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陈维友; 刘式墉;
吉林大学电子科学系,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区;
异质结; 双极晶体管; 优化设计; CAA;
机译:InP-lnAIAs复合发射极抑制InP / GaAsSb双异质结双极晶体管的表面重组
机译:在重掺杂InP发射极层上具有低电阻触点的InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:在基极-集电极结处具有InGaAsP隔离层的InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
机译:通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:条形几何结构的InGaAsP / InP异质结双极晶体管,适用于光学集成
机译:p + -Inp / n-Inp / n-InGaasp光电二极管的电容 - 电压特性计算
机译:基于InP的异质结双极晶体管,在同一晶片上具有发射极-发射极和发射极-下降曲线
机译:PP杂质在INP或INGAASP中的选择性扩散方法
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