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等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置

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摘要

一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

著录项

公开/公告号CN105103274B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-14

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社爱发科;
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申请/专利号CN201580000336.0
发明设计人森口尚树;
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申请日2015-02-25
分类号
代理机构上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人芮玉珠
地址日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地
入库时间 2022-08-23 09:49:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-14

授权

授权
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20150225

实质审查的生效
2015-11-25

公开

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