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Proceedings of the 27th European solid-state device research conference
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1.
Investigations on the Internal Physical Behaviour of 600V Punch-Through IGBT under Latch-up at High Temperature
机译:
高温闭锁下600V穿通IGBT的内部物理行为研究
作者:
S.Azzopardi
;
J.-M.Vinassa
;
C.Zardini
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
2.
An alternative method to monitor and control the IC temperature in the 4.2-77 K range
机译:
监视和控制IC温度在4.2-77 K范围内的另一种方法
作者:
E.A.Gutierez-D
;
J.De la Hidalga-W
;
M.J.Deen
;
S.V.Koshevaya
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
3.
RF Mobile Communication Circuits-Comparison of Technologies
机译:
射频移动通信电路-技术比较
作者:
Yrjo Neuvo
;
P.O.Box
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
4.
Flexible Micro-Photodiode Array as a Subretinal Implant
机译:
柔性微光电二极管阵列作为视网膜下植入物
作者:
M.B.Schubert
;
A.Hierzenberger
;
H.N.Wanka
;
M.Graf
;
H.G.Graf
;
W.Nisch
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
5.
Performance limits of deep submicron buried channel delta doped MOSFETs
机译:
深亚微米掩埋沟道增量掺杂MOSFET的性能极限
作者:
K.Diawuo
;
A.G.ONeill
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
6.
Noise Performances and Hot-Carrier Effects in Polysilicon Thin Film Transistors
机译:
多晶硅薄膜晶体管的噪声性能和热载流子效应
作者:
A.Pecora
;
S.Giovannini
;
R.Cariluccio
;
L.mariucci
;
G.Fortunato
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
7.
Electro-Thermal Interaction on Circuit Level Under the Influence of Packaging
机译:
包装影响下电热相互作用在电路水平上的作用
作者:
G.Digele
;
S.Lindenkreuz
;
E.Kasper
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
8.
Electrical Modelling of Kelvin Structures for the Derivation of Low Specific Contact Resistivity
机译:
低比接触电阻率推导的开尔文结构电模型
作者:
GEOFFERY K.Reeves
;
Anthony S.Holland
;
Barry Harrison
;
Patrick W.Leech
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
9.
Theoretical Analysis of a Pseudo-Floating Gate flash EEPROM Device
机译:
伪浮栅闪存EEPROM器件的理论分析
作者:
A.Concnanon
;
A.Mathewson
;
C.Papadas
;
B.Guillaumot
;
C.Kelaidis
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
10.
Vibration Sensor With Optoelectronic Interface
机译:
带光电接口的振动传感器
作者:
E.Peiner
;
K.Fricke
;
S.Mo
;
D.Fehly
;
A.Schlachetzki
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
11.
Measurement of Channel Length and Off-set Region Length for Off-Set Gate MOSFETs
机译:
偏置栅极MOSFET的沟道长度和偏置区域长度的测量
作者:
K.Terada
;
K.Tsuji
;
Y.Itoh
;
M.Takahashi
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
12.
Technology of the Diode Programmable Read Only Memory
机译:
二极管可编程只读存储器技术
作者:
H.Lifka
;
P.H.Woerlee
;
C.de Graaf
;
C.M.Hart
;
P.J.M.Janssen
;
G.M.Paulzen
;
M.J.J.Theunissen
;
P.W.H.de Vreede
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
13.
State-of-the-Art in Compact Modelling with Emphasis on Bipolar RF Circuit Design
机译:
着重于双极性RF电路设计的紧凑建模的最新技术
作者:
H.C.de Graaff
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
14.
Strategic Allicances for highly efficient 300 mm Waferfabs
机译:
高效300毫米晶圆厂的战略联盟
作者:
Jurgen Gie#beta#mann
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
15.
Thermal Analytical Model for Analysis of Pulsed DC Electromigarion Results
机译:
脉冲直流电迁移结果分析的热分析模型
作者:
Patrice WALTZ
;
Gerard LORMAND
;
Lucile ARNAUD
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
16.
Temperature Dependence(300-600K) Of Parasitic Bipolar Effects in SOI-MOSFETs
机译:
SOI-MOSFET中寄生双极性效应的温度依赖性(300-600K)
作者:
G.Reichert
;
C.Raynaud
;
O.Faynot
;
F.Balestra
;
S.Cristoloveanu
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
17.
Three-DImensional Simulation of Contact Hole Metallization using Aluminum Sputter Deposition at Elevated Temperatures
机译:
高温下铝溅射沉积接触孔金属化的三维模拟
作者:
E.Bar
;
J.Lorenz
;
H.Ryssel
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
18.
Two-Step Deposition Method for Improvement of the Electrical Characteristics of BST Thin Films
机译:
改善BST薄膜电学特性的两步沉积方法
作者:
Deok-Sin Kil
;
Byung
;
II Lee
;
Seung-Ki Joo
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
19.
The Oxidized Amorphous Silicon Improved LOCal Isolation(OASI-LOCI) concept
机译:
氧化非晶硅改进的LOCal隔离(OASI-LOCI)概念
作者:
Simon Delenibus
;
Michel Heitzmann
;
Francois Martin
;
Jean-Charles Guibert
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
20.
The impact of the S/D extensions on the drain current characteristics of deep submicron Si nMOSFETs at 77K
机译:
S / D扩展对77K深亚微米Si nMOSFET漏极电流特性的影响
作者:
S.Biessemans
;
E.Simoen
;
S.Kubicek
;
K.De Meyer
;
C.Claeys
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
21.
Novel Fabrication Technology for Ultra-Compact Three-Dimensional MMICs
机译:
超紧凑型三维MMIC的新型制造技术
作者:
Suehiro Sugitani
;
Kiyomitsu Onodera
;
Shinji Aoyama
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
22.
High Frequency Small-Signal and Large-Signal Characteristics of Resonant Tunneling High Electron Mobility Transistors
机译:
谐振隧穿高电子迁移率晶体管的高频小信号和大信号特性
作者:
Kevin J.Chen
;
Koichi Maezawa
;
Masafumi Yamamoto
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
23.
Junctions design guidelins for 0.18#mu#m CMOS
机译:
0.18#mu#m CMOS的结设计指南
作者:
R.Gwoziecki
;
T.Skotnicki
;
P.Bouillon
;
A.Poncet
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
24.
Simulation of Avalanche Injection Filamentation in MOSFET's and IGBT's
机译:
MOSFET和IGBT中雪崩注入细丝的仿真
作者:
V.A.Vashchenko
;
Y.B.Martynov
;
V.F.Sinkevitch
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
25.
Two-Dimensional Analytical Model of Subthreshold Current in Fully-Depleted SOI Mosfets
机译:
完全耗尽SOI Mosfets中亚阈值电流的二维分析模型
作者:
S.Pidin
;
H.Kurino
;
M.Koyanagi
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
26.
A 34 GHz f_T Bipolar Process with High-Energy-Implanted Collertor
机译:
具有高能量植入物收集器的34 GHz f_T双极工艺
作者:
Y.V.Ponomarev
;
C.H.H.Emons
;
W.van der Wel
;
M.A.van den Berg
;
C.E.Timmering
;
A.c.L.Janssen
;
J.Politiek
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
27.
Realisation of a 0.1#mu#m vertial MOSFET with a SiGe source
机译:
具有SiGe源的0.1#μ#m垂直MOSFET的实现
作者:
S.Hall
;
Z.Y.Wu
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
28.
A High Voltage nDMOS Structure in a Standard Sub-micron CMOS process
机译:
标准亚微米CMOS工艺中的高压nDMOS结构
作者:
Miguel Vermandel
;
Christof De Backere
;
Andre Van Calster
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
29.
A Microwave Active Integral Device Simulator
机译:
微波有源集成设备模拟器
作者:
L.C.N.de Vreede
;
W.v.Noort
;
H.C.de Graaff
;
J.L.Tauritz
;
J.Slotboom
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
30.
A Physically Based Substrate Current Simulation
机译:
基于物理的基板电流仿真
作者:
M.Knaipp
;
T.Grasser
;
S.Selberher
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
31.
A High Performance 0.18#mu#m CMOS Technology Designed for Manufactruability
机译:
专为可制造性而设计的高性能0.18#μ#m CMOS技术
作者:
Goncal Badenes
;
Marton Hendriks
;
Carles Perello
;
Ludo Deferm
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
32.
A Novel Diffusion Coupled Oxidation Model
机译:
新型的扩散耦合氧化模型
作者:
M.Radi
;
E.Leitner
;
E.Hollensteiner
;
S.Selberherr
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
33.
A Novel GAS Sensor for Hydro-Carbons Detection Based on Porous Silcon Permeaated with SN-V Mixed Oxides
机译:
基于多孔硅与AN-V混合氧化物渗透的新型用于油气检测的GAS传感器
作者:
R.Angelucci
;
A.Poggi
;
C.Critelli
;
L.Dori
;
F.Cavani
;
A.Parisini
;
A.Garulli
;
G.C.Cardinali
;
M.Fiorni
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
34.
A Stress Technique Suitable for the In-line Reliability Monitoring of The Hot Carrier Endurance Of Sub-0.5#mu#m MOSFETs
机译:
适用于0.5微米以下μmMOSFET热载流子寿命在线可靠性监测的应力技术
作者:
C.Dimitriadis
;
C.Papadas
;
A.Conncanon
;
N.Villani
;
E.Vincent
;
A.Mathewson
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
35.
A Study of Temperature Distribution in SOI-Smart Power Devices in Transient Conditions by Optical Interferometry
机译:
光学干涉法研究瞬态条件下SOI智能功率器件的温度分布
作者:
NSeliger
;
D.Pogany
;
C.Furbock
;
P.Habas
;
E.Gornik
;
M.Stoisiek
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
36.
Advanced Self Aligned SOI Concepts For Vertical MOS Transistors With Ultrashort Channel Lengths
机译:
具有超短沟道长度的垂直MOS晶体管的高级自对准SOI概念
作者:
Th.Aeugle
;
L.Risch
;
W.Rosner
;
Th.Schulz
;
D.Behammer
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
37.
On the determination of the time-dependent degradation laws in deep submicron SOI MOSFETs
机译:
关于深亚微米SOI MOSFET随时间变化的退化规律的确定
作者:
S.H.Renn
;
J.L.Pelloie
;
F.Balestra
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
38.
Piezoresistive bridge configuration for a atomic force microscopy
机译:
原子力显微镜的压阻电桥配置
作者:
RMJumpertz
;
A.Van der Hart
;
J.Schelten
;
O.Ohlsson
;
Th.Sulzbach
;
F.Saurenbach
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
39.
Polyimide Optical Waveguide with Multi-Fan-Out for Multichip Module Application
机译:
具有多扇出的聚酰亚胺光波导在多芯片模块中的应用
作者:
Takuji Matsumoto
;
Takeshi Fukuoka
;
Hiroyuki Kurino
;
Mitsumasa Koyanagi
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
40.
SiGe Gate for Highly Performant 0.15/0.18#mu#m Cmos Technology
机译:
高性能0.15 / 0.18#mu#m Cmos技术的SiGe门
作者:
T.Skotnicki
;
P.Bouillon
;
R.Gwoziecki
;
A.Halimaoui
;
C.Mourrain
;
I.Sagens
;
J.L.Regolini
;
O.Joubert
;
M.Paoli
;
P.Schiavone
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
41.
Selectively-Implanted Collector Profile Optimisation for High-Speed Vertical Bipolar Transistors
机译:
高速垂直双极晶体管的选择性注入集电极轮廓优化
作者:
M.S.Peter
;
G.A.M.Hurkx
;
C.E.Timmering
会议名称:
《》
|
1997年
42.
RF performance of strained Si MODFETs and MOSFETs on virtual SiGe substrates: A Monte Carlo study
机译:
虚拟SiGe衬底上应变Si MODFET和MOSFET的RF性能:蒙特卡洛研究
作者:
S.Roy
;
A.Asenov
;
S.Babiker
;
J.R.Barker
;
S.P.Beaumont
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
43.
Silicon Microsystems for Automotive Applications
机译:
面向汽车应用的硅微系统
作者:
Jiri Marek
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
44.
Hot Carrier effects and time-dependent degradation laws in 0.1#mu#m bulk Si n-MOSFETs
机译:
0.1#μ#m块状Si n-MOSFET中的热载流子效应和随时间的退化规律
作者:
B.Marchand
;
B.Szelag
;
G.Ghibaudo
;
F.Balestra
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
45.
A 0.5#mu#m Flash Technology suitable for Low Voltage Embedded Applications
机译:
适用于低压嵌入式应用的0.5#μ#m闪存技术
作者:
J.K.Yeh
;
H.D.Su
;
Y.F.Lin
;
C.D.Shieh
;
D.S.Kuo
;
M.S.Liang
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
46.
0.25#mu#m NMOS Transistor with Nitride Spacer:Reduction of the Short Channel Effect by Optimisation of the Gate Reoxidation Process and Reliability
机译:
带有氮化物隔离层的0.25#μ#m NMOS晶体管:通过优化栅极再氧化工艺和可靠性来减少短沟道效应
作者:
M.Ada-Hanifi
;
M.Bonis
;
Ch.Verove
;
M.T.Basso
;
N.Revil
;
M.Haond
;
M.Lecontellec
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
47.
18 GHz high gain monolithically integrated InP/InGaAs PIN/HBT-Receiver
机译:
18 GHz高增益单片集成InP / InGaAs PIN / HBT接收器
作者:
D.Huber
;
M.Bitter
;
R.Bauknechi
;
T.Morf
;
C.bergamaschi
;
H.Jackel
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
48.
Monte Carlo Study on Electron Transport Properties In Double-Gate Fully Depleted SOI-MOSFETs
机译:
双门全耗尽SOI-MOSFET中电子输运特性的蒙特卡洛研究
作者:
F.Gamiz
;
J.B.Roladan
;
J.A.Lopez-Villanueva
;
J.E.Carceller
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
49.
Multi Layer Metallization
机译:
多层金属化
作者:
Michel LERME
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
50.
Laser Induced Reversible Change of Electrical Resistivity of CoSi_2 Thin Film
机译:
激光诱导的CoSi_2薄膜电阻率的可逆变化
作者:
M.Knite
;
A.Medvid
;
Y.Barloti
;
M.Silarays
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
51.
Prospects of Silicon Nanoelectronics
机译:
硅纳米电子学的前景
作者:
M.Van Rossum
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
52.
Lateral Channel Doping Engineering in 0.1#mu#m Recessed Channel nMOSFETs
机译:
0.1#μ#m嵌入式沟道nMOSFET中的横向沟道掺杂工程
作者:
Jeongho Lyu
;
Youngjin Choi
;
Byung-Gook Park
;
Kukjin Chun
;
Jong Duk Lee
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
53.
Influence of Thermal Heating Effect on Pulsed DC Electromigration Result Analysis
机译:
热加热效应对脉冲直流电迁移结果分析的影响
作者:
Patrice WALTz
;
Lucile ARNAUD
;
Gerard TARTAVEL
;
Gerard LORMAND
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
54.
Integrated Array of Avalanche Photodiodes For Single-Photon Counting
机译:
用于单光子计数的雪崩光电二极管集成阵列
作者:
F.Zappa
;
M.Ghioni
;
S.Cova
;
L.Varisco
;
B.Sinnis
;
A.Morrison
;
A.Mathewson
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
55.
Investigation of the Influence of Impact Ionization Feedback on the Spatial Distribution of Hot Carriers in an Nmosfet
机译:
Nmosfet中碰撞电离反馈对热载子空间分布的影响研究
作者:
C.Jungemann
;
S.Yamaguchi
;
H.Goto
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
56.
A fully GaAs-based 100MHz, 2W DC-to-DC Power Converter
机译:
完全基于GaAs的100MHz,2W DC-DC电源转换器
作者:
Sami AJRAM
;
Romain KOZLOWSKI
;
Hussein FAWAZ
;
Didier WANDRMOERE
;
Georges SALMER
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
57.
Noise Analysis in Devices Under Nonlinear Operation
机译:
非线性工作条件下设备的噪声分析
作者:
Alain CAPPY
;
Francois DANNEVILLE
;
Gilles DAMBRINE
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
58.
New Designs, Readout Concept and Simulation Approach of Micromachined Rate Gyroscopes
机译:
微机械速率陀螺仪的新设计,读出概念和仿真方法
作者:
W.Geiger
;
B.Folkmer
;
H.sandmaier
;
W.Lang
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
59.
Human Capital for Growth in Microelectronics(The Brain Intensive Era)
机译:
微电子学发展的人力资本(脑密集时代)
作者:
P.Martinotti
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
60.
HBM and CDM ESD stress test results in 0.6#mu#m CMOS structures
机译:
HBM和CDM ESD应力测试结果在0.6#μ#m CMOS结构中
作者:
G.Menehesso
;
N.Grapputo
;
P.Colmbo
;
M.Brambilla
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
61.
GaN-Based Devices for Electronic Applications
机译:
用于电子应用的GaN基器件
作者:
M.A.Khan
;
M.S.Shur
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
62.
Full Band Monte-Carlo Device Simulation of an 0.1#mu#m N-Channel MOSFET in Strained Silicon Material
机译:
应变硅材料中0.1#μ#m N沟道MOSFET的全频带蒙特卡罗器件仿真
作者:
S.Keith
;
F.M.Bufler
;
B.Meinerzhagen
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
63.
Fabrication of 0.1#mu#m MOSFET with Super Self-Aligned Ultrashallow Junction Electrods using Selective Si_(1-x)Ge_x CVD
机译:
使用选择性Si_(1-x)Ge_x CVD制备具有超自对准超浅结电极的0.1#μ#m MOSFET
作者:
J.Murota
;
M.Ishii
;
K.Goto
;
M.Sakuraba
;
T.Matsuura
;
Y.Kudoh
;
M.Koyanagi
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
64.
Enhanced Breakdown Voltage and Charge to Breakdown of Collector Implant-Gate Oxide-Poly Capacitors by Selective Epitaxial Growth
机译:
通过选择性外延生长增强的击穿电压和电荷,以击穿集电极-门极氧化物-多聚电容器
作者:
D.Leipold
;
Hechtl
;
M.Schiekofer
;
T.PUchert
;
J.Krick
;
D.Proetel
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
65.
Enhancement of TFT PErformance by LOw Temperature Oxygen Annealing
机译:
低氧退火提高TFT性能
作者:
PT Baine
;
L.J.Quinn
;
B.Lee
;
SJN.Mitchell
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
66.
CMOS Production Compatible SiGe Heteroepitaxy for High Frequency Circuits
机译:
用于高频电路的CMOS生产兼容的SiGe异质外延
作者:
G.Ritter
;
D.Bolze
;
G.Fischer
;
D.Knoll
;
P.Schley
;
B.Tillack
;
D.Wolansky
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
67.
Determination of interface state density of ULSI n-MOSFET by 1/f noise measurements
机译:
通过1 / f噪声测量确定ULSI n-MOSFET的界面状态密度
作者:
S.Villa
;
G.De Geronimo
;
A.Pacelli
;
A.L.Lacaita
;
A.Longoni
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
68.
Comparison of an L-array and a single transistor method to extract Leff and R_s in deep submicron MOSFETs
机译:
L阵列和单晶体管方法在深亚微米MOSFET中提取Leff和R_s的比较
作者:
S.Biesemans
;
K.De Meyer
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
69.
Examination of Transient Drift-Difusion and Hydrodynamic Modelling Accuracy for SiGe HBTs by 2D Monte-Carlo Device Simulation
机译:
通过2D蒙特卡洛装置仿真研究SiGe HBT的瞬态漂移扩散和流体动力学建模精度
作者:
B.Neinhus
;
P.Graf
;
S.Decker
;
B.Meinerzhagen
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
70.
C-V characteristics of PT/SrBi_2Ta_2O_9/CeO_2Si structure for non-volatile memory devices
机译:
非易失性存储器件的PT / SrBi_2Ta_2O_9 / CeO_2Si结构的C-V特性
作者:
Ho Nyung Lee
;
Dong Suk Shin
;
Yong Tae Kim
;
Sung Ho Choh
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
71.
Cost Effective Simulation of Three-Dimensional Effects in the Shallow Trench Isolation Process
机译:
浅沟槽隔离过程中三维效应的经济有效模拟
作者:
P.Sallagoity
;
M.Ada-Hanifi
;
A.Poncet
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
72.
Correlation Between Electromicgration Damage Kinetics and Microstriucture In Cu Interconnects
机译:
铜互连中电迁移损伤动力学与微结构的相关性
作者:
A.Gladkikh
;
M.Karpovski
;
A.Palevski
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
73.
Closed-form model of the subhalfmicrometer LDD MOSFET overlap capacitance
机译:
亚半微米LDD MOSFET重叠电容的闭合模型
作者:
Victor I.Koldyaev
;
Ludo Deferm
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
74.
Building In Reliability with Latch-up, ESD and HOT Carrier Effects on a 0.25#Mu#M CMOS Technology
机译:
在0.25#Mu#M CMOS技术上通过闩锁,ESD和HOT载流子效应增强可靠性
作者:
C.LEROUX
;
P.SALOME
;
G.REIMBOLD
;
D.BLACHIER
;
G.GUEGAN
;
M.BONIS
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
75.
Analysis of Electron Spreading Effects in Pixelless Quantum Well Imaging Devices
机译:
无像素量子阱成像设备中电子扩散效应的分析
作者:
V.Ryzhii
;
H.C.Liu
;
I.Khmyrov
;
M.Ryzhii
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
76.
AM-LCDs bring solid-state devices to the display
机译:
AM-LCD将固态设备带到显示器
作者:
K.J.Nieuwesteeg
;
A.H.van Ommen
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
77.
An Improved Technology for Elevtaed Source/Drain MOSFETs
机译:
提升型源/漏MOSFET的改进技术
作者:
A.M.Waite
;
D.J.Howard
;
S.Kubicek
;
M.Caymax
;
K.DeMeyer
;
A.G.R.Evans
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
78.
Analysis of Capacitance Behavior for Short-Chanel Accumulation-Mode SOI PMOS Devices
机译:
短通道累积模式SOI PMOS器件的电容行为分析
作者:
J.B.Kuo
;
K.W.Su
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
79.
Efficient Parameter Extraction and Statistical Analysis for a 0.25#mu#m low-power CMOS Process
机译:
0.25#μ#m低功耗CMOS工艺的高效参数提取和统计分析
作者:
E.V.Saavedra Diaz
;
K.G.McCarthy
;
D.B.M.Klaassen
;
A.mathewson
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
80.
Stress Induced Leakage Current Dependence on Oxide Thickness, Technology and Stress Level
机译:
应力引起的漏电流取决于氧化物厚度,工艺和应力水平
作者:
A.Scarpa
;
P.Ries
;
G.Ghibaudo
;
A.Paccagenella
;
G.pananakakis
;
J.Brini
;
G.Ghidini
;
C.Papadas
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
81.
A New Method for Verification of MOSFET Models Based on Device Parameter Variations
机译:
基于器件参数变化的MOSFET模型验证的新方法
作者:
C.Kuhn
;
W.Weber
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
82.
On the transconductance enhancement at low temperature in deep submicron MOSFETs
机译:
深亚微米MOSFET在低温下的跨导增强
作者:
B.Szelag
;
F.Balestra
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
83.
New Anti-Punchthrough Design for Buried Channel Pmosfet
机译:
埋入式通道Mosfet的新型反穿通设计
作者:
Jeonghwan Son
;
Seungho Lee
;
Kijae Huh
;
Wouns Yang
;
Youngjong Lee
;
Jeongmo Hwang
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
84.
Metamorphics: Extending the Limits of GaAs
机译:
变质:扩展砷化镓的极限
作者:
Georges SALMER
;
Yvon CORDIER
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
85.
Transfered Electron Effect in AlGaAs/GaAs Multi-Quantum-Well Structures
机译:
AlGaAs / GaAs多量子阱结构中的转移电子效应
作者:
A.L.Springer
;
C.G.Diskus
;
Member
;
K.Lubke
;
A.Stelzer
;
H.W.Thim
;
Senior Member
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
86.
A Performance Comparison Between 0.35#mu#m Self-Aligned and Quasi-Self-Aligned Double-Polysilicon Bipolar Transistors
机译:
0.35#mu#m自对准和准自对准双多晶硅双极晶体管的性能比较
作者:
L.Ailloud
;
J.de pontcharra
;
G.Bartoletti
;
J.Kirtsch
;
G.Auvert
;
A.Chantre
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
87.
Development of the Next Generation of Insulated Gate Bipolar Transistors Based on Trench Technology
机译:
基于Trench技术的下一代绝缘栅双极晶体管的开发
作者:
F.Udrea
;
S.S.M.Chan
;
J.Thomson
;
S.Keller
;
G.A.J.Amaratunga
;
A.D.Millington
;
P.R.Waind
;
D.E.Crees
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
88.
The Transistor's Discovery and What's Ahead
机译:
晶体管的发现与未来
作者:
Mark R.Pinto
;
William F.Brinkman
;
William W.Troutman
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
89.
Theory and modeling of organic field effect transistors
机译:
有机场效应晶体管的理论与建模
作者:
G.Paasch
;
S.Scheinert
;
R.Techlenburg
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
90.
Tunneling gate oxide MOSFET technology
机译:
隧道栅氧化物MOSFET技术
作者:
Hisayo Sasaki Momose
;
Shin-ichi Nakamura
;
Yasuhiro Katsumata
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
91.
Two-Stage Degradation of Submicron LDD N-Mosfets by 1/F Nosie, Charage Pumping, And Drain Current Measurements
机译:
1 / F噪声,电荷泵抽运和漏极电流测量法对亚微米LDD N-MOSFET进行两阶段降解
作者:
Serguei Okhonin
;
Lin Ren
;
Marc Ilegems
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
92.
Investigations of the effect of the extension implant energy on deep submicron CMOS device performance
机译:
扩展注入能量对深亚微米CMOS器件性能影响的研究
作者:
Stefan Kubicek
;
Serge Biesemans
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
93.
A New Cellular Etching-Simulator for InP and Si
机译:
用于InP和Si的新型细胞蚀刻模拟器
作者:
H.-H.Wehmann
;
M.Chahoud
;
A.Schlachetzki
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
94.
Optical Lithography, how far will it get us?
机译:
光学光刻,它将带给我们多远?
作者:
L.Van den hove
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
95.
Gaas Schottky Gate Bipolar Transistor For High Voltage Power Switching Applications
机译:
用于高压功率开关应用的Gaas肖特基栅极双极晶体管
作者:
C.M.Johnson
;
M.Hossin
;
A.G.ONeill
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
96.
Suppression of the Reverse Short Channel Effect in (Sub-)0.25#mu#m nMOSFETs Using Elevated S/D Structures
机译:
使用升高的S / D结构抑制(Sub)0.25#mu#m nMOSFET的反向短沟道效应
作者:
D.Schumann
;
R.Krieg
;
H.Schafer
;
U.Schwalke
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
97.
Studies on the heat removal features of stacked SOI structures with a dedicated field solver program(SUNRED)
机译:
利用专用的现场求解器程序研究堆叠式SOI结构的散热特性(SUNRED)
作者:
Zs.Kohari
;
V.Szekely
;
M.Rencz
;
V.Dudek
;
B.Hoffinger
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
98.
Study of pocket implant paramters for 0.18#mu#m CMOS
机译:
0.18#mu#m CMOS的口袋注入参数研究
作者:
J.Schmitz
;
Y.V.Ponomarev
;
A.H.Montree
;
P.H.Woerlee
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
99.
Slot-antenna-coupled microbolometers for far-infrared detection
机译:
缝隙天线耦合的微辐射热计用于远红外检测
作者:
Y.Yasuoka
;
T.Uchida
;
H.Kobayashi
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
100.
Source/Drain Engineering with Ge Large Angle Tilt Implantation and Pre-Amorphization to Improve Current Drive and Alleviate Floating Body Effects of Thin Film SOI MOSFET's
机译:
具有Ge大角度倾斜注入和预非晶化的源/漏工程,以改善电流驱动并减轻薄膜SOI MOSFET的浮体效应
作者:
Tommy C.Hsiao
;
Ping Liu
;
William T.Lynch
;
Jason C.S.Woo
会议名称:
《Proceedings of the 27th European solid-state device research conference》
|
1997年
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