机译:快速热退火对不同栅氧化层厚度的多晶硅TFT的影响
机译:离子注入和脉冲激光退火在多晶硅TFT中的缺陷钝化
机译:热载流子应力下具有NH_3等离子体钝化的Trigate纳米线多晶硅TFT的降解行为
机译:离子镀覆盖氧化物对多晶硅TFT的钝化作用
机译:对具有薄界面钝化层的III-V衬底上基于二氧化ha的MOSCAP和MOSFET的研究
机译:铁氟龙/ SiO2双层钝化层可提高采用新型双光掩模自对准工艺制造的氧化物TFT的电气可靠性
机译:P型PI型聚-SI结累积蓄能模式TFTS上氧化二氮氮化温度的研究