机译:具有由GaAsSb接触层和InGaAsSb梯度层组成的混合基础结构的InP基双异质结双极晶体管的金属有机化学气相沉积的组成和掺杂控制
机译:亚皮秒非本征延迟时间的毫米波InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:氧化物定义的AlAsSb / InGaAs / InP异质结双极晶体管,具有埋入的金属本征基极
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于溶液处理的半导体金属氧化物异质结和拟超晶格的高电子迁移率薄膜晶体管
机译:碳源对C掺杂基极InP / InGaAs异质结双极晶体管热稳定性的影响
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。