晶化

摘要： 目的探究激光焊接参数对非晶合金焊接接头的组织演变、焊缝成形、晶化程度等的影响规律,以及控制接头晶化的有效途径。方法采用碟片激光器对Zr_(58)Nb_(2.76)Cu_(15.46)Ni_(12.74)Al_(10.34)Y_(0.5)非晶合金进行激光焊接,对比分析不同激光功率下,焊接速度对接头熔宽和晶化组织形成的影响规律,并对接头各区域微观组织特征及硬度分布进行测试分析。结果非晶合金激光焊接接头成形良好,焊缝区组织整体为非晶,存在少量纳米晶,热影响区则发生明显晶化现象。当功率为1200 W时,逐渐提升焊接速度,接头晶化率由28.9%降到13.76%,熔宽由2.04 mm收窄至1.8 mm。当功率为4500 W时,逐渐提升焊接速度,接头晶化率从9.99%下降为7.47%,焊缝晶化现象消失,熔宽从1.10 mm降到0.98 mm。结论调节关键焊接参数可实现焊缝区晶化现象的消失,使热影响区晶化程度降低。大激光功率以及高焊接速度更有利于形成熔宽小、晶化程度低的焊接接头。焊缝区硬度与母材基本保持一致,热影响区由于发生晶化,硬度最高。

摘要： 综述了近年来冷喷涂制备非晶合金涂层的现状,总结了喷涂工艺参数对铁基、铝基、铜基及镍基等非晶合金涂层制备的影响,详细阐述了涂层晶化及沉积机制,并在冷喷涂涂层硬度、耐磨及防腐性能等方面进行了归纳,最后对冷喷涂技术在非晶合金制备的发展趋势进行了展望。

摘要： 为了高效资源化利用铜火法冶炼过程的铜熔渣固体废弃物,研究了直接熔融调控−控温冷凝注模成型制备陶瓷材料的影响因素。结果表明:直接熔融炭热还原分离出铜熔渣中部分有价金属铁、并有效控制熔渣中的组分比例,为熔渣陶瓷化提供了原料的基础条件,控温冷却能有效控制熔渣冷凝过程中的晶粒生长和晶粒化程度。控温冷却的过程如下,先以1~10°C/s的冷却速率快速冷却至退火温度500°C时保温2 h,再以10°C/min的升温速率升温至最佳晶化温度900°C时保温5 h,随着炉温冷却至室温,从而制得成型玻璃陶瓷;制备的成型玻璃陶瓷结构致密且平整度良好,抗弯强度可达42.5 MPa,抗压强度达到165.8 MPa。

摘要： 采用铜模吸铸法制备了块体ZrTiNiCuBe高熵非晶合金,研究了高熵非晶合金的结构、热稳定性及晶化动力学行为。研究结果表明,所制备的合金为单一非晶态,具有较强的玻璃形成能力与热稳定性,且玻璃转变与晶化均表现出明显的动力学效应。高熵非晶合金表现出过冷液相区窄、晶化区宽的迟滞缓慢晶化特性。该实验项目的综合性强,涉及材料设计、材料制备、表征和晶化等多方面知识点,能够培养学生的科学研究思维以及分析判断、逻辑推理、归纳总结等方面能力,有助于毕业要求的达成。

摘要： 本文以大宗工业固废赤泥和粉煤灰为原料,通过两步法制备陶粒基多级孔沸石材料,探讨了陶粒烧制过程赤泥用量和水热反应过程碱液浓度对沸石产物的影响规律,进而揭示沸石在陶粒上的晶化生长机制。结果表明,在试验条件下,赤泥用量和碱液浓度主要影响反应体系中Si、Al的溶解;沸石在陶粒表面晶化生长遵循液相转变机理,过程可以概括为溶解→成核→生长→沉积。

摘要： 通过对高岭土筛分后与氢氧化钠混合物进行焙烧,以及水热合成法晶化,最终得到纯度较高的4A分子筛。采取X射线衍射法、扫描电镜等对制备得到的偏高岭土、分子筛产物进行表征,探究其结构、形貌等参数是否达到实验预期。实验最终确定高岭土制备4A分子筛的最佳合成条件为:培烧温度700°C,焙烧保温时间2h,碱化温度50°C,碱化时间48h,晶化温度90°C、晶化时间6 h。

摘要： 非晶合金因其特殊的非晶态微观结构而具有优异的性能,在产品微小型化、精密化方面已经展现出极具诱惑力的应用前景。但是,非晶合金在热力学上为亚稳态,极易因热作用而发生不可逆的晶化,导致其优越性能丢失,而且,大部分非晶合金在室温下硬度高、脆性大且表面极易钝化成膜,这严重限制了它的广泛应用。通过综合国内外文献资料,介绍了非晶合金微小零件超塑性成形、精密/超精密切削、微纳尺度3D打印、激光/微细电火花加工以及微细电解加工的最新研究进展,分析了现有制造技术的优缺点及非晶合金微成形与加工的难点,并指出非晶合金微小零件制造技术未来发展的重要方向。

摘要： 沸石分子筛是一类多孔材料,因其具有有序的孔道结构、高的水热稳定性以及独特的催化活性,作为一种优异的固体催化剂广泛应用于化学工业中。沸石分子筛在制备过程需要使用含硅、铝的化工原料以及价格昂贵且有毒害的有机模板剂。投入使用前需要通过煅烧去除有机模板剂,不但会产生污染环境的NO_(x)化合物与温室气体CO_(2),而且会提高分子筛的合成成本。此外,沸石分子筛的晶化时间长达数天,造成极大能源损耗。因此,如何绿色高效地合成沸石分子筛材料意义重大。主要从合成原料和合成方法两方面阐述沸石分子筛的绿色高效合成,就其存在问题进行讨论,并对其未来发展进行展望。

摘要： 使用激光焊接的不同参数对锆基非晶合金进行焊接。焊接的功率和焊接的速度对焊接接头影响较大,因此本实验主要使用控制变量法对非晶合金的焊接工艺进行探究和优化,分别采用不同的焊接功率和焊接速度对非晶合金进行焊接,然后对焊接接头进行拉伸测试、X射线衍射、显微硬度测试、扫描电镜和显微金相观察等测试,对最优良的一组结果进行分析。经过测试,发现当焊接功率为1100W,焊接速度为0.03m/s时得到的焊接接头整体性能较好,文章最后提出对焊接接头晶化的控制的办法。

摘要： 基于无溶剂法合成沸石材料的绿色环保优势,以稻壳灰(RHA)为原料,替代化学试剂,采用无溶剂法合成钙霞石材料。稻壳灰经550°C焙烧除炭后,在晶化温度为100°C,Na_(2)CO_(3)·10H_(2)O与SiO_(2)摩尔比为0.4,晶化48 h条件下,合成了高结晶度的钙霞石吸附材料。采用X射线衍射(XRD)仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)仪、扫描电子显微镜(SEM)与材料孔性质检测分析(BET)仪等对产物的形态和结构进行测试。通过废水Hg^(2+)吸附分离试验研究合成的钙霞石的吸附性能。结果表明,当吸附剂用量为300 mg时,钙霞石对50 mL 10 mg/L汞废水中汞的去除率达到61.98%,较原料稻壳灰增加2.43倍。

摘要： 材料的改性研究已经成为当今材料科学的主要发展方向之一。其中，选择性置换固溶是一种重要的改性手段。本文在详细了解化学剂量组成纯堇青石微晶玻璃的晶化行为及红外辐射性能的基础上，运用DTA、XRD、SEM等现代分析手段系统研究了过渡金属离子Zn2+掺杂对堇青石微晶玻璃的晶化行为及红外辐射性能的影响，研究通过异质离子固溶来提高堇青石微晶玻璃的红外辐射性能，为开发与研制新型高辐射率红外材料提供理论与技术基础。研究结果表明：Zn2+固溶到堇青石晶体结构中显著提高了微晶玻璃的红外辐射性能，其法向全波段的辐射率达到0.90以上。ZnO掺杂促进了α-堇青石的析出，抑制μ-堇青石的形成。

摘要： 设计了两种成分合金Al89Fe8Si2Zr和Al90Fe7Si2Zr,采用熔体旋淬(Melt-Spinning)的方法以不同的辊面切线速度制备出合金薄带,通过XRD、TEM、DSC等手段对样品进行分析检测,考察了元素及冷却速度对非晶形成能力的影响,并对非晶的晶化进行了初步研究.

摘要： 采用非等温差示扫描量热分析方法,结合X射线衍射和红外光谱,研究了Al1.49Si1.45Zr0.26(TiCaMg)0.37O6.43非晶晶化动力学.结果表明:非晶在1223～1273K附近发生了四方氧化锆的析出反应,析晶活化能为518～538kJ/mol;在1423～1473K附近发生了莫来石和方石英的析出反应,其析晶活化能为522～545kJ/mol,且氧化锆的存在能有效地降低莫来石的析晶活化能.

摘要： 在充分吸收浇注法和烧结法优点的基础上提出一种制备矿渣微晶玻璃的新方法。并以钽铌尾矿为主要原料，利用DTA、XRD和SEM等测试方法研究了工艺参数对晶化过程、晶相组成、显微结构的影响。结果表明，采用新方法制备微晶玻璃在试验上是可行的，水淬玻璃加人量和热处理制度的变化会影响玻璃的析晶转变过程和微晶玻璃的微观结构。

摘要： 借助差热分析、X 射线衍射、扫描电镜等现代分析测试手段,分析研究CaF2 作为玻璃晶化的晶核 剂对整体析晶法制备CaO-Al2O3-SiO2 系统微晶玻璃晶化行为的影响.研究表明,CaF2 能有效促进 CaO-Al2O3-SiO2系统玻璃的整体析晶,晶核剂质量浓度不同对玻璃析晶的影响不同,对微晶玻璃性能影响也不同.

摘要： 作为一种高温耐热轻质合金,TiAl合金具有极为重要的应用价值。其中对于合金晶化过程的理论研究,可以深入了解晶化的微观机理,进而有助于调整控制工艺条件得到所期望的组织结构.本工作基于嵌入原子模型(Embedded Atom Method,EAM)的分子动力学模拟研究熔融TiAl合金在不同的冷却过程中局域结构的变化.研究中使用对分析技术等描述在冷却过程中微观结构的演化.模拟结果表明,不同的冷却过程极大的影响最终所得到的TiAl合金微观结构.

摘要： 用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si基体上,沉积了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,随后对其进行常规晶化和快速晶化,用XPS,GXRD和AFM研究了薄膜表层的结构特征.XPS表明,常规晶化的BST薄膜表层约3nm～5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST,随着温度的升高该厚度增加;而快速晶化时,该厚度减薄至1nm内,随着温度的升高没有明显增厚.元素的化学态表明非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的含碳污染物(如CO2等),而与吸附的其他元素(如吸附氧等)对表层的影响有关.GXRD和AFM表明,致密的表面结构能有效地阻止吸附元素在BST膜体中的扩散,从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度.

摘要： 本文在Ni-P-化学复合镀工艺的基础上,探索加入纳米金刚石粒子作为硬质点的Ni-P-纳米金刚石共沉积复合镀新工艺技术.进行Ni-P-纳米金刚石非晶态复合镀层的晶化转变过程、及其硬度和耐磨性等的研究,并与Ni-P化学镀层、Ni-P-微米金刚石复合镀层的性能进行比较.结果表明,Ni-P-纳米金刚石共沉积复合镀中,最佳的金刚石添加量为12g/l.复合镀层为非晶态,300°C时镀层开始晶化.随时效温度升高,镀层的显微硬度逐渐升高,到400°C达到峰值,而后因弥散相聚集长大粗化导致硬度下降,复合镀层的耐磨性也随着硬度的变化而变化。

摘要： 用磁控溅射法制备了Cu-SiC复合薄膜，研究了Cu掺杂SiC薄膜的微观结构和磁性，沉积态样品都是抗磁性的，随着退火温度的升高，样品出现从抗磁性到铁磁性的转变。进一步升高退火温度，当达到800°C时，样品铁磁性最强。在800°C下，随着Cu掺杂含量的增加，饱和磁化强度明显增加，Cu的掺杂含量为3 at.％时，样品具有最大饱和磁化强度为2.3 emu／cm3。通过第一性原理计算发现Cu掺入后，C的p轨道和Cu的d轨道之间存在强烈p-d耦合，使电子产生了自旋劈裂，体系的磁矩主要局域在C原子的2p轨道。

摘要： 用磁控溅射法制备了Cu-SiC复合薄膜，研究了Cu掺杂SiC薄膜的微观结构和磁性，沉积态样品都是抗磁性的，随着退火温度的升高，样品出现从抗磁性到铁磁性的转变。进一步升高退火温度，当达到800°C时，样品铁磁性最强。在800°C下，随着Cu掺杂含量的增加，饱和磁化强度明显增加，Cu的掺杂含量为3 at.％时，样品具有最大饱和磁化强度为2.3 emu／cm3。通过第一性原理计算发现Cu掺入后，C的p轨道和Cu的d轨道之间存在强烈p-d耦合，使电子产生了自旋劈裂，体系的磁矩主要局域在C原子的2p轨道。

摘要： 化合物(1)的晶型、其溶剂化物、其溶剂化物的晶型以及它们的制备方法，还包括所述晶型在制备治疗与TNFα相关疾病药物中的应用。

摘要： 提供一种评价非晶合金薄带的脆化的方法和非晶合金薄带脆化评价用试验装置。一种评价非晶合金薄带的脆化的方法，在非晶合金薄带的多个位置从一面侧按压加压构件，使通过按压上述加压构件而形成了的压痕的加压部散布在上述非晶合金薄带中，利用发生破裂的加压部的数量或分布对脆化进行评价。

摘要： 本发明公开了一种晶圆背面金属化的方法及晶圆背面金属化结构，该方法是以钛镍合金为金属源锭，在晶圆背面的钛金属层和银金属层之间制备钛镍合金层，形成Ti‑Ti/Ni‑Ag金属层。本发明晶圆背面金属化的方法，以钛镍合金为金属源锭，替代常规的金属镍，在满足背面金属热膨胀系数的前提下，也能够从根本上避免镍沉积过程中发生溅源的可能，从而能够提高产品的良率，同时，通过预熔化处理也能显著减少抽真空所需时间，从而有利于提高产品的生产效率，对于促进功率半导体器件的广泛应用具有十分重要意义。

摘要： 本发明公开了一种模块化晶圆加工设备及模块化晶圆加工组件，包括，一个基板；一个驱动机构；一个真空发生机构；一个通信机构，所述驱动机构、所述真空发生机构以及所述通信机构分别安装于所述基板，并且所述通信机构分别可工作地连接于所述驱动机构和所述真空发生机构，控制信息适于通过所述通信机构传输至所述驱动机构和所述真空发生机构，所述驱动机构和所述真空发生机构的状态信息适于通过所述通信机构向外传输。所述模块化晶圆加工组件采用模块化的安装方式，能够便于晶圆加工设备的维护。

摘要： 公开了用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法。将光学掩模定位在第一半导体晶圆上方。通过将来自光源的光引导穿过光掩模的透明区域来图案化第一半导体晶圆的第一区域。通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化第一半导体晶圆的第二区域，其中第二区域的图案化包括直射束写入。本发明的实施例还涉及通过工艺生产的图案化的半导体晶圆和在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法。

摘要： 本发明提供一种玻璃料、晶化玻璃和该晶化玻璃的制造方法，所述玻璃料能够形成安全、离子传导率高、可以得到例如即使用于车载也足够实用的离子传导率、且对电极面的追随性优异的固体电解质。一种玻璃料，其包含玻璃，所述玻璃含有Li、选自由B、Si、P、Ge和Te构成的组中的至少一种、O、以及选自由F、Cl、Br和I构成的组中的至少一种，所述玻璃料的特征在于，所述玻璃为通过在玻璃化转变温度以上且玻璃结晶温度以下的温度下的热处理而析出晶相从而成为包含非晶相和晶相的晶化玻璃的玻璃，并且在使用Cu‑Kα射线而得到的所述晶化玻璃的粉末X射线衍射图案中，在2θ＝22.8°±0.5°、2θ＝32.1°±0.5°和2θ＝39.6°±0.5°处显示出衍射峰。

摘要： 本发明涉及Li2O－Al2O3－SiO2系微晶性玻璃、Li2O－Al2O3－SiO2系透明和不透明微晶玻璃及其制造方法。其特征在于最少含有Li2O、Al2O3及SiO2的锂系(Li2O－Al2O3－SiO2)系微晶玻璃。其中之一，以β－石英固溶体(Li2O－Al2O3－nSiO2 n≥2)为主结晶析出之Li2O－Al2O3－SiO2系透明微晶玻璃；另一以β－锂辉石固溶体为主结晶析出之Li2O－Al2O3－SiO2的不透明微晶化玻璃。本发明提供一种可于低温溶融、成形及微晶化之Li2O－Al2O3－SiO2系微晶体玻璃、透明微晶玻璃、不透明微晶玻璃组成及其制造方法。

摘要： 一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。

摘要： 本发明适用于玻璃晶化技术领域，提出一种晶化炉轴承座、玻璃晶化炉及玻璃热处理方法，包括炉体、内腔、热交换器、循环组件；炉体为中空且密闭的筒体；内腔为两端开口的中空筒体，内腔固定于炉体内，内腔与炉体的侧壁之间形成有过风通道，内腔内固定连接有导轨；循环组件包括驱动装置、轴承座和叶片，驱动装置固定于炉体外侧，轴承座固定于炉体内壁面，叶片固定于驱动装置的另一端，叶片位于内腔内；热交换器固定于内腔内部；本申请利用内外腔室的设计配合叶片实现炉体内部空气的流通循环，从而保证了炉体温度的均匀，实用性强。

摘要： 本发明提供一种玻璃料、晶化玻璃和该晶化玻璃的制造方法，所述玻璃料能够形成安全、离子传导率高、可以得到例如即使用于车载也足够实用的离子传导率、且对电极面的追随性优异的固体电解质。一种玻璃料，其包含玻璃，所述玻璃含有Li、选自由B、Si、P、Ge和Te构成的组中的至少一种、O、以及选自由F、Cl、Br和I构成的组中的至少一种，所述玻璃料的特征在于，所述玻璃为通过在玻璃化转变温度以上且玻璃结晶温度以下的温度下的热处理而析出晶相从而成为包含非晶相和晶相的晶化玻璃的玻璃，并且在使用Cu‑Kα射线而得到的所述晶化玻璃的粉末X射线衍射图案中，在2θ＝22.8°±0.5°、2θ＝32.1°±0.5°和2θ＝39.6°±0.5°处显示出衍射峰。