场发射显示器

摘要： 近年来来，半导体发展十分迅速，在各大行业中得到了广泛的应用，尤其是在平板显示器中的应用。本文着重分析了有源矩阵液晶显示器、场发射显示器和发光二极管显示器的研究进展,并介绍他们工作的基本原理，以及结构，并对未来发展的方向进行展望，以供参考。

摘要： 美国国家航空航天局（NASA）兰利研究中心采用新工艺制备出了具有均一尺寸的碳纳米管。制备的碳纳米管可用于制造电子场发射源、平板或场发射显示器等电子器件，也可用于生产高强度、轻质、多功能复合结构的功能添加剂。

摘要： 本文为了实现碳纳米管场致发射显示器（CNT-FED）的产品化，采用CNT-FED阴极电流源驱动方法，研究了CNT-FED亮度的均匀性和非线性调节问题。从分立元件驱动电路设计原理出发，采用了高稳定性阴极电流源像素驱动电路，将电流源驱动电路预先制作在硅基底上，再利用室温下生长碳纳米管（CNT）的方法，将CNT发射体和电流源驱动电路集成在同一硅衬底上，最终实现了集成CNT-FED驱动电路的设计。该驱动电路解决了CNT-FED亮度均匀性和非线性调节问题，对场射显示器驱动电路的应用研究和CNT-FED驱动电路的集成化具有参考意义。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/276357.htm

摘要： YVO4∶Tm3+ nanophosphors were synthesized by solvothermal method. X-ray diffraction ( XRD) , transmission electron microscope ( TEM) , ultraviolet analyzer, ultraviolet-visible ( UV-Vis) absorption spectra, and photoluminescence ( PL) spectra were used to characterize and analyze the nanophosphors. The experiment results show that YVO4∶Tm3+ nanophosphors have bright blue light emission with high color purity and luminescence intensity, and have good thermal stability properties. Therefore, YVO4∶Tm3+ nanophosphors are very suitable phosphors for field emission display.%采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Tm3+纳米荧光粉,并用X射线衍射仪( XRD)、透射电子显微镜( TEM)、紫外分析仪、紫外可见( UV-Vis)吸收光谱和光致发光( PL)光谱对YVO4∶Tm3+纳米荧光粉进行测试和表征。实验结果表明,YVO4∶Tm3+纳米荧光粉可发出明亮的蓝光,色纯度和发光强度都很高,而且具有良好的热稳定性。因此,YVO4∶Tm3+纳米荧光粉是一种十分适用于场发射显示器的荧光粉。

摘要： 碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料。本文概述了碳纳米管的特性、分类及制备；介绍了碳纳米管场发射平板显示器的结构、工作原理及制备，分析了碳纳米管场发射平板显示器的优缺点，针对其缺点提出了一些改进的思路并对其发展趋势作了展望。%Carbon nanotube is considered as an ideal ifeld emission cathode material for its good electron emission characteristic.This paper describes the characteristics,classiifcation and preparation of carbon nanotube,introduces the structure,working principle and preparation of carbon nanotube field emission flat panel display,analyzes the advantages and disadvantages of it,puts forward some improvement ideas,and prospects its development trend.

摘要： 碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高压驱动电路在整个显示系统中占有非常重要的地位,该高压驱动电路的设计优化和制作不但直接影响显示效果,甚至决定着整机的价格,本文结合碳纳米管显示器研制过程中对高压驱动电路的需要,对比分析了已有几种高压驱动电路的结构特点,设计了基于CMOS电路结构的高压驱动电路,电路全部由高压和低压MOSFET组成,从而达到降低功耗、提高速度、并利于实现单片集成的目的.用SPICE电路仿真软件验证所设计电路具有正确的逻辑功能,并对电路结构和器件参数进行优化.在此基础上,通过制作电路板,并实测电路的频率响应符合设计要求.用所制作电路板驱动系统驱动我们制作的5英寸单色碳纳米管阴极场发射平板显示屏,显示效果良好.

摘要： 碳纳米管场发射显示器（CNT．FED）在便携式显示器领域具有广泛应用前景。本文分析了CNT．FED的驱动原理，针对其阴极是阵列式结构且需要较高电极驱动电压的特点，利用单片机AT89C51，点阵式液晶显示控制器芯片HD61830，高压驱动芯片HV507设计了CNT．FED（64X64）的驱动电路，刷新频率大于100frame／s，驱动电极电压最高可达300V。

摘要： 模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器.采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数.取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54 mm×54 mm的单色显示屏.在阳压为1500 V、栅压为300 V时,器件发射电流密度达到5μA/c㎡.该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示.

摘要： 场发射显示器(FED)是近几年新发展起来的一种平板显示器，属于低电压冷阴极发射，这种特殊的发射特点赋予FED许多不同于其他平板显示器的优异性能：工作电压低(200～5000V)、功耗小、亮度高、薄、体积小、重量轻、稳定性好、寿命长、响应速度快、全彩显示、无视角限制和对环境的兼容性好等。本文首先简要介绍了FED的发展历史、研究现状和工作原理，然后针对其特殊的低电压、大电流密度的激发特点对其所使用荧光粉提出了一系列性能要求，在此基础上，对FED用荧光粉的研究现状进行了分析，最后对未来新型高性能FED用荧光粉的研究提出了一些建议和展望。

摘要： 文中描述了用丝网印刷的方法制作正栅极、背栅极和侧栅极三极管型纳米碳管场发射显示器件,介绍了它们的制作工艺、所需材料要求,并建立模型进行ANSYS电场分布模拟,并对以上结构进行了比较分析.

摘要： 以低压热化学汽相沉积(CVD)方法制备的多壁纳米管(MWNT)为阴极材料,使用简单的丝网印刷工艺制备阴极,成功地封装出2英寸二极管型场发射显示器(FED)原型,该显示器具有静态图像显示功能,发光性能良好,具有高亮度的显示效果,表明这种新型的场发射显示器有潜在的应用价值.

摘要： 对目前课题组制备25英寸FED时出现的封装难点,本文利用COMSOLMultiphysics软件,对柱形支撑体排列成正方形的方式进行了模拟计算,分析了基板的形变和应力。另外,本文提出了一种新的形变圆,根据封接图形选择圆上的点,构建支撑体的排列方式.模拟结果表明：rn 三角形的排列方式较四边形的排列方式有较高的效率,在形变量相同条件下,等边三角形的排列以及等腰三角形的排列方式和正方形的相比,支撑体的使用量可减少16％和22.2％,从而有望降低工艺成本并增强FED的显示效果.

摘要： 本文介绍了一种基于纳米碳管单元模块的可实现大屏幕显示的新技术.其基本单元是采用低成本的印刷法制备的二极管型纳米碳管场发射显示器模块.该显示单元模块为16×16矩阵型点阵,尺寸为98 mm×98 mm,可根据实际需要拼接成各种大尺寸显示屏.器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印刷.各膜层图形经过精心设计以实现矩阵选址.使用低玻粉将阴极和阳极烧结,再采用超高真空排气台进行排气,然后装配上驱动电路,即实现了单元碳基膜场发射显示器模块的制作.此外,为了改善CRT荧光粉的黏附性差和电阻率低的问题,在CRT荧光粉浆料中分别加入了碳纳米管和硝酸镁,得到的荧光粉具有更好的发光性能.研究开发CNT大屏幕专用驱动和拼接技术,并获得了40英寸的CNT大屏幕显示器.

摘要： 在680°C～730°C的相对较低的温度下,本文采用简易的旋涂法等工艺制备了钛基纳米金刚石涂层的场发射阴极,场致发射特性实验表明,可以实现稳定的场致电子发射,样品的阈值场强为6.3V/μm,场发射电流密度在21V/μm场强下可达到60.7μA/cm2,将制备的场发射阴极应用到FED中,设计了以89S51单片机为控制核心的逻辑电路和以高压驱动芯片IR2113与高压MOS管为主的高压驱动电路,仿真波形良好。采用汇编语言编写了控制驱动程序,在16×16矩阵选址的金刚石涂层的场发射平板显示器上实现了简单图形和字符的动态显示，为大屏幕场发射平板显示器驱动电路的设计提供了一定的理论基础。

摘要： 利用物理热蒸发法制备出大规模长径比为250∶1的ZnO纳米锥.然后,利用丝网印刷技术将由ZnO纳米锥和羧甲基纤维素混合好的浆料印刷到ITO玻璃上,印刷面积为6cm2.采用二极结构测试质量比为1∶5-4∶5的ZnO纳米锥浆料的场发射特性.结果表明当ZnO纳米锥与羧甲基纤维素的质量比为3∶5时的开启场强(电流密度为1μA/cm2)最低为2.25V/μm,当场强达到4V/μm时,阳极荧光粉的发光点既亮分布又均匀.我们认为ZnO纳米锥可以用来做场发射显示器的阴极材料。

摘要： 本文介绍了几种现代显示技术的发展概况.如:1,阴极射线管(CRT)、2,数字光处理技术(DLP)、3,等离子显示板(Plasma Display Panel,PDP)、4,场发射显示器(FED)、5,有机发光二极管(OLED)、6,光栅光阀(GLV)投影显示器、7,液晶显示系统(LCD)、8,全色发光二极管(LED)、9,数字打印全息图(DPH)及视频全息(Holovideo)、10,全息背投屏(Holoscreen)、11,液晶硅(LCOS).对上述几种现代显示技术在结构、原理和技术特点等方面作了比较.特别是对液晶硅显示(LCOS)的结构和原理以及发展趋势和市场趋向作了较详细地分析.

摘要： 本文运用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400°C、600°C退火处理.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱等手段,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能,在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密.在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490nm处发光峰,认为一价氧空位(V·O)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大.实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高.

摘要： 本文运用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400°C、600°C退火处理.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱等手段,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能,在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密.在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490nm处发光峰,认为一价氧空位(V·O)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大.实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高.

摘要： 本发明提供一种纳米碳管场效发射显示器的阴极板及显示器的制作方法，所述纳米碳管场效发射显示器的阴极板的制作方法，包含：于具有导电层的第一板体形成纳米碳管涂层、提供引导模板、于引导模板及第一板体两者间提供一磁场、压合引导模板及纳米碳管涂层、固化纳米碳管涂层，及分离引导模板及具有纳米碳管涂层的第一板体，借此，在该纳米碳管涂层上形成多个相间隔设置并具有多个呈顺向排列的纳米碳管的碳管区，以制得该阴极板；本发明亦提供一种由前述的阴极板所制得的显示器的制作方法。本发明在简化制作纳米碳管阴极板的制程的同时，又能兼具制作出具有顺向排列的纳米碳管。

摘要： 本发明提供一种纳米碳管场效发射显示器的阴极板及显示器的制作方法，包含：提供一压印模板及一形成在一具有导电层的第一板体上的纳米碳管涂层、压合压印模板及纳米碳管涂层并于两者间形成电场以使纳米碳管涂层上形成多个间隔设置并具多个呈顺向排列的纳米碳管的碳管区，及固化纳米碳管涂层并分离压印模板及具有纳米碳管涂层的第一板体以完成该阴极板；本发明亦提供一种由前述的阴极板所制得的显示器的制作方法。本发明可在简化制作纳米碳管阴极板的制程的同时，又能兼具制作出具有顺向排列的纳米碳管。

摘要： 本发明公开了一种场致发射显示器，其包括第一衬底；在第一衬底上以预定图形形成的栅极；形成在第一衬底上覆盖栅极的绝缘层；以预定图形形成在绝缘层上的阴极；电接触阴极设置的发射器，与第一衬底相对设置的第二衬底，其间具有预定的间隙，第一衬底和第二衬底形成真空容器；形成在与第一衬底相对的第二衬底表面上的阳极；以及以预定图形形成在阳极上的荧光层。阴极的一部分被去除以形成发射器容纳部分，该发射器容纳部分在其底部露出该绝缘层，而栅栏形成在发射器容纳部分之间，发射器之一设置在每个发射器容纳部分中，电接触阴极。

摘要： 本发明提供一种纳米碳管场效发射显示器的阴极板及显示器的制作方法，包含：提供一压印模板及一形成在一具有导电层的第一板体上的纳米碳管涂层、压合压印模板及纳米碳管涂层并于两者间形成电场以使纳米碳管涂层上形成多个间隔设置并具多个呈顺向排列的纳米碳管的碳管区，及固化纳米碳管涂层并分离压印模板及具有纳米碳管涂层的第一板体以完成该阴极板；本发明亦提供一种由前述的阴极板所制得的显示器的制作方法。本发明可在简化制作纳米碳管阴极板的制程的同时，又能兼具制作出具有顺向排列的纳米碳管。

摘要： 本发明提供一种纳米碳管场效发射显示器的阴极板及显示器的制作方法，所述纳米碳管场效发射显示器的阴极板的制作方法，包含：于具有导电层的第一板体形成纳米碳管涂层、提供引导模板、于引导模板及第一板体两者间提供一磁场、压合引导模板及纳米碳管涂层、固化纳米碳管涂层，及分离引导模板及具有纳米碳管涂层的第一板体，借此，在该纳米碳管涂层上形成多个相间隔设置并具有多个呈顺向排列的纳米碳管的碳管区，以制得该阴极板；本发明亦提供一种由前述的阴极板所制得的显示器的制作方法。本发明在简化制作纳米碳管阴极板的制程的同时，又能兼具制作出具有顺向排列的纳米碳管。

摘要： 本发明公开了一种场致发射显示器，其包括第一衬底；在第一衬底上以预定图形形成的栅极；形成在第一衬底上覆盖栅极的绝缘层；以预定图形形成在绝缘层上的阴极；电接触阴极设置的发射器，与第一衬底相对设置的第二衬底，其间具有预定的间隙，第一衬底和第二衬底形成真空容器；形成在与第一衬底相对的第二衬底表面上的阳极；以及以预定图形形成在阳极上的荧光层。阴极的一部分被去除，以形成发射器容纳部分，而栅栏形成在发射器容纳部分之间，发射器之一设置在每个发射器容纳部分中，电接触阴极。

摘要： 本发明涉及一种场发射阴极装置，所述场发射阴极装置包括：一绝缘基板，该绝缘基板具有一表面；一第一电极与一第二电极相互间隔地设置于所述绝缘基板的所述表面；一阴极发射体，该阴极发射体与所述第一电极电连接；所述场发射阴极装置进一步包括一次级电子发射材料，所述次级电子发射材料至少部分设置于所述第一电极和第二电极之间，且所述阴极发射体与所述次级电子发射材料相对且间隔设置。本发明还涉及采用上述场发射阴极装置的场发射显示器。

摘要： 本发明涉及一种场发射阴极装置，包括：一绝缘基底；多个条形阴极；多个隔离体；多个条形栅网；多个场发射元件分别设置于所述多个条形阴极与所述多个条形栅网的交叉位置并与所述条形阴极电连接；多个固定层分别对应于所述多个隔离体设置于所述条形栅网表面，将条形栅网夹持于所述固定层与隔离体之间，所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之间并与所述条形阴极间隔设置，所述场发射阴极装置进一步满足以下条件：D1≤D2/10，其中，所述隔离体的宽度定义为D1，相邻两个场发射元件的中心线之间的距离定义为D2。本发明还涉及采用该种场发射阴极装置的场发射显示器。

摘要： 本发明涉及一种金属栅网，其可以用于场发射装置的栅极电极，其中，所述金属栅网包括多个金属条相互垂直地连接，定义出多个长方形网孔，且该多个长方形网孔排列成多个行或列。本发明进一步涉及一种采用该金属栅网的场发射装置及场发射显示器。

摘要： 本发明提供一种场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器。该场发射器件包括玻璃基板、形成在玻璃基板上且具有凹的部分的材料层、形成在材料层上的阴极电极、形成在阴极电极凹的部分上的电子发射极、形成在阴极电极上并具有与凹的部分连通的腔的栅极绝缘层、以及形成在栅极绝缘层上并具有与腔对准的栅极孔的栅极电极。