等离子处理

摘要： 硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向。本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象,通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电子能谱变化,探究有机发光性能的表面处理方法。结果显示,合适功率的等离子处理(O_(2):60 W或N_(2):80 W)能够显著提升硅基显示器件的发光亮度(O_(2):70%,N_(2):128%);同时,电流效率和功率效率分别提高了35%和58%。通过比较各个参数,等离子处理改变的Ti和N元素的价态被认为可提高界面载流子浓度和迁移率从而优化发光性能。该研究细化了一种新颖的硅基显示器件性能提升方法,为相关研究提供了方向。

摘要： 为改善丙纶非织造布在使用中出现的亲水性较差、易产生静电等现象,采用等离子处理机对丙纶非织造布进行改性处理,探究处理时间和处理功率对丙纶非织造布表面形貌、力学性能及亲水性能的影响。研究结果显示:等离子处理后的丙纶非织造布亲水性能均有所改善,且处理功率较处理时间对提高丙纶非织造布的亲水性能更明显;当处理功率为75 W、处理时间为2 min时,丙纶非织造布的断裂强力较处理前的损失较小,半衰期为10.42 s,静态接触角为37°,芯吸时间为600 s时芯吸高度为46 mm,亲水性能表现良好。

摘要： 为了提高氢燃料电池中超薄不锈钢极板的胶粘强度,通过3参数3水平的正交实验研究了等离子表面处理的工艺参数对超薄不锈钢极板的表面温度和胶粘强度的影响规律。结果表明:影响超薄不锈钢极板胶粘强度的工艺参数排序是喷嘴与极板之间的间距、喷嘴的扫描行间距、喷嘴的移动速度;影响其表面温度的主要工艺参数是喷嘴与极板之间的间距。获得了等离子表面处理的最佳工艺参数是喷嘴和极板的间距20 mm、喷嘴移动速度25 mm/s、扫描行间距4 mm,此时胶粘强度相比原始达到最大提升量达到1倍,而表面温度最低为102°C。

摘要： 为了增强黏接效果,试验中将TPU管分别等离子处理60、120、240 s作为试验组,未做等离子处理的TPU管作为对照组,对试验组和对照组进行接触角测试.试验表明:120 s是最佳的等离子处理时间.将试验组和对照组分别以相同的黏接工艺与ABS接头黏接,对黏接后的样品使用点光源固化机进行黏接固化,对黏接后的样品使用伺服控制拉力试验机进行断裂力测试.结果表明:等离子处理120 s的对照组断裂力值最大,且黏接稳定性较好.

摘要： 人工晶状体(IOL)植入是白内障病人重见光明的最有效方法,该技术的应用给眼科领域带来了一次飞跃.多年来IOL的发展并未停止,一方面是对主体材料的开发及优化,另一方面集中在IOL材料的表面修饰.目前用以制备IOL的材料以丙烯酸酯类材质为主,而晶状体材料的表面修饰多以肝素涂层为主,其目的在于改善IOL生物相容性,减少术后炎症反应.本研究先讨论了肝素修饰人工晶状体的意义,然后对丙烯酸酯材料人工晶状体表面肝素涂层进行介绍,着重介绍了等离子处理在肝素涂层过程中的作用,并设计实验进行验证.

摘要： 在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步.本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突触性能的影响.具体对绝缘层不同等离子处理时长的OTFT进行了突触行为的模拟和对比,包括兴奋性后突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、长程可塑性(LTP)等.突触特性的产生是由于等离子处理给半导体层/绝缘层界面引入的羟基对电子进行了捕获.而随着等离子处理时间的增加,绝缘层表面更多的羟基使得OTFT表现出更强的记忆和保持能力、更高的线性度,更有利于其在类脑学习、神经计算等方面的应用.

摘要： 以竹粉液化多元醇替代石化多元醇制备了竹基聚氨酯硬质和软质泡沫.通过对比二者的吸油量,选择了吸油性能更佳的竹基聚氨酯软泡作为后续处理的基体.进一步采用氧等离子处理和甲基三氯硅烷对竹基聚氨酯软泡进行表面改性处理,得到了具有高吸油性的亲油疏水泡沫.考察了等离子处理时间和甲基三氯硅烷液相沉积时间对竹基聚氨酯软泡表面特性和吸油性能的影响,得出了优化的工艺参数:等离子处理时间为45 s、液相沉积时间为2 h时得到的改性聚氨酯泡沫吸油性能最优.根据油品分子量不同,其吸附量可达自重的25～56倍,是未处理泡沫吸附量的2.5倍.重复利用实验表明,经改性的竹基聚氨酯软泡在重复利用10次后仍能保持良好的吸油能力,具有优异的循环使用性能.

摘要： 以碳微球为基质对亮氨酸进行基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)分析.为了克服基质离子干扰峰多、碎片离子峰多、重现性差等缺点,通过等离子表面处理改变聚吡咯基碳微球(PPy-CMSs)及碳黑基碳微球(CB-CMSs)的表面化学结构,提高了其在溶剂中分散性及与待测分子结晶能力,实现了碳微球在不同条件下作为MALDI-TOF-MS基质对亮氨酸的检测能力.实验结果表明,等离子处理时间分别为5 min(PPy-CMSs)和3 min(CB-CMSs)时,亮氨酸特征峰信号强,基质背景低,碎片离子峰少,重现性良好.

摘要： 索尔维早前宣布与大型航天航空企业赛峰(Safran)签署协议,为其LEAP发动机隔音板提供Halar®ECTFE高性能膜。这款薄膜采用经过等离子处理的Halar®ECTFE打造,为复合基材提供理想的粘接能力,同时带来良好产品外观,使其与周围的基材融合。

摘要： 为了改善碳纤维增强复合材料(CFRP)表面浸润性及提高胶接强度,采用常温常压空气等离子方法对CFRP胶接表面进行预处理,测试了不同预处理参数下CFRP与水的接触角,计算了其表面能;利用原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪和X射线光电子能谱仪分析不同处理参数下CFRP表面的物理和化学性能;采用4种胶粘剂测试CFRP的胶接拉剪强度.结果表明:喷头与CFRP表面的距离为6 mm、喷头移动速度50 mm/s为最佳的等离子处理条件;经等离子处理后,CFRP与水的接触角由处理前的114°降低至23°,表面能由32.49 mJ/m^2升高到72.19 mJ/m^2;等离子处理增强了CFRP表面环氧官能团,降低了表面粗糙度,表面形成了大量微米级沟壑;采用等离子处理能够显著提高环氧树脂胶粘剂接头的拉剪强度,使其失效形式由界面失效转变为基材失效,而聚氨酯胶粘剂接头的拉剪强度变化不大,其失效形式由界面胶层与内聚复合失效转变为纯界面失效.

摘要： 低温等离子体高能粒子和活性粒子与材料表面发生物理或化学反应,从而达到表面清洁、激活、蚀刻、亲水性、疏水性、低摩擦、易粘接、涂覆等各种表面改性目的.等离子处理技术具有高效、清洁、无污染等特性,将其引入到橡胶粘合生产中,研究与正常生产工艺粘合性能的差异,为轮胎等橡胶制品生产提供全新的工艺技术.

摘要： 传统的阻燃技术使纺织品具有一定的阻燃性能，但工艺复杂，成本高，阻燃效果持久性差，且对织物本身的性质，如手感，强力等有较大影响。等离子处理技术是一种快速，无公害的新的表面处理技术，对样品本体性质不产生影响。但是目前普遍采用的是真空等离子发生器，此种方法需将待处理的样品放入真空室中，成本高，难以实现连续处理。本研究采用低温常压空气等离子处理织物，工艺简单，成本低，阻燃效果好，可以实现连续处理。

摘要： 脉冲爆炸-等离子处理技术是一种工艺简单、成本低廉、改性效果优良的表面改性技术,具有极佳的科研价值和应用前景.本课题采用脉冲爆炸-等离子处理技术对T8工具钢进行表面改性处理.使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子背散射衍射(EBSD)等分析方法研究了处理前后T8钢的组织形貌、物相结构和晶界分布,发现脉冲爆炸-等离子处理使T8钢表层形成了外层为柱状区、内层为组织细化区的双区改性层,改性层厚度最大可达68.27μm;改性层中形成了Fe3N相和γ-Fe相,且改性层晶粒得到极大细化.EBSD结果显示改性层平均粒径仅为基体晶粒平均粒径的1/5,小角度晶界数量减少,微观断裂方式由解理断裂转变为沿晶断裂伴有剪切断裂.

摘要： @@芳纶作为一种高强高模耐高温型高性能有机纤维，在增强复合材料方面有重要应用，如芳纶增强树脂复合材料、芳纶增强橡胶复合材料等，这些复合材料广泛应用于航空航天、国防军工、电子通讯、交通运输、土木建筑等领域。综述了近几年芳纶表面改性研究的新进展，并讨论了几种改性方法的优缺点和实用性。

摘要： @@芳纶作为一种高强高模耐高温型高性能有机纤维，在增强复合材料方面有重要应用，如芳纶增强树脂复合材料、芳纶增强橡胶复合材料等，这些复合材料广泛应用于航空航天、国防军工、电子通讯、交通运输、土木建筑等领域。综述了近几年芳纶表面改性研究的新进展，并讨论了几种改性方法的优缺点和实用性。

摘要： @@芳纶作为一种高强高模耐高温型高性能有机纤维，在增强复合材料方面有重要应用，如芳纶增强树脂复合材料、芳纶增强橡胶复合材料等，这些复合材料广泛应用于航空航天、国防军工、电子通讯、交通运输、土木建筑等领域。综述了近几年芳纶表面改性研究的新进展，并讨论了几种改性方法的优缺点和实用性。

摘要： @@芳纶作为一种高强高模耐高温型高性能有机纤维，在增强复合材料方面有重要应用，如芳纶增强树脂复合材料、芳纶增强橡胶复合材料等，这些复合材料广泛应用于航空航天、国防军工、电子通讯、交通运输、土木建筑等领域。综述了近几年芳纶表面改性研究的新进展，并讨论了几种改性方法的优缺点和实用性。

摘要： 本文介绍了刚挠印制板孔化时等离子去钻污的工艺参数和反应原理,并对孔化的可靠性和黑孔技术做了简单的介绍。

摘要： 本文介绍了刚挠印制板孔化时等离子去钻污的工艺参数和反应原理,并对孔化的可靠性和黑孔技术做了简单的介绍。

摘要： 本文介绍了刚挠印制板孔化时等离子去钻污的工艺参数和反应原理,并对孔化的可靠性和黑孔技术做了简单的介绍。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明，在使得由处理容器内的铝合金构成的被处理体的温度处于预定温度的状态下，从处理气体供给源向处理容器内导入氧气和氪气的混合气体，通过微波在处理容器内产生等离子体。通过由此而产生的氧自由基在被处理体的表面进行自由基氧化处理，可在被处理体的表面形成致密且耐腐蚀性强的氧化物覆膜。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

摘要： 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。