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第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议
第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议
召开年:
2001
召开地:
西安
出版时间:
2001-07-01
主办单位:
中国电子学会;中国真空学会
会议文集:
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1.
类金刚石薄膜阴极阵列及样管的制备
冯涛
;
茅东升
;
李炜
;
张福民
;
柳襄怀
;
王曦
;
李琼
;
徐静芳
;
诸玉坤
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.我们利用图形化的DLC薄膜作为阴极用于直接封装场发射显示器(FED)样管,并获得了成功.
场发射;
类金刚石薄膜;
场发射显示器;
阴极材料;
真空磁过滤弧沉积;
2.
硅尖阵列—敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试
陈绍凤
;
夏善红
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
作者封装、测试了硅尖阵列—敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器,在计算机模拟的计算的基础上,对封装好的真空微电子压力传感器,进行了实物测试,得出实物测试场致发射电流曲线、压力特性曲线及灵敏度数据.
真空微电子;
压力传感器;
模拟测试;
压力特性;
测试;
3.
纳米多孔硅的研制及其场致发射特性
张勇
;
朱长纯
;
刘卫华
;
贺永宁
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文利用水热法铁离子腐蚀单晶硅的纯化学方法获得具有微米和纳米级复合结构的多孔硅,作为真空微电子器件使用的场致发射电子源.该种多孔硅表面遍布很多孔隙和纳米级大小的硅柱,在低电压下具有良好的场发射性能,发射曲线符合Fowler-Nordheim公式.
纳米多孔硅;
场致发射;
水热法;
电子源;
阴极材料;
4.
CNT场发射特性及机理的初步研究
刘卫华
;
朱长纯
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文研究了气体分子吸附和场强造成的碳纳米管形变等因素碳纳米管场发射稳定性的影响.对碳纳米管场发射机理进行了初步的探讨.
碳纳米管;
场致发射;
稳定性;
电场;
5.
碳纳米管的场致发射研究进展
徐强
;
吴振森
;
李德昌
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文介绍了碳纳米管薄膜的研究现状,阐述了碳纳米管制备的两种基本方法:电弧放电蒸发法和催化裂解法,研究了碳纳米管薄膜在场致发射方面的应用途径.
碳纳米管;
场致发射;
薄膜材料;
制备工艺;
6.
真空微电子压力传感器研究
夏善红
;
陈绍凤
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文介绍了作者在真空微电子压力传感器研究方面所做的工作,以及最新研究进展和实验结果,并就真空微电子压力传感器的优缺点及其发展阐述了个人观点.
真空微电子;
压力传感器;
阴极发射;
封装技术;
7.
场离子发射与场离子显示屏(FID)——一种新型彩色平板显示器
罗恩泽
;
李存志
;
吴正军
;
罗宏
;
罗伟
;
沈瑜
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
场离子显示屏(FID)是一种既能克服场发射显示屏(FED)制作的困难,实现阴极射线显象管(CRT)平板化,又能保持CRT优质图象和低廉价格的新型彩色平板显示屏.本文先介绍场离子发射的原理,然后介绍FID的结构和工作机理.
场离子发射;
场离子显示屏;
彩色平板显示器;
真空微电子;
8.
单壁碳纳米管的场发射和逸出功的测量
张兆祥
;
侯士敏
;
孙建平
;
张耿民
;
赵兴钰
;
刘惟敏
;
薛增泉
;
施祖进
;
顾镇南
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.
碳纳米管;
场发射;
逸出功;
四极质谱计;
9.
全玻璃平板型真空荧光光源的工艺制作
刘光诒
;
夏善红
;
吕永积
;
陈绍凤
;
李宏彦
;
韩昊
;
王建英
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文论述了产生真空荧光光源VFLS的时代背景,介绍了采用低压荧光粉的前发光型全玻璃简单平板二极管VFLS的结构与工艺,目前存在的问题及前景.
真空微电子学;
真空荧光光源;
前发光型;
平板型全玻璃;
荧光材料;
10.
纳米技术可能引导一次新的工业革命
林鸿溢
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
纳米科学技术是20世纪90年代出现的一门崭新的学科,涵盖很宽的学科领域:纳米物理学、纳米电子学、纳米化学、纳米材料科学、纳米机械学、纳米生物学、纳米医学、纳米显微学、纳米测量学、纳米信息技术、纳米环境工程和纳米制造等.本文讨论纳米技术可能引导一次新的工业革命.
纳米科学技术;
纳米半导体薄膜;
微机电系统;
纳米材料;
11.
掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射能量分布的研究
黄南荫
;
陈军
;
刘小伟
;
邓少芝
;
许宁生
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文研究了掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射的能量分布.发现能量分布呈多峰分布且峰值位置随场强增大而左移.我们对这些峰的位置和半高宽进行了拟合,并结合准隧穿模型和杂质能带发射模型解释了结果.
掺氮非晶金刚石薄膜;
场致电子发射;
能量分布;
12.
一种氧化物半导体激光器材料-ZnO纳米晶薄膜及其紫外激光
贺永宁
;
朱长纯
;
张景文
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调整晶粒自身的尺寸和结晶质量,可以在较低的光泵阈值下实现紫外激光.
激光分子束外延;
ZnO纳米晶薄膜;
紫外受激发射;
半导体激光器;
13.
外延纳米金刚石膜及其场发射特性
王维彪
;
顾长志
;
纪红
;
张传平
;
赵海峰
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性.采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜.用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了它的场发射特性.
纳米金刚石;
外延;
场发射;
阴极材料;
14.
共面双栅极金刚石薄膜FEAs的计算机模拟
曾葆青
;
刘阳
;
杨崇峰
;
杨中海
;
钱尚介
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
采用PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了共面双栅极金刚石薄膜FEAs的特性,在模拟时假设其结构为长条型,得到了该结构的电子轨迹、相空间图和发射电流的特性,表明反射极对电子注有会聚作用,从而形成良好的电子注.
场发射;
阴极;
金刚石薄膜;
计算机模拟;
15.
非晶金刚石薄膜场致诱导相变阶越增强电子发射机理
陈建
;
陈军
;
邓少芝
;
许宁生
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
作者通过反复实验和比较分析,在非晶金刚石薄膜发射实验中首次得到晶格水平的相变数据,并提出了场致诱导相变阶越增强电子发射机理.
非晶金刚石薄膜;
场致发射;
相变;
16.
碳纳米管高温热稳定性和结构的关系
姚振华
;
朱长纯
;
程敏
;
刘君华
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
使用分子动力学方法对单壁碳纳米管高温下的结构进行了计算机模拟.对扶手椅结构(10,10)和(20,20)的单壁碳纳米管进行了模拟,结果表明,碳纳米管开头端由于能量弛豫过程,直径比内部略大,在温度逐渐升高之后,构成纳米管的碳原子逐渐偏离晶格位置,小直径的碳纳米管在至少3000K温度之下结构是稳定的;直径小的碳纳米管的高温热稳定性比直径大的碳纳米管要好.
碳纳米管;
分子动力学;
热稳定性;
计算机模拟;
17.
流动催化剂法制备多壁纳米碳管场致发射材料
佟钰
;
刘畅
;
侯鹏翔
;
成会明
;
许宁生
;
陈军
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
以苯为碳源、氢气为载气、二茂铁为催化剂前驱体,采用流动催化剂法制备出高质量的多壁纳米碳管薄膜状材料.微观形貌观察(SEM、TEM)表明,该产物由定向性好、平均直径~6nm的多壁纳米碳管所组成.在高真空条件下,片状或纤维状多壁纳米碳管样品都表现出优异的场致发射性能.
流动催化剂法;
多壁纳米碳管;
定向性;
场致发射;
18.
热解法制备碳纳米管的纯化以及场发射特性的研究
李昕
;
刘君华
;
窦菊英
;
刘卫华
;
朱长纯
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
催化热解法生长出的CNTs阵列含有无定型碳以及包裹于其中的铁颗粒,形成屏蔽层而影响了CNTs电子发射能力.纯化CNTs是该研究工作中的重要环节,针对催化热解法生长的CNTs,其杂质主要含量是金属性的催化剂颗粒和无定型碳,因而先氧化再用弱酸处理是纯化步骤中的重要环节.利用三步纯化处理后的CNTs具有更低的开启电压,更强的电子发射能力.
碳纳米管;
催化剂颗粒;
场发射特性;
热解法;
纯化;
19.
涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的研究
王琪琨
;
朱长纯
;
蒋飞
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺,热解法获得的碳纳米管经过研磨,再与粘合剂、有机溶剂混合,直接涂敷在硅基底上,用二极管结构测量了其场发射特性,其开启电压为1.02V/μm,电流密度在4.5V/μm时达到了6.8μA/cm<'2>.在磁场下进行表面处理,开启电压提高到2.79V/μm,但最大发射电流有很大提高,可能缘于在磁场的作用下,碳纳米管的取向、分布状态发生了变化.
涂敷法;
碳纳米管;
场发射特性;
阴极材料;
20.
纳米材料的制备技术
朱长纯
;
李玉魁
;
韦明
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
纳米材料将推动21世纪的科学发展.本文介绍纳米材料的制备方法包括物理方法中的蒸发冷凝法、物理粉碎法及机械合金化法和化学方法中的化学气相法、水热合成法、溶胶-凝胶法、蒸发法等.
纳米材料;
蒸发冷凝法;
化学气相法;
水热合成法;
21.
高温强电场下金属铱的再结晶研究
窦菊英
;
朱长纯
;
陈尔纲
;
杨德清
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文首次将场电子显微镜用于金属的再结晶过程的研究,实现了高温强电场下金属铱(Ir)的单个小晶粒的形成及其选择性生长过程的动态观察.
热场电子显微镜;
再结晶;
选择生长;
金属铱;
22.
场致发射中离子轰击问题的研究
李俊涛
;
雷威
;
王保平
;
尹涵春
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
在场致发射器件中,发射电流的稳定性是衡量器件质量的一个重要因素.由于在器件中存在残余气体,从场致发射体发出的电子与气体分子相互作用,电离产生离子.这些正离子在电场力的作用下,回轰发射体表面,使发射体尖端形状受到损伤,改变了电场分布,最后造成发射电流的衰减.本文利用一套计算机模拟程序,分析了电子束电离产生离子,以及离子回轰发射体表面造成阴极损伤的过程.得到了发射电流衰减与残余气体压强,发射体工作时间的关系.这些结论为更准确地分析发射体的发射特性提供了大量有用信息.
发射体;
离子回轰;
阴极损伤;
发射电流衰减;
场致发射;
23.
钼场致发射阵列阴极的性能研究
冯进军
;
丁明清
;
张甫权
;
李兴辉
;
白国栋
;
彭自安
;
廖复疆
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,在真空系统中对所得到阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值,对发射稳定性和失效机理进行了实验研究和分析,为进一步开展应用研究打下了一定基础.
场致发射阵列;
钼;
双向薄膜沉积;
阴极发射;
24.
多孔阳极氧化铝(AAO)模板法纳米阵列结构的制备及其场致电子发射特性的研究
力虎林
;
王成伟
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
作者采用多孔阳极氧化铝模板,进行电化学或化学气相沉积,成功地制备出大面积高度取向纳米有序阵列自组装复合结构,进而遴选出适合场发射冷阴极材料和结构.
多孔阳极氧化铝;
阴极材料;
平板显示器;
模板法纳米结构;
25.
靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响
吕永积
;
刘光诒
;
邵佑军
;
施化芬
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
|
2001年
摘要:
为了开发用于真空微电子平板摄像管Vacuum Microelectronics Flat Panel Camera Tube(VME-FPC)的高灵敏度CdSe多层光导材料,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理二种热处理新工艺[1,2],制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶.使我们的CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级,而清晰度(分辨率)保持不变.本文将主要阐述CdSe蒸发工艺对靶面特性影响的实验结果和取得的成就.
真空微电子平板摄像管;
真空热预处理;
非真空热后处理;
靶面淀积参数;
26.
光电平面显示板
周清
;
赵守珍
;
梁翠果
;
谢宝森
;
常禄
;
熊光楠
;
李岚
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
作者研究的光电平面显示板掘弃了场发射阵列,而用光电阴极发射源作代替,并采用点阵扫描技术使其点阵化,研究新的平面电子源.
光电平面显示板;
场发射;
光电阴极发射源;
点阵扫描;
27.
广告牌用碳纳米管像素管的研究
张鲲
;
朱长纯
;
李玉魁
;
刘卫华
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本论文工作中,我们采用热解法制备了碳纳米管(carbon nanotubes,CNT),并用它作为场发射阴极,制作了一种三极结构的发光像素管.此发光管器件具有稳定的发射电流和极高的亮度.它可用于户外大屏幕广告牌的像素.
碳纳米管(CNT);
场致发射;
显示;
发光像素管;
热解法;
广告牌;
28.
振梁式真空度传感器
韩建强
;
朱长纯
;
刘君华
;
魏培永
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
对真空度的测量可采用各种真空计,但其输出量大多为非电量或模拟式电量.本文设计了一种电热激励/压敏全桥检测Si/SiO<,2>双层微悬臂梁谐振式真空度传感器.该传感器利用微悬臂梁的谐振频率随真空度的变化而变化实现测量的,其敏感元件是用微电子工艺和微机械加工工艺制作的微悬臂梁,是一种新型的真空度传感器.
微悬臂梁;
真空度传感器;
真空度测量;
微电子工艺;
29.
纳米显示器及其未来的发展
朱长纯
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文致力于研究适用于场致发射平板显示器(FED)的碳纳米管发射阴极制备工艺,研制基于碳纳米管阴极的平板显示器测试系统、评价体系.
纳米显示器;
纳米场发射;
场致发射;
碳纳米管;
真空微电子;
30.
金刚石薄膜的场发射特性
顾长志
;
孙越
;
金曾孙
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文研究了金刚石薄膜的场发射特性.从金刚石薄膜自身的角度,研究了不同的晶体结构对场发射的影响;从金刚石薄膜和硅衬底的界面形态的角度,研究了光滑界面和划痕界面对场发射的影响;从金刚石与衬底的过渡层的角度,研究了高电导率的CoSi<,2>过渡层对金刚石膜场发射特性的影响.
金刚石薄膜;
场发射;
纳米结构;
界面;
过渡层;
化学气相合成;
31.
利用场发射显微镜研究碳化钨场发射
孙建平
;
张兆祥
;
侯士敏
;
张耿民
;
赵兴钰
;
刘惟敏
;
薛增泉
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文在超高真空环境下通过高温处理在金属钨针尖上形成了碳化钨薄膜,对其场发射特性进行了测量,并估算了其逸出功.
碳化钨薄膜;
场发射;
逸出功;
场发射显微镜;
32.
场致发射阵列阴极电子枪的设计及模拟研究
李兴辉
;
冯进军
;
王劲松
;
廖复疆
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文讨论了微波管用电子枪的一般参数和要求,对于在微波管中应用场发射阵列阴极电子枪的情况作了分析,探讨了场发射电子注聚焦的几种方法,最后初步设计了一个用于微波管的应用场发射阵列阴极的电子枪模型,并结合Mafia软件的计算对其聚焦部分进行了改进.
微波管;
场致发射阵列阴极;
电子枪;
模拟计算;
33.
氮化硼薄膜场致发射特性的研究
顾广瑞
;
何志
;
李英爱
;
冯伟
;
金生
;
殷红
;
李卫青
;
赵永年
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中我们测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.
BN薄膜;
场发射;
偏压;
膜厚;
磁控溅射;
34.
介质薄膜场致发射的模拟计算
李德昌
;
李存志
;
李平舟
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文研究介质薄膜场致发射的模拟计算方法.介绍了场致发射的基本计算公式以及实体模型透射系数的求解,简化模型伏安特性的计算结果.
介质薄膜;
场致发射;
模拟计算;
平板显示屏;
35.
单壁碳纳米管的场离子显微镜观测
张耿民
;
张兆祥
;
杜民
;
金新喜
;
侯士敏
;
赵兴钰
;
刘惟敏
;
薛增泉
;
施祖进
;
顾镇南
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
单壁碳纳米管的顶端表面结构对场发射特性有很大影响.本文作者利用场离子显微镜(FIM)观测了单壁碳纳米管的氦场离子显微镜像.
碳纳米管;
场离子显微镜;
场发射;
曲率半径;
36.
用场发射显微镜研究单壁碳纳米管场发射
孙建平
;
张兆祥
;
侯士敏
;
赵兴钰
;
刘惟敏
;
薛增泉
;
施祖进
;
顾镇南
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
作者利用场发射显微镜(FEM)在小于4.0×10<'7>Pa压强的超高真空条件下研究了单壁碳纳米管微束的场发射,获得并观察了场发射图像.
单壁碳纳米管;
场发射;
场发射显微镜;
37.
碳纳米管场发射阴极的涂布和性能
李琼
;
徐静芳
;
诸玉坤
;
冯涛
;
王曦
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
碳纳米管(CNT)作为场发射阴极(FEC)具有很好的性能.我们研究了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法和它的性能.文中涉及涂布方法、纯化方法和表面处理方法,主要关心的性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命.
碳纳米管;
场发射阴极;
涂布方法;
纯化;
38.
催化剂颗粒分布密度对碳纳米管场发射特性的影响
李昕
;
刘君华
;
张勇
;
窦菊英
;
刘卫华
;
贺永宁
;
朱长纯
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
在硅基底上利用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜.基底上涂敷有一层氢氧化铁溶胶薄膜,氢氧化铁在氢气还原下成为纳米尺寸的催化剂Fe<,2>O<,3>颗粒簇,在适当的温度下通入乙炔气体,便生长出碳纳米管.不同的氢氧化铁溶胶浓度决定了不同尺寸的催化剂颗粒簇,从而决定了碳纳米管薄膜的生长密度.不同密度的碳纳米管薄膜具有不同的场发射特性.扫描电镜分析结果和场发射特性测试结果表明生长密度较低的碳纳米管薄膜具有更低的工作电压和更大的工作电流.
碳纳米管;
场发射;
催化剂颗粒;
生长密度;
39.
用SEM无损显微分层透视半导体和集成电路及真空微电子器件新检测技术
王建
;
李亚文
;
肖玲
;
梁竹关
;
周开邻
;
李萍
;
徐晓华
;
Pay Э.И.
;
胡问国
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文首次分布应用我们研究成功的在SEM中能无损分层透视内窥检测半导体和集成电路及真空微电子器件的新检测法(简称分层法)和新检测仪(简称分层仪)观察和测量到在亚表面层中各层半导体的缺陷和多层结构微电子器件各层的微结构的测量结果及照片.测量结果突破了扫描电镜的传统应用功能.本文还提出增强图像信噪比的方法.
无损显微分层透视内窥检测;
半导体;
集成电路;
真空微电子器件;
新检测法;
图像信噪比;
40.
扫描电镜透过表面绝缘层透视检测半导体和集成电路及真空微电子器件的新技术
王建
;
李亚文
;
肖玲
;
梁竹关
;
周开邻
;
李萍
;
徐晓华
;
Pay Э.И.
;
胡问国
《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》
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2001年
摘要:
本文在这里首次公布在扫描电子显微镜SEM中应用我们研制成功的能透过表面绝缘层透视检测半导体和集成电路IC及真空微电子器件VMD被掩盖在绝缘层表面下的微结构及缺陷的新检测法(简称透表法)和新检测仪(简称透表仪)观测IC样品所得到的照片及测量结果.它突破了SEM的传统应用功能.本文还提出了在SEM中提高图像信噪比的有效方法.
透视检测;
半导体;
集成电路;
真空微电子器件;
扫描电镜;
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