硅太阳电池

摘要： 在硅表面沉积制备致密的氧化硅薄膜可获得极佳的表面钝化质量,然而氧化硅薄膜的常规制备方法常需要较长的工艺时间和较高的工艺成本,限制了其在太阳电池上的应用。本文拟采用臭氧氧化配合较短时间的热退火工艺对多晶硅太阳电池进行处理,实现多晶硅片表面的氧化硅薄膜制备,通过此过程改善多晶硅太阳电池的电学性能。使用该工艺方法在多晶硅片表面生成薄层氧化硅,并借助等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积的叠层氮化硅可显著提升多晶硅太阳电池正表面的钝化质量。实验对比发现,随着退火时间的延长,多晶硅片少子寿命的上升幅度增大,电池的电学性能随之提升。实验确定了最适宜的退火处理工艺,通过该臭氧氧化退火工艺,可获得超0.5%的多晶硅太阳电池效率绝对值增益。

摘要： 研究同一小硅锭中不同部位的硼镓共掺多晶硅片制备成背钝化太阳电池后,不同的电池效率和光衰情况,并研究经过同样的抗光衰处理后这些电池的光衰情况.测试结果显示,硅锭尾部位置的硅片具有最高的电阻率、最高的氧含量、最低的硼、镓含量及最高的杂质含量.将硅锭不同位置的硅片经过量产产线制成背钝化电池后,头部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.08％,中部硅片得到的电池片的平均转换效率平均效率为19.15％,尾部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.06％.光衰结果显示,对于未经过抗光衰处理的电池片,头部和中部位置具有较低的光衰比例,而尾部位置具有较高的光衰比例;电池片经过抗光衰处理后,不同位置对应的电池片都有效率提升,继续经过光衰测试后,尾部位置出现较明显的抗光衰效果.该研究对硼镓共掺多晶硅片生产和多晶背钝化电池抗光衰工艺具有指导意义.

摘要： 选用波长为1064 nm的近红外激光作为光源,扩散结晶硅电池与硅异质结电池为接收样品,测试电池在不同入射光强下的J-V输出特性.发现在入射光强升高时,2种电池的开路电压、短路电流密度均对应增加.传统扩散结晶硅电池的填充因子与转换效率随入射光强的升高先升高后降低,硅异质结电池的填充因子与转换效率随入射光强的升高而降低.对晶硅电池近红外激光响应特性的研究,为近空间飞行器的夜间充能提供了理论和实验依据.

摘要： 关于空间环境对近地卫星太阳电池阵输出功率衰减影响,以某晨昏轨道卫星的背场硅太阳电池阵为对象,在分析卫星轨道半长轴摄动、降交点地方时漂移、光照角变化、日地距离波动等因素的基础上,讨论电池阵工作温度和输出电流变化,建立电流与温度的拟合模型;同时以拟合电流归一化处理为重点,在光照角、功率温度系数归一化前提下,针对输入光源功率波动,提出利用温度进行归一化处理;最后利用实际在轨数据进行检验;结果表明,利用温度对光源功率进行归一化之后,太阳电池阵输出电流的数据一致性较好;在轨3年后,电流出现约2.35％的突降,推测电池阵串并联支路数目在40左右,且某个支路出现开路;功率变化具有季节性,冬至前后功率最强,夏至前后功率最弱;背场硅太阳电池阵功率衰减因子约为 1.034 (10-5/d,年均衰减约为0.377％;预测卫星在轨17年后,夏至时期的电池阵功率衰减不超过8.5％;电池阵抗辐照性较强,适宜于近地空间长寿命应用场合;该方法可应用于在轨卫星长期测控与管理中的能源管理、遥测诊断与器件健康状态评估等方面.

摘要： 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池(SHJ)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势,具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点,是高转换效率硅基太阳电池的热点方向之一。本文首先综述了近几年SHJ电池制造工艺技术的进步,包括臭氧清洗硅片、热丝化学气相沉积技术沉积非晶硅薄膜、透明导电薄膜沉积方法和材料的改进,以及新型金属化电极技术在SHJ电池中的应用所取得的进展。然后介绍了结合背面结技术、载流子选择性钝化接触技术的硅异质结电池以及薄型硅异质结太阳电池最新研究情况。进一步分析了与叉指式背接触技术相结合的硅异质结电池、与钙钛矿太阳电池技术相结合的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池的研究现状,指出硅基异质结太阳电池是迈向更高效率太阳电池的基石。

摘要： 新型无醇添加剂碱溶液制绒可使硅表面形成1～3μm的金字塔结构;通过对制绒过程研究,硅表面损伤层在250～500 s被腐蚀掉,同时金字塔结构铺满硅表面,从500 s延长至到1000 s时,金字塔尺寸由1μm增至2μm以上,1250 s后金字塔尺寸达到平衡.不同添加剂配方可影响单晶硅表面的金字塔尺寸和均匀性,但对表面反射率影响不大.

摘要： 在考虑折射率色散效应基础上,以加权平均反射率作为评价函数,通过智能优化算法对空间硅太阳电池减反射膜进行优化设计,得到了最佳的膜厚参数,并与不考虑色散下设计的减反射膜进行了比较.对MgF2/TiO2,SiO2/TiO2双层减反射膜,与不考虑色散情形相比,考虑色散下优化后的最小加权平均反射率分别减小了36.6％和37.6％;对具有厚度为15 nm的SiO2钝化层的硅太阳电池的MgF2/TiO2,SiO2/TiO2减反射膜重新优化设计,与不考虑色散情形相比,考虑色散下优化后的最小加权平均反射率分别减小了43.9％和33.7％;对具有不同厚度钝化层的空间硅太阳电池,在考虑色散下进行了减反射膜的优化设计.结果发现,随着钝化层厚度的增加,所得减反射膜的最小加权平均反射率也随之增大,减反射效果越来越弱.最后,在考虑与未考虑色散情形下,将钝化层膜厚也作为反演参量后重新设计.结果表明:在色散情形下所设计的减反射膜更佳,对于MgF2/TiO2/SiO2(钝化层)膜系,最佳膜厚参量为 d1(MgF2)=97.6 nm,d2(TiO2)=40.2 nm,d3(SiO2)=4.9 nm;对于SiO2/TiO2/SiO2(钝化层),最佳膜厚参量为d1(SiO2)=85.1 nm,d2(TiO2)=43.4 nm,d3(SiO2)=1.8 nm.%Based on the refractive index dispersion effect,the weighted average reflectivity was used as evaluation function,and the best film thickness parameters of the anti-reflection coatings for the space silicon solar cell was obtained by the intelligent optimization algorithm.The optimization results were compared with that of the anti-reflection coatings designed without considering the dispersion.It displayed that after optimizing,the minimal weighted average reflectivity of the MgF2/TiO2and SiO2/TiO2anti-reflection coatings were reduced by 36.6％and 37.6％under considering the dispersion effect than that without considering dispersion effect.And then the MgF2/TiO2and SiO2/TiO2anti-reflection coatings were deposited on the silicon solar cells with a thickness of 15 nm SiO2passivation layer and optimized again.Comparing without considering dispersion effect,the minimal weighted average reflectivity in the case of dispersion was reduced by 43.9％and 33.7％for the MgF2/TiO2and SiO2/TiO2 coatings with passivation layer,respectively.The optimal design of the anti-reflection coatings were carried out for the space silicon solar cells with different thickness passivation layer.It was found that the minimum weighted average reflectivity of the anti-reflection coatings increased with the increase of the thickness of the passivation layer,meaning that the anti-reflection effect got weaker and weaker.Finally,the anti-reflection coatings were redesigned when the thickness of the passivation layer was also considered as an inversion parameter considering the refractive-index dispersion effect or not.The results show that the anti-reflection film is more optimization by considering the dispersion.For the MgF2/TiO2/SiO2(passivation layer)film system,the optimal film thickness parameters are d1(MgF2)=97.6 nm,d2(TiO2)=40.2 nm,d3(SiO2)=4.9 nm.For the SiO2/TiO2/SiO2(passivation layer)film system,the optimal film thickness parameters are d1(SiO2)=85.1 nm,d2(TiO2)=43.4 nm,d3(SiO2)=1.8 nm.

摘要： 利用不同性能的银粉配制正银浆料,通过丝网印刷、烧结工艺制作硅太阳电池,研究银粉粒径、形貌和结晶性等对硅太阳电池正银的丝网印刷性能和电池转换效率等性能的影响.用扫描电镜(SEM)分析正银栅线电极的微观结构及烧结后Ag-Si界面处银微晶的形成情况.结果表明,银粉粒径和形貌对栅线电极的高-宽比和电极致密性有直接影响;Ag-Si界面处的银微晶大小和数量是正银电极形成欧姆接触的关键.利用正银电极的烧结原理,分析不同银粉对正银电极欧姆接触形成的影响,粒径为1.47μm的球形银粉,有较高的振实密度和烧结活性,制备的电池转换效率较高.

摘要： The potential induced degradation of PV modules can reduce the external output power of photovoltaic power generation system,making the photovoltaic power generation system in a standstill in severe cases,almost no external output power.The PID of a single block of PV module in photovoltaic power generation system was simulated,which was the aluminum frame and outputs of PV modules produced 1 000 V of electrical potential difference.The EL images and I-V electric properties were tested for 48 h.The results show that the effect causes the components to produce leakage current,and the leakage extent increases with the duration of experiment.Using capacitance principle to explain the physical mechanism of the potential induced degradation,the packaging materials with low dielectric constant to create PV modules can make the power attenuation of the components in less than 2％,completely having anti-PID performance.%光伏组件的潜在诱导衰减会减少光伏发电系统对外输出的电能,严重情况下使光伏发电系统瘫痪,几乎不对外输出电能.在温度为85°C和85％湿度条件下,对单块光伏组件模拟光伏发电系统中出现的潜在诱导衰减效应,即组件的铝边框和输出端产生1 000 V的电势差.每隔6h测试一次组件的电致发光(EL)图像和I-V电性能,实验持续时间为48 h.结果表明:该效应会使组件产生漏电,漏电程度随着实验持续的时间而变得严重.运用电容原理解释潜在诱导衰减产生的物理机制,并采用低介电常数的封装材料制作新的光伏组件,能使组件的功率衰减控制在2％以内,完全具有抗潜在诱导衰减的性能.

摘要： 本文首先对比计算了晶体硅太阳电池采用不同数量主栅的效率增益。目前丝印水平下，4主栅可以实现提升0.103%的绝对效率，5主栅效率优势取决于焊带宽度，1.2mm宽度焊带可提升绝对效率0.119%。但是，随着未来细栅宽度下降，湿重不断降低，以及串焊工艺的提升，5主栅优势越来越明显。多主栅工艺需匹配更好的电极制备工艺，细栅宽度越窄，多主栅优势越明显。但是对于目前丝印工艺，多主栅优势不明显。半片工艺可以提升0.5%左右的绝对效率，符合硅片减薄的趋势，但是实际应用中需考虑其增加的制造成本。

摘要： 通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因，从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。

摘要： 氧化硅是一种很好的钝化材料，可以应用于背钝化电池,电池效率提升明显，去BSF电池相比，效率可提高1.2%以上；氧化硅PERC电池制备工艺方案简单，对设备要求较低；针对填充因子较低的问题，后续可采用SE及多主栅技术，以提升电池的接触特性，提升电池效率。

摘要： 山西潞安太阳能科技有限责任公司简况，高效PERC电池研究背景，高效PERC电池研究进展，对于高效PERC需对应优化正面与背面的绒面结构；对于LDSE结构的PERC电池需优化正面掺杂（表面浓度与结深等），降低金属接触与非接触区域的复合；对于LDSE结构的PERC电池需优化正背面表面钝化与金属化接触。

摘要： 利用AFORS-HET软件比较了WFTCO、Dit、Ntr和Na对H-H和HIT电池性能的影响；相对于HIT，H-H电池对WFTCO更加不敏感是因为：在高的Dit下，界面复合的变化量更小,在相当低的Dit下，a-Si:H区域复合的变化量更小本质上是因为同质结电场的存在使得更少的电子能到达异质结界面和a-Si:H区域，因而H-H电池的n受WFTCO的影响更小；相较于HIT，H-H电池对p-a-Si:H层Ntr和Na的忍耐性更强。因为当Ntr增加或者Na降低时，同质结的电场可以部分补偿减弱的内建电场，使H-H电池的n受Ntr和Na的影响更小；在WFTCO、Dit、Ntr和Na的整个变化范围内，H-H电池都拥有着较优异的性能；基于对以上参数（极大地影响HIT性能）有着更好的容忍度，相信H-H电池为实现更稳定高效太阳电池提供了可能性。

摘要： Experiments Results and discussions Mechanism of the TiO2 photogradation Advantages Biological and chemical inertness，Enhancing photocatalytic properties and expanding light absorption of TiO2from the ultraviolet to the visible light region，Bandgap tailing engineeringCompositing with noble-metalDye sensitizationCoupling with narrow bandgap semiconductor。Enhanced visible light photocatalytic properties of TiO2thin films on the textured multicrystallinesilicon wafers，Photogradation Effect of a Multiple-unit Device Consisting of Silicon Solar cell and TiOx。

摘要： 本文以太阳电池片分档策略为研究背景，设计开发了一套基于Excel平台的自动优化分档程序，并基于该程序对传统分档策略的组件功率分布情况进行了仿真分析。实验结果表明，电池分档程序能够正确模拟实际的电池分档过程，并快速评估组件功率分布效果。基于电池分档程序，本文还研究了档位边界条件对组件功率分布的影响，为实现分档策略的自动优化提供了算法基础，从而达到有效提升组件功率分布效果的目的。

摘要： 本文通过在宽带隙掺杂层的微晶硅电池I/N界面之间插入合适带隙和厚度的n型a-Si:H界面层，则由本征层与宽带隙硅氧材料间的带隙不连续得以补偿，从而提高载流子收集，提高电池性能，最终得到初始效率高达10.54%的单结微晶硅太阳电池。

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池膜系，该膜系包括一个由第一非晶硅p-i-n结和第二非晶硅p-i-n结重叠设置的双结层p-i-n/p-i-n，所述第二非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层设置于所述第一非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上，所述第一非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P

摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法，包括：(1)将晶硅衬底浸入溶解有臭氧的清洗液中进行预清洗；(2)将步骤(1)所得晶硅衬底浸入碱性溶液中，以便在晶硅衬底的表面形成特定形貌的绒面结构；(3)将步骤(2)所得晶硅衬底浸入含有NH

摘要： 本发明是一种薄膜化合物太阳电池，其包括：电池主体；以及树脂膜，形成在电池主体的光接收侧的相反侧，此电池主体包括：太阳电池层叠体，由多个化合物半导体层构成；第一电极，形成于太阳电池层叠体的光接收侧的第一表面的一部分，且具有第一极性；第二电极，形成于太阳电池层叠体的光接收侧的与第一表面不同的第二表面，且具有第二极性；以及第三电极，形成于太阳电池层叠体的光接收侧的相反侧的表面的一部分，且具有第二极性；太阳电池层叠体包含具有PN结层的电池层与形成于此电池层的光接收面相反侧的表面的一部分的接触层；第三电极形成在接触层上。

摘要： 本发明提供了一种钙钛矿/晶体硅叠层太阳电池的电荷传输层，包括空穴传导层以及复合在空穴传导层上的自装配单层；所述电荷传输层为设置在晶体硅层与钙钛矿层之间的电荷传输层；所述电荷传输层中的空穴传导层位于晶体硅层之上；所述电荷传输层中的自装配单层位于钙钛矿层之下。本发明先在晶体硅层上制备了一层空穴传导层，再在其上制备一层自装配单层，组成双层空穴传输层，该双层空穴传输层设计结构在制备工艺，薄膜质量方面非常稳定，且界面能级匹配较好，制备的器件性能更加高效。

摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。

摘要： 本实用新型公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。

摘要： 本发明涉及一种多晶硅太阳电池光吸收增强结构、多晶硅太阳电池及其制备方法，该光吸收增强结构包括依次层叠的多晶硅绒面结构、介质纳米薄膜以及介质纳米小球，其中，所述介质纳米薄膜位于所述多晶硅绒面结构的绒面一侧，所述介质纳米小球单层分布于所述介质纳米薄膜的表面。该介质纳米小球对入射光角度不敏感，在宽广谱范围内能够对太阳光进行前向散射，增强电池对光的捕获，且介质纳米小球与介质纳米薄膜的配合使用，弥补了现有微米尺度绒面结构技术的光捕获能力较弱的劣势。另外，本发明的单层介质纳米小球集成方法简单，与现有的多晶硅绒面技术兼容性好，能够实现多晶硅太阳电池效率的有效提升。

摘要： 本发明涉及一种SE晶体硅太阳电池的向光面种子层浆料，所述向光面种子层浆料为含有70-85wt%金属功能粉体、2-10wt%无机玻璃粉和5-20wt%有机载体的混合物；所述金属功能粉体中含有球形纳米锑粉。本发明还提供了采用该种子层浆料制备晶体硅SE太阳电池片的方法以及由该方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的SE晶体硅太阳电池制备方法中，通过将向光面种子层浆料与传统向光面银导电浆料双重印刷与硅片正面后烧结，在正面银电极栅线下很好地形成选择性扩散区域，且电极与硅基体附着牢固，焊接强度高，电极的接触电阻小，填充因子高，使得本发明提供的SE晶体硅太阳电池的平均光电转换效率超过17.3%，且向光面电极制作成本得到有效降低。

摘要： 本发明涉及晶体硅太阳电池(100)，包含搭迭连接有PERC型的太阳电池单元(1)而成的太阳电池串(10)，太阳电池单元(1)具有：单晶硅衬底(2)、扩散层(3)、与扩散层(3)接触的第一采集电极(4)、与扩散层(3)及第一采集电极(4)接触的第一连接电极(5)、贯穿有开口部(70)的绝缘层(7)、与绝缘层(7)接触且经由开口部(70)与单晶硅衬底(2)连接的第二采集电极(8)、以及与第二采集电极(8)接触的第二连接电极(9)，第一连接电极(5)与第二连接电极(9)分离，在相邻的两个太阳电池单元(1)的重叠区域(11)的大半部分或整个区域，第二采集电极(8)与单晶硅衬底(2)隔着绝缘层(7)分离。

摘要： 本发明涉及一种多晶硅太阳电池光吸收增强结构、多晶硅太阳电池及其制备方法，该光吸收增强结构包括依次层叠的多晶硅绒面结构、介质纳米薄膜以及介质纳米小球，其中，所述介质纳米薄膜位于所述多晶硅绒面结构的绒面一侧，所述介质纳米小球单层分布于所述介质纳米薄膜的表面。该介质纳米小球对入射光角度不敏感，在宽广谱范围内能够对太阳光进行前向散射，增强电池对光的捕获，且介质纳米小球与介质纳米薄膜的配合使用，弥补了现有微米尺度绒面结构技术的光捕获能力较弱的劣势。另外，本发明的单层介质纳米小球集成方法简单，与现有的多晶硅绒面技术兼容性好，能够实现多晶硅太阳电池效率的有效提升。