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19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨

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长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|78-80|共3页
会议地点大连
作者
王文军; 惠峰; 高永亮; 王志宇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.054;
关键词
投料量; LEC法; 单晶生长; GaAs材料; 半导体材料;
入库时间 2022-08-17 11:03:28

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