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Device Research Conference
Device Research Conference
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1.
High efficiency In/sub 0.5/(Al/sub 0.3/Ga/sub 0.7/)/sub 0.5/P/In/sub 0.2/Ga/sub 0.8/As power HEMT for low supply voltage wireless communications
机译:
高效率/亚/级0.5 /(AL / SUB 0.3 / GA / SUB 0.7 /)/ SUB 0.5 / P / IN / SUB 0.2 / GA / SUB 0.8 /作为电源HEMT,用于低电源电压无线通信
作者:
Wang Y.C.
;
Kuo J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
2.
High-mobility pentacene-based organic thin film transistors
机译:
高迁移率的五烯基有机薄膜晶体管
作者:
Lin Y.Y.
;
Gundlach D.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
3.
Diamond surface-emission cathodes
机译:
金刚石表面排放阴极
作者:
Geis M.W.
;
Efremow N.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
4.
A novel wide-band-gap semiconductor based microelectronic gas sensor
机译:
一种新型宽带间隙基于微电子气体气体传感器
作者:
Gurbuz Y.
;
Kang W.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
5.
A novel three-terminal negative differential conductance device in silicon: the hot-electron phonon-emission field-effect transistor
机译:
硅中的一种新型三端负差分电导装置:热电子声音发射场效应晶体管
作者:
Koester S.J.
;
Ismail K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
6.
Ferromagnet-semiconductor hybrid Hall effect device
机译:
铁磁体半导体混合霍尔效应装置
作者:
Johnson M.
;
Bennett B.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
7.
Fabrication of a GaAs MESFET using resistless processing and selective area epitaxy
机译:
使用无抗抗抗反应和选择性区域外延制作GaAs MesfeT的制造
作者:
Shiralagi K.
;
Tsui R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
8.
Laterally crystallized polysilicon TFTs using patterned light absorption masks
机译:
使用图案化光吸收口罩横向结晶的多晶硅TFT
作者:
Subramanian V.
;
Saraswat K.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
9.
Gated diamond field emitter array with ultra low operating voltage and high emission current
机译:
门控钻石场发射极阵列,具有超低工作电压和高发射电流
作者:
Wisitsora-at A.
;
Kang W.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
10.
Novel blue fluorescent materials for organic electroluminescent (EL) devices
机译:
用于有机电致发光(EL)器件的新型蓝色荧光材料
作者:
Jianmin Shi
;
Tang C.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
11.
Demonstration of a velocity modulated transistor
机译:
速度调制晶体管的演示
作者:
Cohen E.B.
;
Webb K.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
12.
Fully self-aligned tri-layer a-Si:H TFT with ultra-thin active layer
机译:
完全自对准的三层A-Si:H TFT,具有超薄有源层
作者:
Thomasson D.B.
;
Jackson T.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
13.
1/f noise in graded-channel MOSFETs for low-power low-cost RFICs
机译:
用于低功耗低成本RFIC的分级通道MOSFET中的1 / F噪声
作者:
Babcock J.A.
;
Gill C.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
14.
Modulation properties of high-speed vertical cavity surface emitting lasers
机译:
高速垂直腔表面发射激光器的调制特性
作者:
Ochiai M.
;
Lear K.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
15.
High-speed resonant-cavity SAM avalanche photodiodes
机译:
高速共振腔SAM雪崩光电二极管
作者:
Nie H.
;
Anselm K.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
16.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
17.
Sub-10 nm imprint lithography and applications
机译:
SUB-10 NM印记光刻和应用
作者:
Krauss P.R.
;
Chou S.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
18.
GaN and AlGaN(p)/GaN p-i-n ultraviolet photodetectors
机译:
GaN和Algan(P)/ GaN P-I-N紫外光探测器
作者:
Xu G.
;
Salvador A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
19.
A new single-poly flash memory cell with low-voltage and low-power operations for embedded applications
机译:
具有低压和低功耗操作的新型单多闪存单元,用于嵌入式应用程序
作者:
Min-Hwa Chi
;
Bergemont A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
20.
A novel transient current technique to characterize process-induced thin oxide damage
机译:
一种新型瞬态电流技术,其特征诱导薄氧化氧化物损伤
作者:
Balasinski A.
;
Singhal P.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
21.
6H-SiC CMOS digital ICs operating on a 5 V power supply
机译:
6H-SIC CMOS数字IC在5 V电源上运行
作者:
Ryu S.
;
Kornegay K.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
22.
Enhancement of drain current in vertical SiGe/Si PMOS transistors using novel CMOS technology
机译:
采用新型CMOS技术提高垂直SiGE / Si PMOS晶体管的漏极电流
作者:
Liu K.C.
;
Ray S.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
23.
InP based HFET structure grown and processed at very low temperatures below 300/spl deg/C
机译:
基于INP的HFET结构在低于300 / SPL DEG / C的非常低的温度下生长和加工
作者:
Henle B.
;
Kohn E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
24.
Demonstration of a 700 volt asymmetrical, 4H-SiC gate-turn-off thyristor (GTO)
机译:
示范700伏不对称,4H-SIC门关闭晶闸管(GTO)
作者:
Seshadri S.
;
Agarwal A.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
25.
Emission characteristics of JFET-based field emitter arrays
机译:
基于JFET的场发射器阵列的排放特性
作者:
Yokoo K.
;
Arai M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
26.
Polysilicon thin film transistors fabricated at 100/spl deg/C on a flexible plastic substrate
机译:
多晶硅薄膜晶体管在柔性塑料基板上以100 / SPL DEG / C制造
作者:
Carey P.G.
;
Smith P.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
27.
Oxide defined AlAsSb/InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors with a buried metal extrinsic base
机译:
具有掩埋金属外在基础的氧化物定义了艾拉斯巴/ InGaAs / InP异质结双极晶体管
作者:
Lear K.L.
;
Blum O.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
28.
High power operation of 4H-SiC MESFETs at 10 GHz
机译:
10 GHz的4H-SIC MESFET的高功率操作
作者:
Sriram S.
;
Smith T.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
29.
Polarization switching in vertical-cavity surface emitting lasers observed at constant active region temperature
机译:
在恒定有源区域温度下观察到的垂直腔表面发射激光器的偏振切换
作者:
Chilla J.L.A.
;
Martin-Regalado J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
30.
25 nm wavelength range tunable vertical cavity lasers
机译:
25 nm波长范围可调垂直腔激光器
作者:
Sugihwo F.
;
Larson M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
31.
Avalanche photodiode (APD) noise dependence on avalanche region width
机译:
雪崩光电二极管(APD)噪声依赖于雪崩区宽度
作者:
Li K.F.
;
Ong D.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
32.
4H-SiC buried gate field controlled thyristor
机译:
4H-SIC BURIDE GATE FIRES控制晶闸管
作者:
Singh R.
;
Irvine K.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
33.
Reduced 1/f noise and g/sub m/ degradation for sub-0.25 /spl mu/m MOSFETs with 25 /spl Aring/-50 /spl Aring/ gate oxides grown on nitrogen implanted Si substrates
机译:
具有25 / SPR的SUP-0.25 / SPL MU / M MOSFET的1 / F噪声和G / SUB M /劣化,用25 / SPL浇灌/ -50 / SPL浇筑/浇口氧化物在氮气植入的Si衬底上生长
作者:
Liu C.T.
;
Misra D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
34.
A novel Si bistable diode
机译:
A novels i bistable diode
作者:
Xuegen Zhu
;
Xinyu Zheng
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
35.
Fabrication and simulation of Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P/In/sub x/Ga/sub 1-x/As doped-channel FETs and MMIC amplifiers grown by GSMBE
机译:
Ga / sub 0.51 / in / sub x / ga / sub 1-x /作为掺杂通道FET和GSMBE的掺杂通道FET和MMIC放大器的制造和仿真
作者:
Shey-Shi Lu
;
Yo-Sheng Lin
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
36.
Experimental and analytical studies on CMOS scaling in deep submicron regime including quantum and polysilicon gate depletion effects
机译:
深度亚微米政权中CMOS缩放的实验分析研究,包括量子和多晶硅栅极耗尽效应
作者:
Kai Chen
;
Chenming Hu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
37.
High-speed InP/InGaAs uni-traveling-carrier photodiodes with 3-dB bandwidth over 150 GHz
机译:
高速InP / Ingaas Uni-Travel-载波光电二极管,具有超过150 GHz的3 dB带宽
作者:
Shimizu N.
;
Watanabe N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
38.
Passivation effects of ion plating capping oxide on poly-Si TFTs
机译:
离子电镀覆盖氧化物对多Si TFT的钝化作用
作者:
Ching-Fa Yeh
;
Tai-Ju Chen
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
39.
900 V DMOS and 1100 V UMOS 4H-SiC power FETs
机译:
900 V DMOS和1100 V UMOS 4H-SIC电源FET
作者:
Casady J.B.
;
Agarwal A.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
40.
Characterization of inversion layer carrier profile in deep-submicron p-MOSFETs
机译:
深亚微米P-MOSFET中反转层载体谱的表征
作者:
Bin Yu
;
Imai K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
41.
A wavelength and polarization detector using monolithically integrated subwavelength MSM photodetectors
机译:
使用单整体集成的子波长MSM光电探测器的波长和偏振检测器
作者:
Schablitsky S.J.
;
Chen E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
42.
Photonic integrated wavelength-selective receivers based on tapered grating-assisted codirectional couplers
机译:
基于锥形光栅辅助辅助耦合器的光子集成波长选择接收器
作者:
Yu-Heng Jan
;
Fish G.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
43.
First diamond power FET structure
机译:
第一个钻石电源FET结构
作者:
Gluche P.
;
Aleksov A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
44.
Temperature compensation technique of GaAs FET by rotating the gate orientation
机译:
通过旋转栅极取向GaAs FET的温度补偿技术
作者:
Furukawa H.
;
Tanaka T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
45.
A 0.1 /spl mu/m IHLATI (indium halo by large angle tilt implant) nMOSFET for 1.0 V low power application
机译:
0.1 / SPL MU / M ihlati(大角度倾斜植入铟铟)NMOSFET为1.0V低功率应用
作者:
Young Jin Choi
;
Byung-Gook Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
46.
1000/spl deg/C operation of diamond Schottky diode
机译:
钻石肖特基二极管1000 / SPL DEG / C操作
作者:
Vescan A.
;
Daumiller I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
47.
Effect of Ge profile on the frequency response of a SiGe pFET on sapphire technology
机译:
GE型材对蓝宝石技术SiGe PFET频率响应的影响
作者:
Mathew S.J.
;
Ansley W.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
48.
Comparative study of several anti-punchthrough designs for buried channel PMOSFET
机译:
埋地频道PMOSFET几种防风槽设计的比较研究
作者:
Jeonghwan Son
;
Seungho Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
49.
Low-switching energy resonant-tunneling photodetectors
机译:
低开关能量谐振隧道光电探测器
作者:
Moise T.S.
;
Goldsmith C.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
50.
Transistor operations in 30-nm-gate-length EJ-MOSFETs
机译:
30-NM栅极长度EJ-MOSFET中的晶体管操作
作者:
Kawaura H.
;
Sakamoto T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
51.
High-speed operation of a resonant tunneling flip-flop circuit employing a MOBILE (monostable-bistable transition logic element)
机译:
采用移动(单稳态 - 双稳态转换逻辑元件)的谐振隧道触发器电路的高速操作
作者:
Maezawa K.
;
Matsuzaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
52.
Demonstration of Ga/sub 2/O/sub 3/(Gd/sub 2/O/sub 3/)/InGaAs enhancement-mode n-channel MOSFETs
机译:
GA / SUB 2 / O / SUB 3 /(GD / SUB 2 / O / SUB 3 /)/ INGAAS增强模式N沟道MOSFET的演示
作者:
Ren F.
;
Hong M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
53.
High current and transconductance AlGaN/GaN MODFETs at elevated temperatures
机译:
高温高电流和跨导AlGaN / GaN Modfets在升高的温度下
作者:
Aktas O.
;
Fan Z.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
54.
A wide and continuously tunable (30 nm) detector with uniform characteristics over tuning range
机译:
宽且无持续调谐(30nm)检测器,具有均匀的调谐范围特性
作者:
Li G.S.
;
Yuen W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
55.
High gain 4H-SiC static induction transistors using novel sub-micron airbridging
机译:
高增益4H-SIC静电感应晶体管采用新型亚微米空气缠结
作者:
Siergiej R.R.
;
Morse A.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
56.
Gated-four-probe a-Si:H thin-film transistor structure
机译:
门控 - 探针A-Si:H薄膜晶体管结构
作者:
Chun-Ying Chen
;
Chun-Sung Chiang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
57.
Temporal characterization of CMOS circuits by time resolved emission microscopy
机译:
时间分辨发射显微镜通过时间分辨率的时间表征CMOS电路
作者:
Tsang J.C.
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Kash J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
58.
An advanced SiC nuclear radiation detector
机译:
先进的SIC核辐射探测器
作者:
Seshadri S.
;
Dulloo A.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
59.
Energy spectrum of the quantum-dot in a Si single-electron-device
机译:
Si单电子器件中量子点的能谱
作者:
Ishikuro H.
;
Hiramoto T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
60.
High speed and high power AlGaN/GaN MODFETs
机译:
高速和高功率AlGaN / GaN Modfets
作者:
Wu Y.-F.
;
Keller B.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
61.
Quantitative simulation of strained and unstrained InP-based resonant tunneling diodes
机译:
应变与非狭窄的基于INP的谐振隧穿二极管的定量模拟
作者:
Klimeck G.
;
Boykin T.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
62.
Planar laterally oxidized VCSELs for high density laser arrays
机译:
用于高密度激光器阵列的平面横向氧化Vcsels
作者:
Thornton R.L.
;
Chua C.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
63.
A 400 GHz fmax transferred-substrate HBT integrated circuit technology
机译:
<400 GHz FMAX转移基板HBT集成电路技术
作者:
Pullela R.
;
Lee Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Device Research Conference》
|
1997年
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