液相沉积

摘要： 为改善聚丙烯(PP)的抗老化性能,采用化学液相沉积法合成了云母/MnO_(2)/TiO_(2)复合半导体微米片,并通过物理共混法将微米片引入PP中.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、紫外-可见漫反射光谱仪(UV-Vis DRS)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)及电子万能试验机等考察了二氧化钛(TiO_(2))负载量、二氧化锰(MnO_(2))添加量及pH等条件对微米片形貌、晶体结构及紫外屏蔽性能的影响,并研究了微米片对PP的抗老化改性效果.结果表明,控制MnO_(2)添加量为2.0%、TiO_(2)负载量为20%、p H值为1.6时,可以诱导微米片中的TiO_(2)由锐钛矿型向金红石型转变,微米片包覆状态佳、紫外屏蔽性能优异.紫外老化27 d后,与纯PP相比,经复合半导体微米片改性后的PP产生的C=O数量减少,表面形貌保持度较高;其拉伸强度保持率提升38%,抗紫外老化性能显著提高.

摘要： 烯烃芳构化是催化裂化(FCC)汽油改质、高辛烷值燃料油的重要手段。采用预制晶种法合成了纳米ZSM-5分子筛,并采用液相沉积法制备了Ga沉积量不同的系列改性纳米ZSM-5分子筛,分别采用XRD、N2物理吸附、SEM、TEM、XPS、H2-TPR和Py-IR等表征手段对改性前后的纳米ZSM-5分子筛的形貌、织构特性和酸性等进行了表征,并采用固定床微型反应器对其催化己烯-1芳构化反应性能进行了评价,研究了Ga改性对纳米ZSM-5分子筛的物理化学性质及催化性能的影响规律。Ga液相沉积改性的ZSM-5分子筛中Ga物种主要以Ga_(2)O_(3)和提供强Lewis酸性位的GaO^(+)形式存在,由于Ga改性提高了分子筛的脱氢反应活性,己烯-1芳构化反应的芳烃选择性显著提高,以Ga沉积量适宜的Ga4.2/NZ5为催化剂时,芳烃选择性高达55.4%。

摘要： 以竹粉液化多元醇替代石化多元醇制备了竹基聚氨酯硬质和软质泡沫.通过对比二者的吸油量,选择了吸油性能更佳的竹基聚氨酯软泡作为后续处理的基体.进一步采用氧等离子处理和甲基三氯硅烷对竹基聚氨酯软泡进行表面改性处理,得到了具有高吸油性的亲油疏水泡沫.考察了等离子处理时间和甲基三氯硅烷液相沉积时间对竹基聚氨酯软泡表面特性和吸油性能的影响,得出了优化的工艺参数:等离子处理时间为45 s、液相沉积时间为2 h时得到的改性聚氨酯泡沫吸油性能最优.根据油品分子量不同,其吸附量可达自重的25～56倍,是未处理泡沫吸附量的2.5倍.重复利用实验表明,经改性的竹基聚氨酯软泡在重复利用10次后仍能保持良好的吸油能力,具有优异的循环使用性能.

摘要： 烯烃芳构化是催化裂化(FCC)汽油改质、高辛烷值燃料油的重要手段.采用预制晶种法合成了纳米ZSM-5分子筛,并采用液相沉积法制备了Ga沉积量不同的系列改性纳米ZSM-5分子筛,分别采用XRD、N2物理吸附、SEM、TEM、XPS、H2-TPR和Py-IR等表征手段对改性前后的纳米ZSM-5分子筛的形貌、织构特性和酸性等进行了表征,并采用固定床微型反应器对其催化己烯-1芳构化反应性能进行了评价,研究了Ga改性对纳米ZSM-5分子筛的物理化学性质及催化性能的影响规律.Ga液相沉积改性的ZSM-5分子筛中Ga物种主要以Ga2 O3和提供强Lewis酸性位的GaO+形式存在,由于Ga改性提高了分子筛的脱氢反应活性,己烯-1芳构化反应的芳烃选择性显著提高,以Ga沉积量适宜的Ga4.2/NZ5为催化剂时,芳烃选择性高达55.4％.

摘要： 将TiO2反蛋白石结构(Inverse Opal)光阳极置于氟钛酸铵、 硼酸和水的反应液中,通过液相反应,在光阳极表面沉积TiO2纳米颗粒.结果表明,该处理使TiO2反opal光阳极比表面积增大、 染料吸附能力增强,组装为染料敏化太阳能电池(DSSCs)后电池交流阻抗降低,进而能显著提高DSSCs光电性能.研究发现,当反应液中硼酸浓度为0.22 mol/L时,DSSCs短路电流密度和光转化效率分别提高了134.0%和105.2%.

摘要： 通过液相沉积法(LPD)在玻璃片表面制备TiO_2薄膜,并以甲基橙溶液为污染液,通过探讨制备TiO_2薄膜原料的摩尔比例、诱导晶、沉积温度及时间,以及热处理温度及光照时间等因素对甲基橙溶液降解率的影响,得出最佳的降解条件。研究得出:(NH_4)_2TiF_6与H_3BO_3摩尔比例为1∶1~1∶6,TiO_2诱导晶为0~0.1 g,沉积温度为25~65°C和沉积时间24 h范围内,最佳降解条件为:摩尔比为1∶6,诱导晶为0.06 g,沉积温度为55°C,550°C热处理,适当的沉积及光照时间。

摘要： 本研究采用液相沉积法在恒温与变温两种条件下进行沉积,选用FTO导电玻璃与柔性PET-ITO作为基底。由XRD结果可知产物均为锐钛矿相二氧化钛,80°C条件下结晶性更好;SEM测试结果表明Ti O_2薄膜层为多孔结构。变温条件制备的电池效率最高,而60°C恒温条件制备的电池效率略高于80°C。FTO作为基底在梯度温度下制备组装的电池效率达到5.71%,相同条件下制备的柔性基底组装的电池效率为4.07%。

摘要： 液相沉积法是近年来广泛在集成电路、生物传感器、半导体、光催化及抗菌材料领域制备功能性膜的新方法.本文对液相沉积法的原理、特点及制备方法进行了具体的论述,并根据实践调研,对近年来的液相沉积技术在分析化学领域中的应用进行了详细的分析,为液相沉积技术在分析化学中的推广应用提供了有效的借鉴.

摘要： 固相微萃取(SPME)是八十年代末、九十年代初由Pawliszyn研制的新型样品前处理技术，在其后十几年的时间内受到了世界范围的学者们的青睐与关注。至今，SPME的萃取涂层不仅限于物理涂渍,经化学键合到石英纤维表面或者毛细管内壁的涂层有了众多选择。毛细管固相微萃取具有不用或少用有机溶剂、操作简便、易于与其他技术在线联用等优点，克服可传统的液一液萃取法等需使用大量容积和样品处理时间长、操作步骤繁琐等缺点。本文以液相沉积法将SiO2纳米颗粒沉积在毛细管的内壁上，增大了毛细管内壁比表面积，并对SiO2涂层进行改性，以开管固定金属亲和色谱(IMAC)形式对多肤混合物中的磷酸化多肤选择性地富集。

摘要： 本文研究了通过改进预制体编织结构,采用液相沉积与高温高压浸渍炭化相结合制备碳碳复合材料热压陶瓷用模具,用环己烷作为前驱体,沉积增密33～35h,一次浸渍碳化后得制品(厚度100mm)密度为1.5g/cm3以上,再通过2～3次高温、高压高温沥青浸渍炭化,最终密度达到1.72g/cm3以上,通过在厂家2000°C～2300°C和20～40MPa压力下的陶瓷制备试用,确认了一种较好的的编制方式,满足了客户使用要求.

摘要： 本文研究了采用液相沉积与高温高压浸渍炭化相结合制备碳碳复合材料模具,通过改进预制体编织结构,电阻-感应组合加热,用环己烷作为前驱体,沉积增密33 ～35h,一次浸渍碳化后得制品(厚度100mm)密度为1.5g/cm3以上,再通过2～3次高温、高压浸渍炭化,最终密度达到1.72g/cm3以上,通过在厂家2000°C～ 2300°C和20 ～ 40MPa压力下的试用,满足了客户使用要求.

摘要： 为了解决粉态纳米TiO2光催化剂的难回收缺点，本研究采用液相沉积的方法，制备一种具有选择性光催化活性的分子印迹薄膜，并对其降解目标污染物的能力进行了研究。

摘要： 本文提出了用液相沉积(LPD)法制备十八烷基改性的纳米二氧化硅涂层毛细管,反应条件温和,制备方法简单,制得的涂层可以通过增加涂层次数增加厚度。另外,由于纳米颗粒通常具有较大的比表面积,所以我们希望以此增加固定相的相比,提高柱容量。

摘要： 近年来，将TiO2半导体光催化氧化技术用于有机物污染物处理是环境领域研究的一个热点。本课题组将分子印迹技术特异的分子识别能力与光催化降解技术相结合，合成了一种人工抗体型催化剂，这种新型的光催化剂能够将低浓度的持久性有毒污染物从高浓度的一般有毒污染物中选择性光催化降解，解决了TiO2光催化反应的选择性问题。为了解决粉末态纳米TiO2光催化剂的难回收缺点，本文采用液相沉积的方法，制备一种具有选择性光催化活性的分子印迹薄膜，并对其降解目标污染物的能力进行了研究。

摘要： 采用液相沉积技术与阳极氧化铝(AAO)模板技术,在铝基表面制备了TiO2纳米管阵列薄膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱仪(XPS)等测试手段对薄膜的表面形貌、元素组成及化学状态和晶型结构进行了表征,并在紫外光的照射下,评价了纳米管阵列薄膜对甲基橙溶液的光催化性能。实验结果表明,纳米管薄膜主要由TiO2和Al2O3构成,垂直于基底生长,尺寸大小和氧化铝膜孔相一致。经450°热处理后对甲基橙溶液的降解率可达96%。

摘要： 本文以NH4F溶液等体积浸渍和SiCl4化学液相沉积方法改性的ZSM-5和NU-3分子筛为催化剂,在微型固定床反应器上进行丙烯水合反应，考察反应条件、催化剂表面酸性和孔道结构等因素对正丙醇含量的影响。

摘要： 本文通过化学液相沉积对ZSM-5沸石进行硅改性,制备了不同硅沉积量的催化剂，采用固定床微型反应器对催化剂的反应性能进行评价；考察了二氧化硅沉积量,改性次数对改性的影响；采用Py-IR、BET表征对改性前后的催化剂进行表征。结果发现,随着硅沉积量的增加甲苯歧化的转化率逐渐下降,对位选择性逐渐升高,副反应越来越明显。

摘要： 激光熔覆是近年来发展起来的一种表面强化改性技术.本文采用液体分散沉降法在试样表面制备均匀致密的无粘结剂预涂涂层,为后续的激光熔覆处理做好了前期准备.

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基)。

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基。)

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积系统、方法及系统的装置。所述系统包括涂覆室、流体引入系统和辐射加热元件的装置。所述涂覆室具有围绕涂覆区域延伸的封闭边界以及以相对于所述封闭边界的轴向取向定位的通路部分，所述涂覆室处于固定且水平的位置。所述流体引入系统包括真空泵和流体引入装置，所述流体引入系统被布置和设置成将流体引入所述涂覆室以便在所述涂覆室中对制品进行化学气相沉积涂覆。所述辐射加热元件的装置定位在所述涂覆室之外并且与所述涂覆室的所述封闭边界到所述涂覆室内的加热区热连接。所述方法使用所述系统。所述装置包括不止一个所述化学气相沉积系统。

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R

摘要： 本发明公开了真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物。当客体材料与主体材料之比非常小时，很难非常精确地保持待气相沉积在工件表面上的客体材料的比率和客体材料的分布状态。根据本发明的真空气相沉积装置包括：真空室；设置在真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源；以及用于在真空室内将工件保持在固定状态的工件保持构件，工件具有将从第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的客体材料和主体材料沉积于其上的表面，该真空气相沉积装置还包括：屏蔽件，屏蔽件定位在第一气相沉积源和由工件保持构件保持的衬底之间，且引起在衬底表面上客体材料的气相沉积量小于主体的气相沉积量；屏蔽件驱动机构，屏蔽件驱动机构使屏蔽件绕第一轴线转动且使屏蔽件相对于第二轴线运动；以及单个驱动源，驱动源通过屏蔽件驱动机构驱动屏蔽件。

摘要： 本发明涉及一种液相沉积方法，用以在具有至少一个预先制造完成、有独立电路功能的半导体组件样本表面上，形成一层低温生长薄膜或极好逐步覆盖性薄膜。本发明还揭露一种液相沉积设备的清理方法，其特征在于使用一循环系统供该设备清洗用，以避免二氧化硅粉末在该设备管路中残留而造成堵塞。

摘要： 本发明公开了借助液-液界面化学液相沉积修复分子筛膜缺陷的方法，步骤：(1)将硅烷化反应液与待修复分子筛膜的分子筛侧接触并保持常压；在膜的另一侧通氮气，压力高于常压；回流，洗净，干燥，获得覆盖了有机硅分子层的分子筛膜；(2)将有机硅烷溶液与膜的覆盖了有机硅分子层一侧接触，压力高于常压，使膜的另一侧与碱性催化剂水溶液接触，压力为常压，反应8～72小时，洗净，干燥。本发明经过步骤(1)，既保护了分子筛孔道又起到了表面化学修饰的作用，使分子筛膜外表面完全疏水；在经步骤(2)在膜缺陷孔口处形成油水界面，使有机硅烷在油水界面发生水解缩聚反应形成致密有机—无机硅杂化物，从而达到选择性修复膜缺陷的目的。

摘要： 本发明涉及一种液相沉积方法，用以在具有至少一个预先制造完成、有独立电路功能的半导体组件样本表面上，形成一层低温生长薄膜或极好逐步覆盖性薄膜。本发明还揭露一种液相沉积设备的清理方法，其特征在于使用一循环系统供该设备清洗用，以避免二氧化硅粉末在该设备管路中残留而造成堵塞。

摘要： 本发明公开了借助液－液界面化学液相沉积修复分子筛膜缺陷的方法，步骤：(1)将硅烷化反应液与待修复分子筛膜的分子筛侧接触并保持常压；在膜的另一侧通氮气，压力高于常压；回流，洗净，干燥，获得覆盖了有机硅分子层的分子筛膜；(2)将有机硅烷溶液与膜的覆盖了有机硅分子层一侧接触，压力高于常压，使膜的另一侧与碱性催化剂水溶液接触，压力为常压，反应8～72小时，洗净，干燥。本发明经过步骤(1)，既保护了分子筛孔道又起到了表面化学修饰的作用，使分子筛膜外表面完全疏水；在经步骤(2)在膜缺陷孔口处形成油水界面，使有机硅烷在油水界面发生水解缩聚反应形成致密有机－无机硅杂化物，从而达到选择性修复膜缺陷的目的。