绝缘层等离子处理对有机薄膜晶体管突触性能的影响

摘要

在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步.本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突触性能的影响.具体对绝缘层不同等离子处理时长的OTFT进行了突触行为的模拟和对比,包括兴奋性后突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、长程可塑性(LTP)等.突触特性的产生是由于等离子处理给半导体层/绝缘层界面引入的羟基对电子进行了捕获.而随着等离子处理时间的增加,绝缘层表面更多的羟基使得OTFT表现出更强的记忆和保持能力、更高的线性度,更有利于其在类脑学习、神经计算等方面的应用.