机译:SiGe源极和漏极,可提高高密度4 Gb DRAM技术中外围PMOS晶体管的性能
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机译:使用45 nm CMOS技术的PMOSFET中SiGe源/漏(S / D)应变引起的缺陷的调查和定位
机译:使用新型CMOS技术增强垂直SiGe / Si PMOS晶体管的漏极电流
机译:在标准CMOS技术中实现垂直双极晶体管,用于设计低成本BICMOS集成电路
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
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