注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统

摘要

本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。