钝化工艺
钝化工艺的相关文献在1956年到2023年内共计511篇,主要集中在金属学与金属工艺、化学工业、电工技术
等领域,其中期刊论文99篇、会议论文86篇、专利文献544634篇;相关期刊66种,包括梅山科技、工具展望、洗净技术等;
相关会议68种,包括2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会、第四届广东铝加工技术国际研讨会、第13届中国光伏大会等;钝化工艺的相关文献由1180位作者贡献,包括潘增炎、石明、庄进等。
钝化工艺—发文量
专利文献>
论文:544634篇
占比:99.97%
总计:544819篇
钝化工艺
-研究学者
- 潘增炎
- 石明
- 庄进
- 赵科巍
- 张波
- 杨飞飞
- 谢成豪
- 赵辉
- 郭卫
- 丁莉峰
- 吕爱武
- 姚英
- 孙志昌
- 安成强
- 彭小强
- 徐斌
- 戴一帆
- 李冰
- 李松栋
- 李陈阳
- 杜泽霖
- 满瑞林
- 焦汝
- 牛宇岚
- 王毅
- 王道强
- 石峰
- 胡皓
- 范云鹰
- 赵晓红
- 郭丽
- 陈龙
- 鲁贵林
- 刘进
- 吴志祥
- 孙宇
- 尚书定
- 张之栋
- 徐相俊
- 方圆
- 朱忠良
- 李宁
- 李海旭
- 梁振伟
- 游正义
- 王宏
- 王晓捧
- 王雅晴
- 王颖
- 田志斌
-
-
孙晨航;
曹洋;
车晓宇
-
-
摘要:
单面钝化工艺为新兴工艺,其生产要求超出本钢电镀锌机组原有设计大纲,为实现其稳定供货就需要对电镀锌汽车油箱板生产工艺进行研究。本文从如何实现单面钝化工艺、如何优化提速后的单面镀工艺参数、如何提升未镀面质量等问题出发,研究形成一整套适用于本钢电镀锌机组的电镀锌汽车油箱板的生产技术、组织模式、产品规范和技术诀窍。
-
-
董子旭;
王万礼;
赵晓丽;
张馨予;
刘晓芳
-
-
摘要:
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工作频率高以及热稳定性好等特点。提出一款60 V平面栅VDMOS器件的设计与制造方法,开发出一种新结构方案,通过减少一层终端层版图的光刻,将终端结构与有源区结构结合在一张光刻版上,并在终端工艺中设计了一种改善终端耐压的钝化结构,通过使用聚酰亚胺光刻胶(PI)钝化工艺代替传统的氮化硅钝化层。测试结果表明产品满足设计要求,以期为其他规格的芯片设计提供一种新的设计思路。
-
-
李周平;
郭新茹;
任杰;
单润涛
-
-
摘要:
某热电厂14号机组配套锅炉四级过热器存在严重的氧化皮脱落问题,造成锅炉爆管事故,严重影响到了机组的安全性、经济性.通过使用化学清洗工艺,对清洗前后过热器管壁内情况进行分析研究,结果发现:清洗后各项指标符合DL/T 794-2012和T/CEC 144-2017的要求,并达到清洗质量的优良标准.
-
-
盛行;
马迎凯;
杨剑群
-
-
摘要:
为研究不同钝化工艺栅介质用SiO2薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1MeV的高能电子在辐照注量为 1×1015 e/cm2、5×1015 e/cm2和 1×1016e/cm2下对三种不同钝化工艺(I,700 nm SiN+500 nm PSG;Ⅱ,1.2μmSiN;Ⅲ,700nmPSG+500nmSiN)的SiO2薄膜进行了辐照试验.拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明Ⅰ和Ⅲ钝化工艺SiO2薄膜形成了非晶硅及双氧根离子,傅立叶红外光谱结果表明Ⅰ钝化工艺SiO2薄膜形成缺陷结构未知的A1、A2、B1及B2缺陷;Ⅱ钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1、及B1'缺陷;Ⅲ钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1'及B2缺陷.
-
-
盛行;
马迎凯;
杨剑群
-
-
摘要:
为研究不同钝化工艺栅介质用SiO_(2)薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1 MeV的高能电子在辐照注量为1×10^(15)e/cm^(2)、5×10^(15)e/cm^(2)和1×10^(16)e/cm^(2)下对三种不同钝化工艺(Ⅰ,700 nm SiN+500 nm PSG;Ⅱ,1.2μm SiN;Ⅲ,700 nm PSG+500 nm SiN)的SiO_(2)薄膜进行了辐照试验。拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明Ⅰ和Ⅲ钝化工艺SiO_(2)薄膜形成了非晶硅及双氧根离子,傅立叶红外光谱结果表明Ⅰ钝化工艺SiO_(2)薄膜形成缺陷结构未知的A_(1)、A_(2)、B_(1)及B_(2)缺陷;Ⅱ钝化工艺SiO_(2)薄膜形成A_(1)、B_(1)、及B_(1)缺陷;Ⅲ钝化工艺SiO_(2)薄膜形成A_(1)、B_(1)'及B_(2)缺陷。
-
-
阙子昂;
郝晓勇;
邵俊琪
-
-
摘要:
高纯锗材料价格昂贵,器件制备工艺流程长,因此在实验之前需通过仿真软件模拟半导体器件的物理特性,以提高实验效率,并降低成本。利用Silvaco TCAD软件的工艺仿真模块ATHENA对同轴型高纯锗探测器的表面钝化工艺进行模拟,模拟结果如图1所示。分析钝化层厚度对界面应力的影响,可为实验中工艺参数的设置提供一定的参考。
-
-
宋浩;
方圆;
李海旭;
王雅晴;
石云光;
孙宇
-
-
摘要:
抗硫腐蚀性能是镀锡板使用过程中的一项重要指标.本文研究了粗糙度和钝化工艺对大变形量镀锡板抗硫性能的影响.结果表明,粗糙度通过影响镀锡板与漆膜的结合力来影响抗硫性能,涂层烘烤固化过程中自由锡的氧化和Cr(OH)3的失水会导致镀锡板与漆膜的附着力变差.通过调节粗糙度、钝化液pH和钝化电荷密度可有效提高镀锡板的附着力性能和抗硫性能.三缩颈蛋白饮料罐抗硫性能主要控制点为粗糙度不能低于0.35μm,钝化工艺中钝化液pH为4.0左右,钝化电荷密度为1.0 As/dm2.
-
-
王宗雄1;
鲍新华1;
任吉华2
-
-
摘要:
黑色钝化有银盐和铜盐两类配方,含银盐的黑色钝化溶液又分为醋酸型和磷酸型,前者外观较好,而后者的耐蚀性较强。工艺流程:镀锌(最小厚度不小于8μm)→清洗→清洗→3%硝酸出光→清洗→钝化→热水封闭(CrO31g/L,T50~60°C,t2~3s)→离心甩干(或压缩空气吹干)→干燥。配制钝化液均用蒸馏水(纯水)。要达到优良的钝化膜,除有好的配方外,操作经验是关键。
-
-
王宗雄1;
鲍新华1;
任吉华2
-
-
摘要:
镀锌产业近年来不断面临新的挑战,主要表现在钝化工艺方面:钝化膜的颜色外观要求越来越靓丽和多样化,生产成本要求不断降低,镀锌层的防腐蚀能力不断提高,以及严格的环保条例限制。另一方面,这也促进了钝化工艺的发展和提高。
-
-
李立;
董少华;
冷国庆;
王耀华;
金锐
-
-
摘要:
高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参数和长期可靠性.简要介绍了研究背景和功率半导体器件的钝化机理,确定了适用于高压IGBT的表面钝化方案,通过聚酰亚胺钝化层工艺开发最终实现了设计目标,生产出的IGBT器件通过了1000 h的HTRB和H3TRB可靠性考核.
-
-
-
-
-
-
王德君
- 《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》
| 2015年
-
摘要:
宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率和低损耗等优异性能,在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具有广泛应用,成为当前广为关注的绿色环保型电子材料.采用大连理工大学具有自主知识产权的设备及技术,攻克MOS界面缺陷结构、钝化工艺及欧姆接触技术等多项关键技术和理论难题,取得研究进展,指出今后将继续研究新型界面缺陷及其钝化问题,尤其是浅施主界面态问题;表面缺陷及其钝化问题,尤其是碳团簇问题;氧化与缺陷问题,尤其是氧化的细致研究;缺陷与器件可靠性、高电场效应与器件可靠性;表面清洗、欧姆电极、氧化、MOS界面钝化等新技术的可靠性研究及实用化开发。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 南通华灿电讯科技有限公司
- 公开公告日期:2022-11-11
-
摘要:
本发明公开了一种铝合金表面处理用钝化液及钝化工艺,该钝化液的组成为:改性丙烯酸树脂溶液40‑160g/L,功能化介孔二氧化硅纳米微球4‑32g/L,钼酸钠5‑20g/L,1.5‑6g/L,碳酸锆铵15‑30g/L,乙烯基三乙氧基硅烷1.5‑4.5g/L,溶剂为去离子水。本发明以改性丙烯酸树脂为主要成膜物质,复配钼酸盐、磷酸盐,提供了一种无铬的铝合金表面处理用钝化液及钝化工艺,形成的钝化膜能够媲美铬酸盐钝化膜,并具有优于铬酸盐钝化膜的环保性能。本发明中通过添加功能化介孔二氧化硅纳米微球,使得形成的钝化膜还具有常规丙烯酸树脂钝化膜所缺乏的自愈性,从而能够为铝合金基体提供更强的耐蚀保护性能。
-
-
-