LEC法

摘要： 以塔山白洞井为工程背景,全面科学地辨识矿井瓦斯危险源,采用LEC法进行安全风险评估。通过危险源辨识评估,通风瓦斯危险因素分为2类16种,其中1项列为重大风险,3项列为较大风险,8项列为一般风险,4项列为低风险,从管理和技术两方面提出管控措施,对媒矿瓦斯危险源的预控实施有效管理,实现煤矿的安全生产。

摘要： 为了准确分析偏压连拱公路隧道工程开挖和初支护施工过程主要危险因素,文章采用LEC法进行风险估测,以便针对高度危险因素和显著危险因素编制预防对策和管理方案,保证施工安全,为该类型公路隧道开挖和初支护施工过程危险因素分析和施工安全评价提供有效的方法和途径。

摘要： 目前,船舶航道作业的范围以及执行要求在逐渐增多,这也就意味着在实际应用的过程中存在的问题以及缺陷也在不断出现。因此,对基于LEC法的航道作业单元风险评价方法进行设计与研究。进行航道安全评价指标权重的计算,建立重叠航道风险评价指标体系,采用LEC法创建熵权模糊的评价模型,结合变异差值法与LEC法实现航道作业单元风险评价,最终的测试结果表明:在不同的单元测试评价熵值情况下,对比于传统测算单元风险评价测试法,本文所设计的LEC单元风险评价测试法最终得出的单元模糊风险评价概率误差相对较小,表明其评价的效果更佳,评价的范围也相对较大,说明其模糊的实际质数有所延伸,具有实际的使用意义。

摘要： 海域环境承台围堰施工存在诸多安全隐患,进行安全风险评估是安全施工的重要前提。本文运用LEC法对新江南大桥承台围堰施工全过程的安全风险进行辨识与评估,将承台围堰施工过程中的各项作业安全风险进行了评估,指出了在承台围堰施工过程中的高危险作业程序,进而根据辨识出的安全风险等级制定了相应的安全管控措施。研究成果可以有效地指导施工过程中的安全管理工作,同时也可为类似的海域环境承台围堰施工提供指导。

摘要： 文章以城镇供水监测实验室中的气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)为研究对象,对试验准备、试验前处理、仪器运行和关机维护4个阶段的危险源进行识别,应用LEC综合评价法对GC-MS的危险源进行评价定量评价,得出GC-MS在试验4个阶段的危险性D值。并针对GC-MS在不同试验阶段存在的安全隐患提出了相应的整改措施,以降低发生危险事故的可能性,保障仪器设备高效安全地运行,为城镇供水安全保障提供科学准确的数据支撑。

摘要： 为提高隧道工程施工的安全性,降低风险源对施工人员人身安全造成的影响,引进LEC法,设计一种全新的隧道施工安全风险评估方法,在评价中全面考虑安全管理模式、施工水平等因素对工程安全性造成的影响.以桦皮岭隧道施工工程项目为例开展实例应用分析,首先分解隧道工程施工作业程序,结合围岩级别与围岩特征,整理隧道工程施工安全风险源普查清单;然后对安全事故的发生概率、施工人员暴露程度、安全事故对工程施工带来的后果与损失进行等级划分及赋值,实现对风险的量化;最后划分评估结果分级,根据工程对应的危险程度,提出对应的工程施工控制措施,实现对工程安全风险的评估.通过对实例工程提出的风险评估方法,可实现对项目风险的有效评估,并为施工提供更加可靠的安全保障.

摘要： 为进一步提升三峡通航安全风险管理水平和治理能力,结合三峡通航实际和特点,开展三峡通航安全全面风险辨识,选用条件危险性评价法(LEC)进行安全风险评估,形成安全风险分级分类管控清单,确定"载运危险货物船舶泄漏中毒、火灾爆炸风险"、"客渡船火灾、倾覆风险"、"通航建筑物断航风险"、"船舶漂流撞坝风险"4项风险为三峡通航重大安全风险.

摘要： 在高校教学科研实验室安全管理过程中,如何识别实验室内第二类危险源以及客观准确地对实验室安全风险进行评价是实验室安全工作的重点之一.通过层次分析法AHP改进现有的LEC评价法,最后采用专家评分法对实验室危险源进行LEC赋值并计算出实验室危险源风险分值,从而有针对性地进行人防与物防的安全管理,保障学校实验室师生的人身和财产安全.

摘要： 设备安全防护措施的防护程度一直以来无量化的衡量标准,造成部分高风险设备因安全防护不到位而引发重大安全事故;部分低风险设备的安全防护措施过剩,造成资源浪费。本文利用概率论与数理分析的原理,建立一套设备安全措施评价标准,从而达到设备安全措施的量化管理。

摘要： 涉氨制冷企业属于事故高发型企业,常会发生液氨泄露、火灾爆炸等事故。为了防止事故的发生,需提升涉氨制冷企业的安全管理水平。文章根据企业的实际情况,构建了具体的隐患排查技术体系和处理系统流程,并结合LEC法对冷库进行危险性评估,形成了涉氨制冷企业的隐患排查防控技术和危险性评价方法。现场应用表明该方法可行。可见,该研究对于保证涉氨制冷企业的安全运行和提高安全管理水平具有指导意义。

摘要： 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

摘要： 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

摘要： 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

摘要： 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

摘要： 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

摘要： 本文通过对风险管理思想的阐述,讨论了其在工业企业中应用的一些实际问题,并对常用风险评价方法LEC的取值进行了详细探讨,将安全成本观点应用于风险管理之中,讨论了风险管理与安全成本间的关系.

摘要： 本文通过对风险管理思想的阐述,讨论了其在工业企业中应用的一些实际问题,并对常用风险评价方法LEC的取值进行了详细探讨,将安全成本观点应用于风险管理之中,讨论了风险管理与安全成本间的关系.

摘要： 本文通过对风险管理思想的阐述,讨论了其在工业企业中应用的一些实际问题,并对常用风险评价方法LEC的取值进行了详细探讨,将安全成本观点应用于风险管理之中,讨论了风险管理与安全成本间的关系.

摘要： 本文通过对风险管理思想的阐述,讨论了其在工业企业中应用的一些实际问题,并对常用风险评价方法LEC的取值进行了详细探讨,将安全成本观点应用于风险管理之中,讨论了风险管理与安全成本间的关系.

摘要： 本文通过对风险管理思想的阐述,讨论了其在工业企业中应用的一些实际问题,并对常用风险评价方法LEC的取值进行了详细探讨,将安全成本观点应用于风险管理之中,讨论了风险管理与安全成本间的关系.

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明涉及LEC2基因在提高植物低氮胁迫耐受性上的应用，属于基因工程领域，在此基础上进一步提供一种提高植物低氮胁迫耐受性的方法，即首先构建含有LEC2转录因子的重组植物表达载体；然后将构建的重组植物表达载体转化到植物组织或细胞中异位表达；培育筛选出低氮胁迫耐受性增强的转基因植株。本发明首次揭示了LEC2转录因子在提高植物低氮胁迫耐受性方面的新应用，对于提高植物氮肥利用效率，发展节约型农业模式具有重要意义。

摘要： 本发明提供一种基于LEC冷光的移动广告灯箱，该基于LEC冷光的移动广告灯箱，包括箱体，所述箱体的一侧设置有折叠组件，所述箱体底部的四角均固定连接有移动轮，所述箱体的顶部固定连接有灯箱，所述灯箱的一侧固定连接有第一支撑板，所述灯箱远离第一支撑板的一侧固定连接有第二支撑板，所述第一支撑板和第二支撑板的底部均与箱体的顶部固定连接，所述灯箱的内壁设置有冷光广告板，所述折叠组件包括固定块和固定轴，所述箱体的一侧固定连接有固定块。本发明提供的基于LEC冷光的移动广告灯箱解决了现有的很多广告灯箱质量比较大，在将这些灯箱在放置到指定位置时，移动起来费时费力，不够方便的问题。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明公开了一种基于LEC的动态安全风险评价方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，采用LEC法定量计算固有风险值；步骤二，根据所述固有风险值计算动态风险值；步骤三，根据风险对人身伤害的程度划分风险等级；步骤四，根据所述风险等级设定对应的所述动态风险值。主要以现场管控和监护措施为主，更合理、更全面的细化了风险评价的场景、各场景下的风险因素，并与风险等级相对应，避免了固有风险评价时的局限性和经验主义。

摘要： 本发明提供了一种基于改进的LEC风险隐患双重预防体系构建方法。方法包括：步骤1、合理划分风险评估单元；步骤2、辨识危险源(危险、有害因素)；步骤3、基于改进的LEC方法确定风险等级；步骤4、风险分级管控；步骤5、隐患等级的确定与划分；步骤6、编制隐患排查清单；步骤7、隐患排查治理；步骤8、评审和持续改进。本发明引入现有管控措施的失效频率概念，实现动态风险等级的确定与划分，同时将现有管控措施的失效定义为事故隐患，隐患排查治理在风险分级管控的基础上，与现有管控措施相关联，构建更符合企业实际的风险隐患双重预防体系，真正实现事故预防为主，源头治理。

摘要： 本发明属于生物技术领域，具体涉及一种改造CHO‑lec2细胞提高抗体糖链中半乳糖含量的方法。本发明对抗体生产常用细胞株CHO‑lec2进行了研究，意外发现在此细胞株的遗传背景下过表达GT，可以显著提高CHO‑lec2细胞所表达的抗体的糖链中半乳糖含量。

摘要： 本实用新型公开了LEC‑III低氮燃烧系统清吹阀开关自动计时电路，包括清吹阀VA13‑1和VA13‑2的控制信号l20pgt1和l20pgt2，VA13‑1和VA13‑2的关闭、打开状态指示信号L33pg1c、L33pg3c、L33pg2o、L33pg4o，与门，计时器；VA13_1_TO、VA13_1_TC为清吹阀VA13‑1开、关计时信号、VA13_2_TO、VA13_2_TC为清吹阀VA13‑2开、关计时信号；其中，l20pgt1、L33pg1c取非，2者并联以后依次连接第一与门、第一计时器的计时端S端(计时器端)，形成清吹阀VA13‑1的关信号VA13_1_TC；l20pgt1取非、L33pg2o取非，2者并联以后依次连接第二与门、第二计时器的计时端S端，形成清吹阀VA13‑1的开信号VA13_1_TO。