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李娟; 赵淑云; 刘建平; 吴春亚; 张晓丹; 孟志国; 赵颖; 熊绍珍; 张丽珠; 张震;
南开大学光电子研究所;
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
天津机电职业技术学院;
庆熙大学信息显示系先进显示研究中心;
微晶硅; 起始层; 硅烷浓度; 底栅薄膜晶体管;
机译:具有非晶/微晶硅双层的底栅薄膜晶体管的直流(DC)偏置应力特性
机译:非晶,多晶和微晶硅底栅薄膜晶体管在电应力下的阈值电压漂移
机译:具有自对准轻掺杂层的硅化镍晶种引起的横向结晶的底栅多晶硅薄膜晶体管
机译:底栅薄膜晶体管在低温下通过催化CVD改编纳米晶硅作为有源层的底晶硅。
机译:底栅纳米晶体硅薄膜晶体管的制作与分析。
机译:氧含量对底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管电流应力诱导的不稳定性的影响
机译:后界面状态和固定电荷对薄非晶硅层薄膜晶体管电特性的影响
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长
机译:使用薄栅绝缘膜的非晶硅薄膜晶体管及其制造方法
机译:一种制造薄膜晶体管的方法,该薄膜晶体管具有在金属门和绝缘膜之间形成的微晶硅氢供料层。
机译:底栅薄膜晶体管及其制造方法,包括多晶硅半导体层
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