微晶硅薄膜起始层的研究及其底栅薄膜晶体管的探索

摘要

底栅微晶硅薄膜晶体管的有源层不仅要具有高的晶化率还应该尽量减薄非晶相的起始层.采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了起始层的厚度,得到起始层厚度小于20nm、霍耳迁移率大于5cm<'2>/V<,-s>的微晶硅薄膜.以2﹪的硅烷浓度、采用四版工艺制备了底栅微晶硅TFT,对这种微晶硅TFT进行了初探.经贯通工艺的实验,获得开关比(I<,on>/I<,off>)在5个数量级以上,场效应迁移率大于1cm<'2>/V<,-sec>,阈值电压约为5V的初步结果.