激光退火

摘要： 激光退火技术有热预算低、瞬间温度高的特点,其温度场特性是材料电学性能的重要表征参数。准确实时测量瞬态小温度场对整体退火工艺过程的把控具有重要的参考价值。辐射测温法通过收集样品辐射光谱中特定波段的能量来实现温度的非接触在线测量,具有响应快、测温范围宽等特点。提出了一种基于InGaAs红外光电二极管的双色辐射测温系统设计方案,采用波长积分法对该测温系统进行精确标定,单波段带宽可达350 nm,能够对小于0.01 mm^(2)的小视场进行稳定快速测量。去除标定热台稳定性后的测温重复性最大仅为0.05%oR(of reading,读数精度),精度小于1%,远超同类高温测量设备。在此基础上,结合有限元法热仿真结果,提出一种基于单个光电二极管测量温度场分布的方法,讨论了最高温度与读数温度之间的关系,为工艺参数评估提供了重要的数据支撑。

摘要： 目前,激光退火技术被广泛应用于半导体加工领域,但对如何选择激光条件进行相应的退火并没有系统清晰的准则可以参考,尤其是在硅的深注入杂质激活方面。本文通过对激光照射在硅晶圆上形成的温度场分布进行数值模拟研究,分析了激光波长和脉冲宽度对加热深度以及晶圆背面温度的影响。结果表明,延长激光波长或脉冲宽度,都有助于增加激光退火的加热深度。而对于特定的激活深度需求,存在着最优的激光波长和脉冲宽度组合,可以使退火所需要的激光脉冲能量最低,硅晶圆背面的温升最小。本文通过模拟仿真给出了激活深度在1~10μm范围内的最优波长和脉宽值,可为实现高效的深硅注入激光激活工艺提供重要的条件参考。

摘要： 基于硅(Si)中高能注入磷(P)的连续激光退火方法展开研究。采用的P离子最高注入能量为10 MeV,在Si中的注入深度可达7μm。分别采用532 nm和808nm波长的连续激光退火,照射时间分别为2 ms和2.7 ms。结果显示,虽然532 nm激光在Si中的穿透深度只有1.25μm,不到808 nm激光的1/10,但由于照射时间较长,热传导起到主要作用。因此,两种退火方案都可以实现整个注入深度的有效激活。532 nm连续激光退火实现了93%的激活效率,808 nm激光退火的激活效率接近100%。

摘要： 未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增长,摩尔定律的发展可以看作是栅极沟道尺寸不断缩小的过程,其CMOS电路制备工艺中快速热退火RTP技术的热预算和温度控制的局限性不能满足其制作需求,而更加精确的温度控制与更高热预算特性的激光退火技术必将在CMOS先进器件中具有广阔的前景.

摘要： 分析碳化硅肖特基接触工艺和欧姆接触工艺技术发展历程,目前存在的问题。碳化硅肖特基接触工艺的发展特征是低势垒高度金属逐渐替代高势垒高度金属,研究发现这与器件应用场景的进化和碳化硅工艺技术水平的发展直接相关。随着更多器件结构设计的引入,碳化硅P型欧姆接触已经变得和N型欧姆接触同等重要。阐述碳化硅金属半导体接触工艺未来优化的方向。

摘要： 分析碳化硅肖特基接触工艺和欧姆接触工艺技术发展历程,目前存在的问题.碳化硅肖特基接触工艺的发展特征是低势垒高度金属逐渐替代高势垒高度金属,研究发现这与器件应用场景的进化和碳化硅工艺技术水平的发展直接相关.随着更多器件结构设计的引入,碳化硅P型欧姆接触已经变得和N型欧姆接触同等重要.阐述碳化硅金属半导体接触工艺未来优化的方向.

摘要： 未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增长,摩尔定律的发展可以看作是栅极沟道尺寸不断缩小的过程,其CMOS电路制备工艺中快速热退火RTP技术的热预算和温度控制的局限性不能满足其制作需求,而更加精确的温度控制与更高热预算特性的激光退火技术必将在CMOS先进器件中具有广阔的前景。

摘要： 本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退火技术结合,提高多晶硅薄膜晶体管性能,进行了深入的探讨和研究.该薄膜晶体管在优化的激光能量下退火,可以使得场效应迁移率增加近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与激光退火条件密切相关,并成规律性变化.

摘要： 利用脉冲YAG激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火，分析不同能量密度的激 光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验表明，激光能量密度越大，激光退火的效果越明显。研究人员们认为要达到理想退火效果，样品表面一薄层需处于近熔化状态，以得到晶格结构的重新组织。

摘要： 本发明能使激光退火处理中使用的脉冲激光的脉冲波形稳定，从而实现均匀的退火处理。本发明的激光退火处理装置包括：气体激发脉冲激光振荡器；以规定的衰减率使从气体激发脉冲激光振荡器输出的脉冲激光透过的可变衰减器；将透过可变衰减器后的脉冲激光引导至被处理体的光学系统；以及进行第一控制的控制部，该第一控制对所述气体激发脉冲激光振荡器的所述脉冲激光的输出值进行调节，控制部进行第二控制，该第二控制根据气体激发脉冲激光振荡器内的气体劣变，使由第一控制所调节的所述输出值下降，并减小可变衰减器的衰减率，从而抑制脉冲波形的变化，消除每个脉冲的不均。

摘要： 设置有多个支承部(4)，该多个支承部在被处理体的下表面侧的多个部位对所述被处理体进行支承，所述被处理体由激光进行相对扫描并被从上表面侧进行照射，多个支承部(4)构成为以下结构：即，在相对扫描并照射所述线光束激光(150)时，能分别独立地切换所述支承和解除所述支承的动作，随着线光束激光(150)的相对扫描，依次解除相对于包括激光的照射区域(110)的被处理体的局部区域(111)的支承，并且随着照射区域(110)的移动，线光束激光(150)的照射完成，依次重新支承解除了所述支承的局部区域(112)，从而在进行激光退火处理时，能消除设置于被处理体背面侧的衬套梢或吸附槽等的影响而均匀地进行退火处理。

摘要： 本发明提供一种激光退火装置(1)，对被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理，包括将被处理体(100)在一定方向上连续传送的连续传送路径(2)、对在连续传送路径(2)传送的被处理体(100)照射激光(42)的激光照射单元，连续传送路径(2)具备在连续传送路径(2)的上游侧搬入被处理体(100)进行传送的搬入传送路径(2a)、在搬入传送路径(2a)的下游侧传送被处理体(100)并向被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理的照射区域传送路径(2b)、以及在照射区域传送路径(2b)的下游侧将经过退火处理后的被处理体(100)传送并搬出的搬出传送路径(2c)。

摘要： 本发明能使激光退火处理中使用的脉冲激光的脉冲波形稳定，从而实现均匀的退火处理。本发明的激光退火处理装置包括：气体激发脉冲激光振荡器；以规定的衰减率使从气体激发脉冲激光振荡器输出的脉冲激光透过的可变衰减器；将透过可变衰减器后的脉冲激光引导至被处理体的光学系统；以及进行第一控制的控制部，该第一控制对所述气体激发脉冲激光振荡器的所述脉冲激光的输出值进行调节，控制部进行第二控制，该第二控制根据气体激发脉冲激光振荡器内的气体劣变，使由第一控制所调节的所述输出值下降，并减小可变衰减器的衰减率，从而抑制脉冲波形的变化，消除每个脉冲的不均。

摘要： 本发明提供一种退火被处理体的制造方法、激光退火基台和激光退火处理装置。其中，被处理体的制造方法对被处理体照射激光来进行所述被处理体的退火，包括：支承被处理体的支承步骤；以及对支承的被处理体照射所述激光的照射步骤，所述支承步骤中，至少在对所述被处理体照射激光的照射区域中，利用通过旋转位置调整上端高度位置的凸轮构件来对所述被处理体进行支承。

摘要： 设置有多个支承部(4)，该多个支承部在被处理体的下表面侧的多个部位对所述被处理体进行支承，所述被处理体由激光进行相对扫描并被从上表面侧进行照射，多个支承部(4)构成为以下结构：即，在相对扫描并照射所述线光束激光(150)时，能分别独立地切换所述支承和解除所述支承的动作，随着线光束激光(150)的相对扫描，依次解除相对于包括激光的照射区域(110)的被处理体的局部区域(111)的支承，并且随着照射区域(110)的移动，线光束激光(150)的照射完成，依次重新支承解除了所述支承的局部区域(112)，从而在进行激光退火处理时，能消除设置于被处理体背面侧的衬套梢或吸附槽等的影响而均匀地进行退火处理。

摘要： 本公开关于一种激光退火装置及激光退火系统。涉及激光退火技术领域。激光退火装置包括激光发射器、补偿机构和出光镜组。补偿机构包括分光组件、第一翻转组件、第二翻转组件和光路引导组件；分光组件用于将激光发射器发射的激光至少分为第一光束和第二光束；第一翻转组件和第二翻转组件用于将第一光束进行不同方向上的翻转。出光镜组光路引导组件用于引导第一光束在依次经过第一翻转组件和第二翻转组件后照射至出光镜组，以及引导第二光束照射至出光镜组，并与翻转后的第二光束叠加。

摘要： 本公开一些实施例提供了一种激光退火窗装置及激光退火设备，涉及显示技术领域，用于改善激光退火工艺的工艺质量，以及提高激光退火窗装置的使用寿命。所述激光退火窗装置包括壳体、光学镜组和至少一个驱动结构。壳体围成容纳腔。光学镜头设置于容纳腔内；光学镜头沿第二方向延伸，光学镜头沿第三方向的尺寸小于容纳腔沿第三方向的尺寸。第一方向垂直于参考面；第二方向平行于参考面；第三方向平行于参考面，且垂直于第二方向。沿第三方向，驱动结构设置于光学镜头的一侧，被配置为驱动光学镜头在容纳腔内沿第三方向运动。本公开一些实施例提供的激光退火窗装置及激光退火设备用于制备显示面板。

摘要： 本发明提供一种激光退火装置和一种激光退火方法。所述激光退火装置包括振镜模块、聚焦模块和匀光整形模块，振镜模块包括振镜，入射至振镜模块的激光束通过振镜的转动改变出射位置，聚焦模块对从振镜模块出射的激光束进行聚焦，匀光整形模块具有至少一个自由度，通过改变匀光整形模块在所述自由度上的位置以调节所述光斑的像质。通过调整匀光整形模块在所述自由度上的位置，便于调节光斑的像质，从而可以改善由于振镜扫描角度变化引起的光斑形变及像质变差的现象。所述激光退火方法通过调整各个视场点的光斑的像质，以提高激光退火效果。

摘要： 本发明涉及一种激光退火装置，根据一实施方式，该激光退火装置包括：激光光源；退火光学系统；沿Y方向的线状的照射区域；移动机构，其被配置成使相对于基板的所述照射区域的相对位置沿着X方向变化；照明光源，其被配置成产生用于沿第三方向照明所述基板的照明光；以及检测器，其被配置成检测在被所述照明光照明的基板上在第四方向上反射的检测光，以在沿Y方向的线状的视野中拍摄所述基板的被退火的部位。在YZ平面图中，所述第三方向从竖直方向倾斜，并且所述第四方向从竖直方向倾斜。此外，本发明还涉及一种激光退火方法以及一种用于制造半导体设备的方法。