微晶硅单结电池I/N界面的调控

摘要

本文通过在宽带隙掺杂层的微晶硅电池I/N界面之间插入合适带隙和厚度的n型a-Si:H界面层，则由本征层与宽带隙硅氧材料间的带隙不连续得以补偿，从而提高载流子收集，提高电池性能，最终得到初始效率高达10.54%的单结微晶硅太阳电池。