机译:大角度倾斜植入(AHLATI)MOSFET的0.1- / splμ/μm / m不对称光晕,可实现高性能和可靠性
机译:晕圈植入物中倾斜角变化对0.14- / splμm/ m CMOS器件的V / sub th /值的影响
机译:0.35- / spl mu / m,6-m / spl Omega /,43 / spl mu // spl Omega / -cm / sup 2 /横向功率MOSFET,适用于低压,兆赫兹开关电源应用
机译:适用于1.0 V低功耗应用的0.1 / spl mu / m IHLATI(大角度倾斜注入的铟晕)nMOSFET
机译:适用于药物输送应用的可植入式微泵系统的低功率,低电压电渗致动器。
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测