摘要:与晶体硅晶格匹配,因此它能在接下来的ELA中起到籽晶的作用.这个方法不但提供了晶粒稳定生长条件,而且也可能使激光的晶化能量展宽.">本文提出了一种新的晶化方法——金属诱导准分子激光晶化法(MI-ELA).这个方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两上步聚:第一步是用镍金属诱导方法通过热退火形成NiSi<,2>;第二步是再通过ELA方法晶化形成p-Si,通过XRD,Raman与SEM表征,此方法制备的p-Si薄膜比用ELA方法在同一条件下制备的具有更大的晶粒度和粒度均一性,以及更高的晶化度,用"MI-ELA"方法制备p-Si的机制是基于用MIC方法在420 C左右热退火形成的NiSi<,2>与晶体硅晶格匹配,因此它能在接下来的ELA中起到籽晶的作用.这个方法不但提供了晶粒稳定生长条件,而且也可能使激光的晶化能量展宽.