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第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会

召开年：1999
召开地：北京
出版时间： 1999-03-30

主办单位：中国电子学会;中国真空学会

会议文集：第七届中国真空电子学与场致发射学术年会

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1.变温超高真空扫描探针显微镜
- 侯士敏;赵兴钰;张兆祥
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：扫描隧道显微镜（STM）是一种可以在实空间观察到原子级分辨图像的实验仪器，且发展出许多衍生仪器，如原子力显微镜（AFM）、扫描近场光学显微镜（SNOM）等，统称为扫描探针显微镜（SPM）。但是以往大多数STM是在室温条件下工作的，不能实时观察样品随温度变化的情况。本文介绍德国Omicron公司新开发的变温超高真空扫描探针显微镜（VT UHV SPM），它包括STM和AFM两部分，可以在25K～700K之间对样品成像。我们利用此设备观察了Si（111）面在不同温度下的表面原子结构图像。
- 扫描探针显微镜;
- Si（111）面;
2.新型双栅跑道形锐化场致发射体阵列的制备及其特性研究
- 王保平;汤勇明;汪琛;薛坤兴;童林夙
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：与火山口形场致发射体结构相比，跑道形场致发射体结构不仅可以提供好的均匀性，而且可以提供大的发射电流密度。此外，双栅电极的使用和发射体的锐化处理即可以降低起始电压，又可以大大减小栅极电流。本文提出了双栅跑道形锐化场致发射体结构，完成了双栅锐化发射体结构的制备和特性测试，并对这些结构的特性进行了数值模拟。
3.一种新型的自对准栅极场发射锥尖阵列的实验研究
- 秦明;黄庆安
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文提出了一种新型的自对准栅极场发射锥尖阵列的结构，并实验研究了该结构的制备方法，测量了其电学特性。测试结果表明该结构具有阴极发射材料选择灵活，所制造的阴极隈列一致性较好，当栅极电压为81伏时发射电流达到1.4μA/尖,跨导为1.8μS/尖。最后讨论了该FEA用于高频微波器件和场发射显示器件的可能性。
4.IC工艺兼容的带状阴极阵列制作工艺
- 李天英;皇甫鲁江;朱长纯
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：基于行列矩阵寻址工作方式的场致发射平板显示大器（FED），其阴极场致发射阵列（FEA）和栅极通常安排为一组相互正交的带状[1]，其间以介质薄膜隔离。在Si锥阴极FEA的制作中，我们充分利用了与集成电路（IC）相兼容的工艺进行带状FEAs阵列的制作，由于与成熟的IC工艺相兼容，保证了较高的成品率。
- IC工艺;
- 带状阴极阵列;
5.硅场发射显示器的结构和工艺流程设计
- 范忠;薛臻;周江云;李琼;彭自安
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文根据场发射显示器（FED—Field Emitter Display）的工作原理，设计了显示面积为10.8×10.8mm＜＇2＞的研究性器件。设计的FED为矩阵形、受信号调制进行寻址工作，所以对开发实用的Si-FED有指导意义。
6.真空微电子平板摄像管（VME-FPC）靶材的改进
- 吕永积;刘光诒;富军;刘洪志;何映霞;朱敏慧
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：为了研制一种适用于真空微电子平板摄像管（VME-FPC）的高灵敏度的CdSe多层光导靶材，改建了一台兼有氧化与再结晶双重功能的炉子，发展了新的由真空预热处理（VHPT）与非真空热后处理（NHAT）二种工艺组成的热处理工艺，采用以上多项[1]措施的结果，作出了一种高性能的多层CdSe光电导靶，该新型多层CdSe光电导靶在维持原分辨率指标的前提下，灵敏度指标提高了二个数量级。本文主要阐述采用非真空热后处理工艺后获得的成功及相关的实验结果。
7.ZnO：Zn荧光薄膜的制备和表征及FED器件样管的制作
- 李炜;赵俊;茅东升;张福民;郑志宏;王曦;柳襄怀;金松;诸玉坤;李琼;徐静芳
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：通过离子束溅射的方法制备了用于场发射平板显示器（FED）的ZnO：Zn荧光薄膜，对所得薄膜进行了热处理，并对薄膜的成分、结构和荧光特性进行了表征。结果表明，适当的热处理温度和气氛可以提高ZnO：Zn荧光薄膜的荧光强度。此外，还设计和制作了一种以类金刚石薄膜为冷阴极的场发射平板显示器样管。
8.真空微电子摄象器件的研究
- 张春华;姚红;郭映;黄后生;李涛;朱予民;谢宝林;梁翠果;赵守珍;周清
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：真空微电子摄象器件的研究
9.碳纳米管场发射特性的研究
- 彭自安;朱宝华;陈其略;丁素广;朱洁;毛东军;曹安源
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上，测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。我们同时还将其与纯钼针在场发射方面进行了比较。
10.金刚石薄膜成核密度对其场发射的影响
- 元光;纪红;金文成;赵海峰;王维彪;金长春
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：在本考察了金刚石薄膜的成核密度对其场发射特性的影响，发现较低的成核密度有利于获得较好的发射特性；对发射曲线进行了拟合，并对所得结果进行了讨论。
11.碳纳米管发展的现状及在FED中的应用
- 朱长纯;杨大江
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文综述了碳纳米管的发展现状，制备方法及应用前景，重点介绍了在FED方面的应用。
12.碳纤维冷阴极的场发射特性研究
- 王维彪;金长春;梁静秋;赵海峰;元光;殷秀华;范希武
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文研究了碳纤维冷阴极的场电子发射能力和发射特性。实验结果表明碳纤维具有良好的电子发射能力，在较低的真空条件下仍然具有良好的发射稳定性。
13.电泳法沉积C—BN薄膜场发射特性研究
- 于丽娟;李峻峰;邓宁;朱长纯
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本篇介绍了电泳法在硅尖阵列上制备C—BN薄膜的工艺过程，用光学显微镜对电泳样品进行观测，显微照片表明电泳法制备C—BN薄膜比较均匀，并且研究了所得薄膜的场发射特性，实验结果表明，涂层硅尖锥隈列阴极具有很好的场发射特性，其开启电压降为22.5V/μm在电.7V/μm时，其电流达到7.6μA。
14.发叉形钨阴极最热点分析
- 杜士珍;柴成纲
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文阐述了热电子发射的冷却效应与发叉形钨阴极形成最热点的关系，估算了发叉形钨阴极最热点到阴极尖端的距离。
15.纳米硅尖针上非晶金刚石薄膜的沉积及其场致电子发射特性的研究
- 余峻聪;邓少芝;许宁生;S Ejaz Huq
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：采用磁过滤真空弧等离子体沉积系统，在纳米尺寸硅尖针阵列＜＇[1]＞上沉积不同厚度的非晶金刚石薄膜（a-D）。扫描电镜（SEM）分析结果表明薄膜均匀、平滑。利用配备有五维样品操纵台、网状阳极二极管测试结构、透明阳极、电流稳定性记录仪和实时录像系统等装置的场致发射综合分析仪，对具有不同薄膜厚度的尖针样品的场致电子发射特性进行测试，内容包括：电流—电压/电场特性、发射址的空间分布、电流稳定性等。结果发现，通过在硅尖针上沉积非晶金刚石薄膜，可明显降低尖针发射体的阈值电场，并可提高发射的电流密度、改善发射电流的稳定性。而且，薄膜的厚度对镀膜尖针的发射特性也有影响。镀膜样品的阈值电场和电流密度随薄膜厚度的增加而减小。我们认为可以采用“准隧穿机制”＜＇[2]＞，结合“内部发射原理”＜＇[3]＞来理解薄膜对场发射的增强效应和薄膜的厚度效应。
16.阳极氧化硅表面非晶金刚石薄膜的场致电子发射的研究
- 陈建;陈军;郑新国;邓少芝;许宁生
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：金刚石薄膜、类金刚石薄膜和非晶金刚石薄膜在制作场致电子发射器件中已开始占有不可忽视的地位。本文采用是极氧化方法腐蚀n-型单晶硅表面形成多孔层，利用磁过滤真空弧等离子体镀膜系统，将非晶金刚石薄膜沉积分别在n-型单晶硅和多孔n-型单晶硅上，利用SEM，XRD，Raman spectroscopy，Photoluminescence spectroscopy等测试手段研究了非晶金刚石薄膜/n-型硅衬底结构和非晶金刚石/多孔n-型单晶硅衬底结构的表面形貌及界面特征；并测量了它们的真空场致电子发射特性，实验结果表明沉积在阳极氧化处理过的多孔n-型硅上的非晶金刚石薄膜显示出较低的发射域值电场和较强的发射电流。这与非晶金刚石/多孔n-型单晶硅结构的独特界面性质有关，进一步的研究仍在进行中。
17.掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射机理的研究
- 陈军;邓少芝;许宁生
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：非晶金刚石薄膜具有优良的场致电子发射特性，在真空微电子器件，特别是场发射平板显示器上有广泛的应用前景。本研究用磁过滤直流溅射沉积制备了不同含氮量的非晶金刚石薄膜。采用透明阳极技术＜＇[1]＞研究了它们的场致电子发射特性。结果发现低掺氮可以降低非晶金刚石薄膜的开启电场，并且在具有低开启电场的样品的F-N图中发现有非线性区存在。利用准隧穿理论＜＇[2]＞解释了所得结果。我们从理论上计算了电场电流关系和F-N关系，得出了界面势垒与开启电场的关系，结果发现在一定电场下，具有低开启电场的薄膜的F-N图有较大的非线性。将所得的理论结果与实验结果进行了比较，发现两者符合得较好。本研究的结果揭示了界面在薄膜场发射中所起的重要作用。
18.镀膜碳纳米管薄膜场致电子发射特性的实验研究
- 陈岳;邓少芝;许宁生
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：采用磁过滤真空弧等离子弧沉积技术，在碳纳米管薄膜表面生长了一层非晶碳膜。用扫描电镜（SEM）分析了镀膜前后碳纳米管薄膜表面形貌的变化。采用网状阳极和透明阳极对其镀膜前后的场致电子发射特性，包括电流—电压特性和发射像进行了实验研究。我们将比较镀膜前后碳纳米管薄膜的电流—电压关系和发射成像的变化。最后我们还将提出有关的物理机制对所观察到的现象进行解释。
19.一种新型Spindt真空三级管磁敏传感器的研究
- 邓宁;朱长纯;李俊峰
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文提出了一种机关报型结构的真空微电子磁敏传感器。该传感器的阳极分为五个部分，可以检测出电子束流在磁场作用下的偏转，利用坐标变换对磁场的三维分量分离求解，最终确定器件所在位置的磁场。解决了以往真空微电子磁敏传感器不能检测任意方向磁场的总是。分别用解析和数值方法分析了该结构中电子在磁场作用下偏转与磁场的关系。计算结果表明此种结构的磁敏传感器具有很高的灵敏度（10＜＇5℅]＞/T）。
20.新型Spindt阴极阵列磁敏感器的研究
- 邓宁;朱长纯
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文提出了一种检测三维磁场的真空微电子磁敏传感器。该传感器采用Spindt阴极隈列作为电子源，阳极分为五个区域，以便检测发射电子在磁场作用下的偏移。通过不同阴极电压下电子束流的偏移量的差值，可求出器件所在位置磁场的三个分量。对传感器的灵敏度和误差进行了模拟计算，并研究了它们与阳极电压、阴—阳极间距及阳极电压变化步长的关系。结果表明该传感器的灵敏度约为800℅，相对误差为3℅。
21.阴极—敏感薄膜复合型真空微电子压力传感器
- 陶新听;夏善红;陈绍风
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：作者提出了阴极—敏感薄膜复合结构的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对其结构尺寸进行了优化设计，并研制作出了阴极—敏感薄膜复合结构。
- 真空微电子;
- 压力传感器;
22.新型真空微电子压力传感器及其封闭技术研究
- 夏善红;陶新昕;陈绍风
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文介绍了作者在新型真空微电子压力传感器研究方面取得的进展，并探讨真空微电子压力传感器的封装技术。
- 真空微电子;
- 传感器;
23.Zro/W（多晶）材料φ和A的实验测定
- 窦菊英;杨德清;陈尔纲;朱长纯
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：在10＜＇-15＞乇真空条件下，对ZrO/W（多晶）的逸出功φ和发射常数A进行了测量。实验结果φ为3.05eV，A为1.16×＜＇-2＞（安/厘米＜＇-2＞·度＜＇-2＞），表明用多晶钨代替单晶钨，也能得到很低的逸出功值，其应用价值是好的。
24.＜＇1＞MIM隧道发光二极管的电子输运研究
- 俞建华;王茂祥;孙承休
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：报告了MIM隧道二极管的发光和负阻现象，用梯形势垒计算了电流-电压特性，结果显示，由于SPP波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻现象与实验结果相符合。
25.真空微电子学发展的现状与展望
- 朱长纯;邓宁;夏普红
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
- 真空;
- 微电子学;
26.非晶金刚石膜冷阴极
- 柳襄怀;茅东升;李炜
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：采用二极管结构，对真空磁过滤弧源沉积非晶金刚石薄膜（amorphous diamond:a-D）的电子场发射性能进行了研究。结果发现，非晶金刚石薄膜具有优异的电子发射性能。其发射电流密度达到5mA/cm＜＇2＞以上，阈值电场小于3V/μm。同时，我们还观察到了金刚石薄膜的面发射，此现象在国际上还未曾报导。另外，非晶金刚石薄膜作为平板显示器冷阴极材料，具有很大的应用潜力。
27.真空微电子三极管中电子渡越时间的近似计算方法
- 陈博贤;刘光诒;苏杰;朱敏慧;夏善红
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文采用不同的近似计算方法，对真空微电子三极管中阴极尖端电场强度分布及电子渡越时间进行了研究、分析和比较，找出了几种电子渡越时间近似计算方法的共同点，统一了电子渡越时间的计算公式，画出了供计算用的有关曲线。
28.宽带隙平面薄膜的场致发射的数值模似
- 李德昌;李存志;朱长纯;刘广均;杨银堂
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
29.镍合金中内氧化物生长界面结构的AP-FIM研究
- 任大刚;范学书
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文提出应用场离子显微镜原子探针（AP-FIM）技术研究Ni-Cr-Si合金中内氧化物生长的界面结构。这技术很适合于研究合金中原子分布及氧化物与合金之间的界面结构，并具有原子尺度的分辨。AP深度剖析表明在合金中Si和Cr原子的分布比较均匀，而Ni原子分布有某些起伏。在低镍浓度区存在氧化物界面。界面包含CrO，NiO，CrO＜，2＞和NiO＜，2＞等。从此可推论合金内氧化的机理，首先氧分子被吸附到合金表面，分解成氧原子（O2→2O），然后氧原子通过晶界扩散到合金内部形成氧化物（M+O→MO），如果氧的浓度继续增加，便形成二氧化物（MO+O→MO＜，2＞）。
30.用于平面显示器件的新型微孔道板的研制
- 姚红;张春华;郭映;黄后生;李涛;朱予民;谢宝森;梁翠果;赵守珍;周清
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：用于平面显示器件的新型微孔道板的研制
- 平面显示器件;
- 微孔道板;
31.脉冲激光沉积制备场发射碳膜
- 张甫权;彭自安;朱宝华;王亦曼;冯进军;丁素广;李兴辉
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：用脉冲激光沉积法已在单个钼尖锥发射体和蓝宝石衬度上生成场发射体碳膜。对沉积在单个钼尖锥上的碳膜进行了电流-电压特性测量，并与未涂碳膜的单个钼尖锥发射体的场发射进行了比较。对沉积在蓝宝石衬底上的场发射体碳膜进行了其他性能测量。文中对结果进行了讨论。
32.纳米金刚石薄膜的场电子发射
- 姚宁;李运钧;王小平;马会中;毕兆膜;张兵临
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文报导了纳米金刚石薄膜的场电子发射。金刚石薄膜是利用微波等离子体化学气相沉积法（CVD）在沉积了Mo膜的陶瓷衬底上制备的。通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、Raman光谱等手段确定薄膜是纳米结构。X射线衍射谱显示有金刚石（111）面的宽峰，利用SEM观察到了薄膜的纳米结构，Raman谱显示在1332C＜＇-1＞有一宽峰，另一个宽峰在1580cm＜＇-1＞。在真空度约10＜＇-7＞Torr的真空室中对薄膜进行了场发射实验，结果表明，其阈值电场低于2.4V/μm，在10V/μm的电场下,其场发射电流密度为4mA/cm＜＇2＞,发射点密度为10＜＇3＞/cm＜＇2＞。
33.氮掺杂量对非晶碳膜场致电子发射的影响
- 王小平;王小平;李运钧;姚宁;马会中;毕兆琪;张兵临
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：用微波等离子体化学气相沉积设备，在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非品碳膜，分别用扫描电子显微镜（SEM），金相显微镜及Raman谱对样品进行了分析测试，并研究了不同掺杂样品的场致电子发射特性。结果表明：在我们的实验范围内，随着氮掺杂量的增加，发射电流密度增大。
34.掺氮对类金刚石薄膜场发射的影响
- 马会中;马会中;张兰;姚宁;李运均;毕兆琪;王小平;张兵临;胡欢陵
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石薄膜的微结构和表面形貌。场发射实验表明，掺氮降低了类金刚石薄膜的阈值电场，提高了发射电流密度。
35.金刚石粉末淀积层的场发射性能研究
- 周江云;李琼;范忠;诸玉坤;徐静芳
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。
- 金刚石粉末;
- 场发射;
36.界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响
- 茅东升;李炜;赵俊;王曦;柳襄怀;诸玉坤;范忠;周江云;李琼;徐静芳
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：在Au/Si和Ti/Si和Si三种不同的衬底材料，通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp＜＇3＞键含量非晶金刚石薄膜（amorphous diamond:AD）。使用阳极覆盖有电压荧光粉的二极管型结构，对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究。测试表明，衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响。结果表明，衬底界面层对其产生重要的影响。通过二次离子质谱（SIMS）测试分析了AD/Ti/Si中界面的成分分布。由于Ti和C之间的互扩散和反应，存在一定的浓度梯度，同时生成了TiC过渡层，从而形成了衬底和非晶金刚石薄膜之间良好的接触，有效降低了界面的接触势垒高度，从而显著改善了AD薄膜的其电子场发射性能，均匀性也得到了显著改善。在电场强度为E=19.7V/μm时，其获得的电子场发射电流密度为0.352mA/cm＜＇2＞，大大高于在Si和Au/Si衬底上制备的AD薄膜的数值。
37.激光沉积非晶碳膜的场发射特性研究
- 张甫权;冯进军;丁素广;彭自安;李兴辉
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文介绍了激光沉积非晶碳膜电子场发射特性研究的结果。
38.场致发射技术的研究
- 唐敦乙;林书铨;张志明;沈荷生;李胜华
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文介绍了场致发射的机理及场致发射显示器件中几种不同类型的阴极，叙述了金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点。掺杂的金刚石薄膜作为场致发射阴极有更低的发射阈值，文中给出了几种不同掺杂的金铡石薄膜的发射特性。
39.双栅极场发射阵列的研制
- 陈绍风;夏善红;庄学曾
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：具有聚集能力的、双层栅极场发射阵列是一种新型的高性能场发射阵列，是发展真空微电子微波、毫米波等器件的关键核心部件。但制备这种双层栅极的场发射阵列具有一些特殊性。本文主要介绍该制备过程中的问题，并利用微波等离子体电子回旋共振沉积工艺和磁控溅射沉积成膜技术等制备双栅极场发射阵列的简单情况。
40.纳米金刚石薄膜的场发射研究
- 张兵临;姚宁;李运钧;毕兆琪;王小平
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文报道了纳米金刚石薄膜场电子发射的实验结果。纳米金刚石薄膜是由微波等离子体化学气相沉积在钼衬底上制备而成的。借助于X射线衍射（XRD），观察到金刚石（111）面的宽峰结构。根据（111）面衍射峰的线宽计算出金刚石的平均颗粒大小约为48nm。利用扫描电子显微镜（SEM）对薄膜表面形貌进行了观察。显示出金刚石颗粒的平均大小约为40nm。由XRD的线宽计算得到的颗粒大小与SEM的观察结果基本符合。Raman光谱给出了两个宽带结构，其峰值分别位于1332cm＜’-1＞和1580cm＜’-1＞处。我们认为1332峰相应于纳米金刚石相，而1580峰相应于sp＜’2＞石墨相。利用该薄膜作为阴极，在10＜’-4＞pa真空系统内进行了场发射实验，测定了Ⅰ-Ⅴ曲线。起始发射电场低于2.4v/μm。在10v/μm的电场下，电流密度约为4mA/cm＜’2＞，发射点密度大于10＜’3＞/cm＜’2＞。
- 纳米金刚石薄膜;
- 场发射;
41.场致发射阵列阴极电子枪在微波管中的应用
- 冯进军
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：对场致发射阵列阴极在微波管应用中的空间电荷、电子光学、微波管环境等问题进行了分析；指出发射体微尖表面上电子的径向发射和发射电子受到周围的辐射状的电场的作用是电子束发散的主要原因，可行的方法是将FEA浸没在纵向磁场中并同时采用静电聚焦。
42.PECVD法演积氮化硼薄膜场发射特性研究
- 于丽娟;邓宁;李俊峰;朱长纯
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文用B＜，2＞H＜，6＞（硼烷）、和SiH＜，4＞（硅烷）作反应气，通过射频等离子体增强化学气相淀积（RF-PECVD）的方法，在（100）Si上沉积生长氮化硼（BN）薄膜，用HITCHI S—520扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测，并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温，真空压力为6＜＇*＞10＜＇-6＞乇的条件下，对BN薄膜的电流-电压特性进行测量，并得到了Fowler-Nordheim特性曲线，BN膜的场发射开启电场为9v/μm，在电场33v/μm时，电流密度达到56mA/cm＜＇2＞。
43.导体表面屏蔽电荷的玻色爱因斯坦分布
- 罗恩泽
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文指出：导体表面屏蔽电荷的分布不服从费米狄拉克统计分布，而服从玻色爱因斯坦统计分布。
44.二十世纪末期不加热陈列场发射电子源的飞速发展
- 刘光诒;刘武;朱敏慧;夏善红
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极，并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实，由阵列场发射阴极工作的特点出发，在总结归纳的基础上，简单介绍了当前国内外学者最看重的几种阵列场发射阴极的现状。
- 不加热陈列场;
- 电子源;
45.抛物形量子阱的共振隧穿
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
46.半导体材料、微电子器件分层体视及内窥检测法的研究
- 胡问国;李萍;徐晓华;李亚文;肖玲;周开邻;朱世秋;Э.И.РАУ
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
47.多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响
- 李存志
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：文中通过求解薛壑谔方程得到由N个矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和电子透射系数的精确解，研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响。
48.高温超导体电场穿透对电子能谱的影响
- 张连俊;罗恩泽
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
49.高温超导体场致发射的Nottingham效应
- 张连俊;罗恩泽
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：在强场致发射时，Nottingham效应对高温超导体的场致发射性质有较大影响，是导致场致发射体由超导态转化为正常态的主要原因。利用Nottingham效应使发射体处于超导态和正常态之间转化可制作超导开关器件。
50.高温超导体场致发射电流理论研究
- 张连俊
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
- 高温超导体;
- 场致发射电流;
51.可变样品温度扫描隧道显微镜
- 张兆祥;赵兴钰
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：可变样品温度扫描隧道显微镜
- 温度扫描;
- 隧道显微镜;
52.利用扫描力显微镜测量表面静电势
- 张兆祥;赵兴钰;侯士敏;薛增泉
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：扫描力显微镜（SFM）的发明提供了测量绝缘表面形貌像的能力[1]，扫描力显微镜也称为原子力显微镜（AFM），是保持恒力条件下，利用硅微悬臂针尖扫描样品，得到样品表面的形貌像。由于早期的SFM的硅微悬臂针尖表面有绝缘的氧化物层，因此不能鉴别表面上导电区域和非导电区域。为了能探测到表面上微小区域的导电状态，人们采用了导电的微悬臂针尖用于SFM。在原来的SFM的基础上Martin等人实现了测量表面电容和表面静电势[2]，测量表面电容的仪器称扫描电容显微镜（SCM），测量表面静电势的仪器称扫描静电势显微镜（SEPM），Weaver等人引入了调制方法测量表面电势[3]，Nonnenmacher等人采用Kelvin方法测量不同材料的接触电位差[4]。 SEPM为微米、亚微米结构的电特性测量提供了有力的手段，不少研究小组用它进行了一系列微米、亚微米表面电势测量的研究工作[3-14]，它特别适用于半导体器件的研究工作。随着对半导体器件集成度的提高，半导体器件的尺寸不断缩小，在微观尺度上了解它们电特性的特征，就变得很重要，SEPM特别适用于这种要求。本文叙述两种类型SEPM的工作原理和一些应用领域。
- 扫描力显微镜;
- 表面静电势;
53.多孔硅平面电子源的研制
- 郭映;姚红;张春华;黄后生;李涛;朱予民;谢宝森;梁翠果;赵守珍;周清
- 《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》 | 1999年
摘要：多孔硅平面电子源的研制
- 平面电子源;
- 电子管;