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机译:用于高迁移率顶栅结构氧化物薄膜晶体管的等离子增强原子层沉积处理的SiO 2 sub>栅绝缘层
Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, Korea;
Gate insulator; High mobility; Hydrogen; InZnO TFT; OH; PEALD; SiO2; gate insulator; high mobility; hydrogen;
机译:在具有光增强化学和等离子体增强原子层沉积氧化物的倒梯形三栅极AlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管中,由栅极面积和栅极凹槽控制的阈值电压
机译:通过等离子增强原子层沉积的高迁移率多晶氧化铟薄膜晶体管
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的鲁棒SiO2栅极介电薄膜涉及脱甲丙基氨基硅烷(DIPA)和氧等离子体:在非晶氧化物薄膜晶体管上施用
机译:Al
机译:从新的工艺到行业相关应用:金属,金属氧化物和金属碳化物薄膜的原子层沉积
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:界面电介质层对顶栅in-Zn氧化物薄膜晶体管电性能的影响