退火时间

摘要： 针对近α型Ti-6.0A1-3.0Zr-0.5 Sn-1.0Mo-1.5Nb-1.0V新型钛合金,在退火温度740°C的基础上,研究了退火时间对其组织与力学性能的影响.结果 表明:经过3次真空自耗电弧炉熔炼,三火热轧后得到的板材组织由初生α相基体及β转变组织组成的部分再结晶组织和加工态组织等组成.随着退火时间的增加,退火板材的显微组织均以初生α相为主,且α相所占的比例从81.73％逐渐增加至85.61％,组织中长条状α相逐渐破碎球化,等轴α相开始均匀化、粗化.随着退火时间的增加,退火板材的延伸率逐渐增加,抗拉强度先降低再增加然后又降低,屈服强度先增加后降低,显微硬度先增加后降低.退火时间为1h时,板材的断口由滑移带、涟波、小等轴韧窝组成,断裂方式为韧性断裂,退火时间大于等于2h时,板材的断口完全由等轴韧窝组成,断裂方式为韧性断裂.最佳退火工艺为740°C退火2h,此时板材的抗拉强度、屈服强度、延伸率和显微硬度分别为:984 MPa、941 MPa、15.27％、HV 347.67.研究结果对高强耐蚀钛合金退火工艺的制定有指导作用,为解决钛合金在实际生产中遇到的问题提供了科学依据.

摘要： 为开发出高能量密度镍氢电池负极材料,采用真空感应熔炼的方法制备了La_(0.79)Mg_(0.21)Ni_(3.95)储氢合金,对比分析了铸态和退火态储氢合金的物相组成、显微形貌和电化学性能。结果表明,铸态和800°C/24 h退火态La_(0.79)Mg_(0.21)Ni_(3.95)储氢合金中都只含有LaNi5和(La,Mg)_(2)Ni_(7)相;升高温度至900°C及以上时,储氢合金中形成了不同含量的(La,Mg)5Ni19和(La,Mg)_(6)Ni_(24)相。900°C/24 h退火态储氢合金的可逆吸放氢性能要高于950°C/48 h退火态储氢合金。铸态和退火态储氢合金都在前3周循环过程中到达了最大放电比容量,950°C/48 h退火态储氢合金中主要为(La,Mg)_(6)Ni_(24)相,其具有较高的循环稳定性。铸态和退火态La_(0.79)Mg_(0.21)Ni_(3.95)储氢合金具有良好的电化学活化性能,高倍率放电性能(HRD1500)从高至低的顺序依次为950°C/48 h、950°C/24 h、900°C/24 h、800°C/24 h、铸态;储氢合金的HRD1500与氢扩散速率(D)和交换电流密度(I_(0))的变化趋势相同,950°C/48 h退火态储氢合金具有最大的HRD1500,这主要与合金电极中含有61.8%(质量分数)的(La,Mg)_(6)Ni_(24)相、具有较高的D和I_(0)有关。

摘要： 针对冷轧罩式退火厚规格深冲钢冲压性能不稳定现象,借助光学显微镜、X射线衍射仪、拉力试验机等设备,研究了冷轧压下率和退火时间对Ti-IF深冲钢冲压性能的影响。结果表明,提高冷轧压下率、r值和抗拉强度呈增大趋势,n值变化不明显;延长退火时间,r值呈增大趋势,抗拉强度呈减小趋势,n值变化不明显。根据试验结果进行了工艺优化,{111}织构密度增强,产品冲压性能改善明显。

摘要： 为了研究退火工艺对平面型倒置钙钛矿太阳能电池性能的影响,利用MAPbI_(x)Cl_(3-x)作为光活性层,PEDOT:PSS为空穴传输层,PC_(61)BM为电子传输层,BCP为阴极界面修饰层,系统研究了退火时间对钙钛矿薄膜的微观形貌、结晶性能、光吸收性能等的影响规律,探索了退火工艺对钙钛矿太阳能电池性能的影响。实验结果表明,退火时间为5 min时可获得高平整度、高结晶性及高吸光性的钙钛矿薄膜。基于这一钙钛矿薄膜,最终获得了最高效率达15.79%的倒置平面型钙钛矿太阳能电池器件。此外,该类型器件还具有出色的稳定性能及低回滞效应。

摘要： 以Mg_(2)Si烧结靶为靶材,采用磁控溅射法在Si、石英和Al_(2)O_(3)衬底上先沉积一层Mg_(2)Si非晶薄膜,再进行退火处理,研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg_(2)Si多晶薄膜结构的影响。结果表明:Si、石英、Al_(2)O_(3)三种衬底上Mg_(2)Si薄膜的最优退火温度和退火时间均为350◦C和1 h。Al_(2)O_(3)衬底上的Mg_(2)Si薄膜结晶质量最佳,Si衬底上的薄膜次之,石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想,分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同。

摘要： 利用自主设计的交叉波纹辊,对Mg/Al复合板进行热轧实验,测试其横向(TD)和轧向(RD)的抗拉强度,并研究了不同退火时间对复合板微观组织和力学性能的影响。结果表明,在总压下率为37.5%,退火温度250°C下分别退火2 h和4 h,结合界面生成了金属间化合物层(IMCs),靠近5052侧为Mg_(2)Al_(3)相,靠近AZ31B侧为Mg_(17)Al_(12)相,其厚度随退火时间的升高而增加;经过退火处理,复合板TD抗拉强度从309.33 MPa降低到276.06 MPa,RD抗拉强度从302.09 MPa降低到274.21 MPa,但是延伸率TD方向从5.25%增加到23.24%,RD方向从3.05%增加到22.74%,随着退火时间的增加,延伸率基本稳定。本研究为具有高性能Mg/Al复合板的制备提供了实验和技术参考。

摘要： 第三代半导体β-Ga_(2)O_(3)因其优异的性质在近年来备受国内外的关注,而获得质量较好的β-Ga_(2)O_(3)薄膜也就成了其广泛应用的关键.本文采用射频磁控溅射方法,以C面蓝宝石(Al_(2)O_(3))为衬底制备β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并研究后退火工艺中退火时间对制得的β-Ga_(2)O_(3)薄膜材料的影响.XRD和AFM表征结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的衍射峰强度表现为先增大后减小再增大的特性,半峰宽为先增大后减小,而晶粒尺寸与半峰宽相反;薄膜表面粗糙程度呈现先下降后上升的趋势.另外,利用积分球式分光光度计测试了薄膜的光学特性,结果表明薄膜的吸收光谱存在两个吸收峰值,分别位于250 nm和300 nm附近处,在深紫外区域有较好的吸收特性.

摘要： 采用射频磁控溅射的方法制备了MoO_(x)薄膜,并对MoO_(x)薄膜进行不同气氛和时间的退火处理.退火使MoO_(x)薄膜的氧空位增加,并改变了MoO_(x)薄膜的晶相、电阻率和表面形貌.测试结果表明:未退火MoO_(x)薄膜的表面不存在明显晶粒,且只包含1个单斜相衍射峰和较少的氧空位,这导致未退火MoO_(x)薄膜的电阻率最高.当氮气做退火气氛时,MoO_(x)薄膜表面存在均匀分布且生长取向相同的微粒,单斜相衍射峰数目更多,电阻率最低;在氮氢混合气中退火的MoO_(x)薄膜表面存在团簇,且电阻率约为氮气退火MoO_(x)薄膜的2倍.此外,当分别用氮气和氮氢混合气退火时,MoO_(x)薄膜均呈现出随退火时间延长,氧空位含量增加,电阻率进一步降低的趋势.

摘要： 为研究辐照缺陷产生及其热稳定性,对SiC晶体实施了不同通量中子辐照.利用高分辨X射线衍射和单晶X射线衍射研究了中子辐照6 H-SiC晶体的肿胀效应以及退火对肿胀的回复作用.研究结果表明,SiC晶体经中子辐照后产生的主要缺陷是点缺陷,中子辐照通量越大,SiC晶体肿胀效应越显著.在2.85×1024 n/m2辐照通量下,SiC晶体未出现非晶化.高温退火可使肿胀的SiC晶格回复,1450°C退火275 min晶胞参数回复至辐照前水平.退火过程晶胞体积回复符合一级反应方程,利用等温退火方法计算分析迁移能分布.实验发现不同缺陷迁移能分别对应不同退火温度阶段:0.16 eV对应200～500°C退火;0.24 eV对应600～1100°C退火;1.15 eV对应1200～1400°C退火.200～500°C温度区间主要是C的Frenkel缺陷复合;600～1100°C温度区间主要是Si的Frenkel缺陷复合;更高温度区间1200～1400°C则对应C、Si间隙原子复合.实验结论对全面掌握晶体测温技术、提高测温精度具有一定的指导意义.

摘要： 为了提高4043铝合金焊丝的生产效率、降低加工成本,研究了退火温度和退火时间对4043铝合金杆抗拉强度和伸长率的影响.根据研究结果,结合下游客户的焊丝加工要求,建议采用420-460°C、4-6h的退火工艺.

摘要： 利用EBSD及磁性检测分析技术研究了退火时间对双辊铸轧3％Si无取向硅钢再结晶组织、织构及磁性能的影响.研究表明,3％Si无取向硅钢孕育期短,再结晶速度快,其再结晶过程分为回复、再结晶、快速长大、缓慢长大与再次长大五个阶段.再次长大阶段晶粒尺寸明显增大,但完成再次长大需要在1000°C保温10min以上.退火时间对织构的形成也有一定的影响,短时间退火对立方及高斯织构的形成有利.

摘要： 本文以玻璃为沉底材料,采用直流溅射工艺制备ZnO:Ga 薄膜.研究在不同退火时间下,ZnO:Ga 薄膜的结构特性,光学特性以及电学性能的变化情况.通过XRD和SEM 测试发现随着退火时间的增长,晶粒尺寸逐渐变大,但是成膜质量先变好后变坏,退火时间控制在90 分钟时可以得到最优质量的薄膜.在此过程中,薄膜的透射率也呈现先增加后减小的趋势,退火时间60 分钟后达到最大的透过率.通过检测其电阻率,发现其变化呈现先减小后增加的趋势,在90 分钟退火时可以达到最小的电阻率.综合考虑,可以发现退火时间控制在90 分钟时可以得到最优的薄膜.

摘要： 抗菌不锈钢兼具结构材料和抗菌功能材料的双重特点,极大地拓宽了抗菌材料的应用领域,尤其是低成本的铁素体抗菌不锈钢.开发和应用具有优良抗菌性能的抗菌不锈钢既可带来巨大的经济效益,又可产生广泛的社会价值.退火工艺对试验钢析出行为具有显著影响.随抗菌退火温度的升高和抗菌退火时间的延长,析出相形状由球状向杆状转变,析出相尺寸和平均间距均增大.试验钢宜采用固溶+抗菌退火的制备工艺.在800°C时,随退火时间的延长,抗菌率不断增加,退火时间为1h后,抗菌率超过99％.析出相数量和尺寸达到获得良好抗菌性能的临界值,分别为(54.1±2.0)nm和173/100μm.

摘要： 简要阐述了5052合金稳定化处理的机理,并从冷加工率、退火温度、退火时间几个方面确定了5052-H32产品的生产工艺制度.初步验证了5052合金拉伸应变硬化指数(n值).

摘要： 采用溶胶凝胶法,以钛酸四丁酯,乙酰丙酮和水杨酸做前驱体,溶于乙醇,在石英基板上旋涂后通过900°C退火处理,制备了电阻率低至-1×10-2Ω·cm的TiO2-C复合薄膜.复合薄膜中TiO2处于非晶态,石墨结晶C镶嵌其中起到了提高导电性的结果.通过高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱等研究了复合薄膜的结构,并且研究了热处理时间对复合薄膜结构和性能的影响.

摘要： 采用光学显微镜和扫锚电镜观察了 6061变形铝合金铸棒的原始组织和不同扩散退火温度下变形铝合金组织形态，并用电子能谱分析了606l铝合金铸棒中化合物成分。分析表明，由于铸造过程使铸棒表层与中心化合物析出量不同，采用不同温度扩散退火会引起铸棒表层与中心组织和相发生变化。通过分析扩散退火组织变化，研究了一种缩短6061变形铝合金铸棒扩散退火时间的新工艺。

摘要： 采用光学显微镜、微控电子万能试验机和布氏硬度机等仪器，研究了不同时间的均匀化处理对6061铝合金组织和布氏硬度值。分析了时间对均匀化退火的影响以及伸长率随时问的变化，研究表明：时间是均匀化处理退火的必要因素，并且扩散随着时问的延长而更加充分。

摘要： 随着磁记录密度的不断提高,磁记录的单元变得越来越小,为了保证较高的信噪比,晶粒尺寸也要求越来越小.由于热扰动的影响,当铁磁材料的颗粒尺寸减小到几个纳米时,就会出现超顺磁现象.为了避免超顺磁的出现,材料需要大的磁晶各向异性常数.L10-FePt以其高的磁晶各向异性能、高的矫顽力以及优异的化学稳定性而成为未来高密度垂直磁记录介质的候选材料之一.无论用物理气相沉积法(PVD)还是化学自组装法得到的制备态FePt薄膜大多为fcc结构的FePt,须经后续退火处理方能得到fct结构的L10-FePt.然而当退火温度较高时,FePt颗粒容易聚集长大,不利于磁纪录.在用PVD法制备FePt薄膜的研究领域中,人们尝试了基片原位加热、离子辐照等多种方法降低FePt薄膜的有序化温度,并取得了较大的成功.而在降低化学自装FePt薄膜有序化温度方面,研究工作报道的较少.本文对化学自装FePt薄膜采用快速退火的方法得到L10-FePt,并研究退火时间和温度对薄膜微结构的影响。

摘要： 在实际的冻干操作中,冻干容器内部产生了形状和大小各异的冰晶颗粒,而冰晶的大小和形状直接影响后续的干燥速率以及干燥制品的质量.在文献中,理论分析表明在干燥步骤之前引入退火操作有改变冰晶形态和大小分布和强化结晶等作用.本文通过不同退火操作参数的实验结果对比,来探讨退火操作对干燥过程的影响.

摘要： 在实际的冻干操作中,冻干容器内部产生了形状和大小各异的冰晶颗粒,而冰晶的大小和形状直接影响后续的干燥速率以及干燥制品的质量.在文献中,理论分析表明在干燥步骤之前引入退火操作有改变冰晶形态和大小分布和强化结晶等作用.本文通过不同退火操作参数的实验结果对比,来探讨退火操作对干燥过程的影响.

摘要： 本发明公开了具有超短停留时间的激光退火系统及方法。该方法包括利用预加热线图像来局部地预加热半导体晶片，然后相对于预加热线图像快速地扫描退火图像以定义具有停留时间在10ns到500ns范围内的扫描重叠区域。这些超短停留时间对于执行产品晶片的表面熔化退火或者次表面熔化退火是有用的，因为它们防止设备结构回流。

摘要： 一种以超短驻留时间对一半导体晶圆执行退火之雷射退火系统及方法。雷射退火系统可包括一或二激光束，其至少部分重迭。其中一激光束系为一预热激光束且其他激光束系为退火激光束。退火激光束以足够快的速度扫描以使驻留时间介于大约1微秒至100微秒之间。所述超短驻留时间对于产品晶圆的退火是有用的，所述产品晶圆系形成自薄装置晶圆，因为他们避免装置晶圆之装置侧因退火过程中的加热而受损。

摘要： 本发明公开了一种基于模拟退火算法的公交实时到站时间预测方法，包含以下的主要步骤：（1）基于历史行车数据建立不同站点不同班次的公交车历史运行时间的数据库；（2）采用模拟退火算法对历史运行时间数据进行训练，对数据进行聚类，形成一个基于时间段聚类的不同路段的平均行驶时间OD矩阵；（3）利用被预测公交车的动态运行信息来修正由模拟退火算法预测的平均行驶时间OD矩阵，得到该公交车的最佳平均行驶时间。本发明不仅充分发挥模拟退火算法在启发式迭代优化搜索算法方面的优势，而且还根据公交车运行的最新数据自动修正平均行驶时间OD矩阵中的参数，是一种动态的公交车到站时间预测模型和计算方法。

摘要： 本发明尤其涉及通过长时间退火可去除通路板或者通路盖层上的阻挡材料的方法。同时或作为替代，该长时间退火是一种使用阻挡材料(110)涂覆轨迹(106)的简单和直接的方法。

摘要： 本发明公开了一种短时间退火生产深冲级热浸镀层钢板及其生产方法，涉及热浸镀层钢板技术领域。该短时间退火生产深冲级热浸镀层钢板及其生产方法，所述原料化学成分重量百分比为：C≤0.002％，Si≤0.03％，Mn：0.08‑0.15％，P≤0.015％，S≤0.012％，Als：0.025‑0.045％，Ti：0.05‑0.07％，N≤0.004％。该短时间退火生产深冲级热浸镀层钢板及其生产方法，通过合理的化学成分设计，热轧、冷轧工艺控制及热浸镀退火工艺优化。使采用卧式炉生产的热浸镀层钢板具有深冲级产品的性能，满足强度和成型性能的匹配及优异表面质量。

摘要： 本发明公开了具有超短停留时间的激光退火系统及方法。该方法包括利用预加热线图像来局部地预加热半导体晶片，然后相对于预加热线图像快速地扫描退火图像以定义具有停留时间在10ns到500ns范围内的扫描重叠区域。这些超短停留时间对于执行产品晶片的表面熔化退火或者次表面熔化退火是有用的，因为它们防止设备结构回流。

摘要： 本发明属于特殊钢加工技术领域，涉及一种通过控轧控冷工艺缩短GCr15轴承钢球化退火时间的方法。该方法包括轧制和退火的步骤，轧制步骤为：开轧温度为950～1000°C，终轧温度810～840°C，轧后冷速不小于15°C/s，水冷至200～630°C，当水冷后钢坯温度低于550°C时，将钢坯升温至550～630°C，随后等温2～10min后空冷或以0.1～3°C/s的冷速冷却至室温；当水冷后钢坯温度高于550°C时，将钢坯保温2～10min后空冷或以0.1～3°C/s的冷速冷却至室温。本发明所述的通过控轧控冷工艺缩短GCr15球化退火时间的方法，其热轧组织显著优化，球化退火工艺明显缩短，节省了能源，提高了生产效率。

摘要： 本发明涉及一种短时间退火生产超深冲热镀锌钢板及其生产方法，属于铁基合金技术领域。主要解决现有技术中采用卧式炉退火生产超深冲热镀锌钢板，因退火时间短，产品超深冲性能达不到要求的技术问题。本发明采用的技术方案是：一种超深冲冷轧热镀锌钢板，C：0.0009％～0.0018％，Si：≤0.03％，Mn：0.08％～0.13％，Ti：0.030％～0.062％，N≤0.0018～0.0036％，S≤0.004～0.008％，余量为Fe和不可避免的夹杂元素。其中Ti/(4C+3.4N+1.5S)比值1.3‑2.0，Mn/S比值10‑30。其钢板显微组织晶粒度级别为I6.0～I7.5级，屈服强度为130～165MPa，抗拉强度为280～310MPa，断后伸长率A80mm为40％～49％，适用于家电产品、五金具有超深冲成形加工要求部件，材料屈服强度低，成形可靠性高。

摘要： 本发明公开了一种降低镍包钢坯饼退火温度或时间的方法，该方法通过喷丸处理，在铁基坯饼表面实现自身改性，增加快速扩散通道。通过电镀，在喷丸坯饼表面沉积一定厚度的纯镍层。最后通过退火处理，实现铁镍之间快速扩散，使镀层与基体之间结合牢固。该方法在铁基坯饼电镀前引入成本低廉的喷丸表面处理，能够实现坯饼制作后期降低镍包钢坯饼退火温度或缩短退火时间的目的，降低能耗，提高生产效率。

摘要： 本发明属于特殊钢加工技术领域，涉及一种通过控轧控冷工艺缩短GCr15轴承钢球化退火时间的方法。该方法包括轧制和退火的步骤，轧制步骤为：开轧温度为950～1000°C，终轧温度810～840°C，轧后冷速不小于15°C/s，水冷至200～630°C，当水冷后钢坯温度低于550°C时，将钢坯升温至550～630°C，随后等温2～10min后空冷或以0.1～3°C/s的冷速冷却至室温；当水冷后钢坯温度高于550°C时，将钢坯保温2～10min后空冷或以0.1～3°C/s的冷速冷却至室温。本发明所述的通过控轧控冷工艺缩短GCr15球化退火时间的方法，其热轧组织显著优化，球化退火工艺明显缩短，节省了能源，提高了生产效率。