法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 申请日:20191114
实质审查的生效
2020-04-17
公开
公开
机译: CMOS薄膜晶体管,其制造方法以及有机发光显示装置,该有机发光显示装置具有层叠的具有顶栅构造的PMOS多晶硅薄膜晶体管和具有倒置交错的底栅构造的NMOS氧化物薄膜晶体管
机译: 镧系氧化物/氧化锆原子层沉积的纳米层栅电介质
机译: 镧系氧化物/氧化锆原子层沉积的纳米层栅电介质