容的改进驱动电路方法,并分析了其工作原理,给出了设计参数.最后,搭建了双脉冲测试平台,对抑制瞬态电压尖峰的改进驱动电路实用性及有效性进行了验证.
-
-
赵世伟;
高双;
丁杰
-
-
摘要:
为解决传统耦合电感型升压变换器电压增益低、输入电流纹波大等缺点.将传统的Sepic变换器与耦合电感、开关电容两种电压增益提升单元组合,提出了一种新型的高增益变换器.该变换器在提高电压增益的基础上削弱了MOS管漏、源极间于振荡所产生的电压尖峰,并且保留了Sepic变换器输入电流连续的优点,适合应用在可再生能源系统中.首先利用耦合电感替换Sepic变换器中的输出电感,随后引入开关电容单元与无源箝位电路,增加电压增益的同时还解决了漏感问题,漏感能量得到了循环利用,从而进一步提高了变换器效率.详细分析了该新型高增益变换器的工作原理,并且在实验室构建了一台额定功率为200 W的实验样机,实验结果成功验证了所提变换器原理分析的正确性与可行性.
-
-
-
-
吴凤江;
卜宏泽;
张如昊
-
-
摘要:
高频隔离型直接AC-AC变换器的传统调制策略会产生电压尖峰,存在极大的安全隐患.分析了传统移相式调制策略产生电压尖峰的本质原因,即无法保证变压器电流与输出侧电感电流的平滑过渡.进一步提出原边采用脉宽调制控制、副边采用工频同步控制的新型调制策略,在每个开关周期内均保证了由续流态转到功率传输态之前变压器电流与输出侧电感电流相等,从而避免了电流跳变,也由此彻底消除了电压尖峰.详细的实验结果证明了所提调制策略的正确性和可行性.
-
-
Paul Yeaman
-
-
摘要:
本文主要介绍全新双向DC-DC转换器的设计与分析。这项全新的拓扑及其控制策略彻底解决了传统双向DC-DC转换器(电源容量及效率有限)中存在的电压尖峰问题。该转换器不仅可用作电池组和DC母线接口,而且还可双向(电池充电方向和母线支持方向)高效工作。此外,文中还分析了电路及系统实施中每个区块的工作原理。实验结果显示双向都能实观高效率。300W输入(为电池充电)1500W输出(支持母线)样机为电池充电的效率高达92.9%(300W),支持母线的效率达93.6%(1500W)。重新配置成并联可轻松实现更高的功率级别。
-
-
方剑;
王龙
- 《第四届特种车辆全电化技术发展论坛》
| 2016年
-
摘要:
分析了推挽全桥双向DC-DC变换器升压和降压的工作原理,讨论了变换器中高频变压器和滤波电感的设计方法,在MATLAB中搭建了推挽全桥双向DC-DC变换器模型,通过仿真验证了变换器的双向变换性能,但变换器工作过程中存在较大电压尖峰,为此在开关管上增加RCD吸收电路以减小电压尖峰,讨论了缓冲电路参数变化对电压尖峰和通态损耗的影响,并据此确定了缓冲电路元件参数的选取原则,通过仿真验证了理论分析的正确性.
-
-
-
-
-
-
陈小平;
於俊;
嵇保健;
张方华
- 《2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会》
| 2006年
-
摘要:
推挽正激电路是低压大电流输入场合的理想拓扑之一.但其输出整流二极管上由于反向恢复产生很高的电压尖峰.这将带来整流二极管选取困难,并影响其使用寿命.文章研究了一种无源无损的缓冲吸收电路,能够很好地抑制寄生振荡,消除尖峰电压.文章给出了工作原理和参数设计,并通过仿真分析和加缓冲电路前后的1kW实验样机,对比验证了该缓冲吸收电路的良好效果.
-
-
-
-