磁各向异性

摘要： 采用双时格林函数方法研究了自旋为1的双层平方晶格阻挫模型的相变行为.详细探讨了层间耦合相互作用J_(c)和单离子各向异性参数D对奈尔态(AF1)和共线态(AF2)之间相转换的影响.结果显示:只要参数J_(c)和D不同时为零,奈尔态和共线态在J_(2)=J_(1)/2(这里J_(1)和J_(2)分别描述的是系统自旋间最近邻和次近邻交换作用)时的相变温度相等,两个态共存.在低于相变点的温度范围内,AF1-AF2态之间可以发生相转换,其相变类型为一阶相变.当J_(2)≠J_(1)/2时,尽管AF1-AF2态有不同相变温度,但它们也可以共存.如果AF1(AF2)态的相变温度大,在低温,AF1(AF2)态更稳定;在高温,AF2(AF1)态更稳定;在中间温度范围内,AF1-AF2态之间也可以发生一阶相转换.

摘要： 采用E-T和脉冲电化学沉积法,利用氧化铝(AAO)模板制备出直径200 nm,长度约为13.1μm的非晶态FeNi纳米线阵列。FeNi纳米线阵列的形貌、成分、微观结构以及磁学性能分别通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、场发射透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)以及振动样品磁强计(VSM)进行表征。研究结果表明,FeNi纳米线排列致密,外壁平整光滑,粗细均匀,元素分布均匀。制备的纳米线表现出纯非晶结构,退火后从非晶基体中析出γ(Fe,Ni)相,且晶粒的生长具有明显的(111)择优取向。VSM结果表明在非晶纳米线中具有较强的磁各向异性,其易磁化轴为平行于长轴方向。随着退火温度的升高,矫顽力H_(c)和剩磁比B_(r)/B_(s)整体呈下降趋势,主要归因于纳米线内应力的释放及纳米晶间的磁交换耦合作用。

摘要： 采用单辊快淬法制备Fe_(74)Mn_(2)Cu_(1)Si_(13)B_(8)Nb_(2)合金带材,然后制成环形磁芯进行不同形式的退火处理。通过阻抗分析仪、X射线衍射仪(XRD)和磁光克尔显微镜(MOKE)等手段研究了原位压(缩)应力对淬态、常规退火和横向磁场退火态高磁感Fe_(74)Mn_(2)Cu_(1)Si_(13)B_(8)Nb_(2)合金的磁导率、相结构、微观结构与磁畴结构的影响。结果表明,压应力不会改变合金的相结构和微观结构,但对不同样品的磁导率和磁畴结构有着明显的影响。560°C常规和横向磁场退火样品的磁导率对压应力非常敏感,归因于压应力诱发的磁各向异性比0 MPa下的磁各向异性高1个数量级。与磁场退火相比,560°C常规退火样品经原位压缩后磁导率要高,归因于其磁化更容易。

摘要： 当前超高储存密度器件以及其他先进器件的小型化需求可以被镧系元素的纳米结构满足。但是,目前还有一些问题没有得到解决,即便是对于块状和小型纳米结构的基本性质问题。确定它们最稳定的结构、磁性以及磁各向异性,是至关重要的。通过密度泛函理论的自旋极化广义梯度近似确定了Sm13团簇的最低能量结构、电子结构和磁性。我们的结果表明,亚铁磁二十面体是能量最低的构型,部分Sm原子与其余的Sm原子反铁磁耦合。无论几何结构如何,Sm原子的磁矩约为6μB,主要由f轨道电子贡献。最后,磁各向异性能计算表明,Sm二十面体团簇具有一个面内的磁各向异性能。

摘要： 采用磁控溅射方法在MgO(001)单晶衬底上制备了交换偏置分别沿着FeGa[100]和[110]方向的FeGa/IrMn外延交换偏置双层膜,研究了交换偏置取向对磁化翻转过程与磁化翻转场的影响.铁磁共振场的角度依赖关系的测量与拟合,表明样品存在不同取向的四重对称磁晶各向异性、单向交换磁各向异性和单轴磁各向异性的叠加.矢量磁光克尔效应测量表明交换偏置沿着[100]方向的样品在不同磁场方向下表现矩形、非对称和单边两步磁滞回线;交换偏置沿着[110]方向的样品在不同磁场方向下表现单边两步和双边两步磁滞回线.考虑不同交换偏置方向的畴壁形核和位移模型,能够很好地解释磁化翻转路径随磁场方向的变化规律和拟合磁化翻转场的角度依赖关系,表明交换偏置方向的改变使得畴壁形核能发生显著变化.

摘要： 利用稀土盐DyCl_(3)·6H_(2)O、双齿配体tmphen和[Mo^(Ⅲ)(CN)_(7)]^(4-)构筑块自组装得到镝的七核团簇化合物:[Dy^(Ⅲ)_(7)(tmphen)_(12)O_(6)(OH)_(6)Cl_(2)][Mo^(Ⅵ)(tmphen)O(CN)_(3)]_(6)Cl_(7)·66H_(2)O(1,tmphen=3,4,7,8-四甲基-1,10-菲咯啉),并对其进行了结构和磁性表征。晶体结构表明,化合物1的主体为七核镝形成的圆盘状结构,而[Mo^(Ⅲ)(CN)_(7)]^(4-)构筑块发生了氧化分解,形成了[Mo^(Ⅵ)(tmphen)O(CN)_(3)]^(+)阳离子游离在晶格中。直流磁化率表明化合物由于存在量子隧穿弛豫路径,在低温下没有出现磁滞回线。交流磁化率表明,该化合物在零场下表现出缓慢磁弛豫的现象,具有单分子磁体的性质,其有效能垒为51.6 K(35.8 cm^(-1),τ_(0)=17μs)。

摘要： 源于其有独特的物理性质和广阔的应用前景,近些年二维磁性半金属材料逐渐成为研究的热潮.基于第一性原理的理论计算,本文预测了一种新型二维磁性材料——单层InMnTe3.计算结果表明二维InMnTe3是一种半金属磁性材料,其自旋向上的电子表现为金属性,而自旋向下的表现为半导体特性,因而可以实现100%的自旋极化.磁矩主要分布在Mn原子上且存在较强的铁磁耦合作用和极大的面外磁各向异性能.鉴于以上优点,二维InMnTe3将在高密度信息存储领域和自旋电子器件等方面拥有潜在的应用价值.

摘要： 磁各向异性是无取向电工钢的重要特性,其对电机磁路的分析和设计有着重要的参考意义。用单片磁导计测试了与轧向成不同方向的单片试样的磁性能,对B_(m)=1.0 T下的铁损进行了分析。结果表明:200 A/m以下的低场下不同方向的试样磁感差异明显,轧向试样磁感最低;而200 A/m以上高场下不同方向的试样磁感差异较小,60°试样磁感最低。一定频率下,磁感越高铁损各向异性越显著;而不同频率下,不同角度试样的铁损分布特点也不相同:200 Hz及以下频率,60°试样铁损最高,主要受磁滞损耗的影响;而400 Hz及以上频率,90°试样铁损最高,主要受反常损耗的影响。

摘要： 基于磁纳米颗粒制备的新型磁流变弹性基体是实现高灵敏柔性传感技术的重要方式之一。采用磁场诱导生长方法,在磁场环境下,制备出基于Fe_(3)O_(4)磁纳米颗粒的PDMS基柔性磁复合薄膜。通过数字显微镜、XRD表征了样品的形貌与元素,基于振动样品磁强计和自主搭建的磁致形变测量平台,测量了样品的磁学性质与磁致力学性能。研究结果显示,在磁场诱导下,Fe_(3)O_(4)质量分数为10%的PDMS基磁性复合薄膜可展现出色的面内磁各向异性行为,室温下饱和磁化强度可达5.9 emu/g,比同条件下无磁场诱导制备的各向同性磁薄膜增大了61%,同时,薄膜磁致形变角度可达80°.最后,通过有限元分析法从理论上证明了PDMS基磁性复合薄膜的非线性力磁耦合行为,为PDMS基磁性复合薄膜磁致力学行为奠定了理论基础。

摘要： 单离子磁体(SIMs)因其磁性双稳态和慢弛豫机制而在高密度信息存储、量子计算和分子自旋电子学等方面具有潜在的应用价值.其中3d过渡金属单离子磁体(3d-SIMs)磁构关系较为简单且易于分析,因此得到了众多研究者的关注.目前文献上报道的大多数3d-SIMs通常具有较低的配位数,而对于高配位(七配位和八配位)的3d-SIMs缺少深入而系统的研究.我们结合近年来的研究成果,从磁各向异性的基本性质、实验表征和理论计算3个方面出发,对高配位3d过渡金属单离子磁体的配位环境、磁各向异性和慢磁弛豫行为进行了综述,分析了配位构型和配位原子等配位环境对高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性的影响,为高配位3d过渡金属单分子磁体的设计与调控提供思路.

摘要： 本文介绍一种新研发的九探头磁测应力技术，在螺旋缝埋弧焊钢管上进行了实验测定，所得结果与二极磁测仪及x射线仪所测结果进行对比，均吻合的较好。初步表明：用磁各向异性九探头法检测残余应力是一种简单易行的无损检测方法，有工程应用价值。

摘要： 本文以FeGa薄膜为例，通过实验探讨了应力调控磁致伸缩FeGa薄膜的磁各向异性。通过改变薄膜的应力状态，可以实现磁致伸缩薄膜的磁各向异性的调控，而且由磁各向异性导致应变敏感度也存在各向异性。

摘要： 本文利用熔盐法成功生长出了毫米级化合物单品并分析了元素组成。磁性测试结果表明化合物晶体显示出弱的磁各向异性，该特性在低温或强场下尤为显著。从晶体结构上看，平行于ab晶面内的最近邻的磁性离子经两个氧离子桥联，因此弱的铁磁性可能来自于M2+-O-M2+间接磁相互作用，而非传统的M2+-O-M2+超交换相互作用。

摘要： @@磁各向异性也是表征磁性记录材料时一个重要的物理量，如何操控磁性材料的磁各向异性是相关科研领域长期以来所关注的热点问题。例如:磁性薄膜的厚度对于磁各向异性的影响,温度对于磁各向异性的影响、薄膜内应力对于磁各向异性的影响等等。本论文中，将会介绍铁磁薄膜中的量子阱态可以调控铁磁材料中的磁各向异性这一实验现象及其物理机理。

摘要： Co2FeAl是一种Full-Heusler合金,理论上由于其费米面附近自旋少数的电子态密度为零而具有100％自旋极化率1.另外,Co2FeAl的晶胞磁矩有5μB,居里温度达到1000K2,其与重要的第二代半导体GaAs的晶格失配仅为0.96％3-4,因此Co2FeAl/GaAs的异质结构是研究半导体中自旋注入的重要课题之一.

摘要： 本文介绍了研究背景、三维磁特性测试平台的构建、三维磁特性自动控制与测量方法、软磁复合材料的PSW磁滞模型、电工钢片的磁各向异性与张量磁阻率模型、电工磁性材料铁心损耗特性模拟与实验研究以及应用前景展望。

摘要： 玻璃包覆磁性合金微丝的介电性能与非磁导电微丝的不同。分别从理论上分析了平行和随机分布的玻璃包覆磁性合金微丝/电介质复合材料的介电常数公式,并模拟了典型的玻璃包覆磁性合金微丝/橡胶复合材料的介电常数,探讨了不同频率及磁畴分布的玻璃包覆磁性合金微丝/电介质复合材料的介电性能的变化规律。结果表明:玻璃包覆磁性合金微丝的介电性能在中高频及微波频率范围内通过阻抗受其磁性能的影响,可以通过控制磁性能对其高频介电性能进行调控。

摘要： 玻璃包覆磁性合金微丝的介电性能与非磁导电微丝的不同。分别从理论上分析了平行和随机分布的玻璃包覆磁性合金微丝/电介质复合材料的介电常数公式,并模拟了典型的玻璃包覆磁性合金微丝/橡胶复合材料的介电常数,探讨了不同频率及磁畴分布的玻璃包覆磁性合金微丝/电介质复合材料的介电性能的变化规律。结果表明:玻璃包覆磁性合金微丝的介电性能在中高频及微波频率范围内通过阻抗受其磁性能的影响,可以通过控制磁性能对其高频介电性能进行调控。

摘要： 玻璃包覆磁性合金微丝的介电性能与非磁导电微丝的不同。分别从理论上分析了平行和随机分布的玻璃包覆磁性合金微丝/电介质复合材料的介电常数公式,并模拟了典型的玻璃包覆磁性合金微丝/橡胶复合材料的介电常数,探讨了不同频率及磁畴分布的玻璃包覆磁性合金微丝/电介质复合材料的介电性能的变化规律。结果表明:玻璃包覆磁性合金微丝的介电性能在中高频及微波频率范围内通过阻抗受其磁性能的影响,可以通过控制磁性能对其高频介电性能进行调控。

摘要： 本文的研究主要使用便携式汽油钻机，沿岩墙两边部及横跨岩墙剖面设置采点并系统钻取独立定向岩芯样品。对代表性标本进行了岩石磁学测试。使用MFK 1-A卡帕桥磁化率仪，对所有标本进行了磁化率各向异性测试，并对研究结果做了详细论述。

摘要： 本发明涉及一种能够获得具有优良永久减磁率的塑胶磁石的各向异性磁粉末的制造方法。本发明的各向异性磁粉的制造方法是，对RFeB系材料(R：稀土类元素)进行低温氢化工序，高温氢化工序及第1排气工序，制造其氢化物RFeBHx粉末，对这种由RFeBHx粉末(各向异性磁粉的原料粉末)组成的始原料混合由镝氢化物等组成的扩散粉末，并且，进行扩散热处理工序，脱氢工序，来得到顽磁力和各向异性化率优良的各向异性磁粉。由这种各向异性磁粉做成的塑胶磁石具有优良的永久减磁率。

摘要： 本发明涉及光学各向异性层，其包含聚合物和具有介晶骨架的化合物，上述聚合物为如下聚合物，即，在通过使用了上述聚合物的溶液的涂覆法而形成上述聚合物的膜的情况下，上述膜的面内方向上给予最大折射率的方向的折射率nx(P)、上述膜的上述面内方向上与上述nx(P)的方向垂直的方向的折射率ny(P)、以及上述膜的厚度方向的折射率nz(P)满足nz(P)＞nx(P)≥ny(P)，上述具有介晶骨架的化合物在规定的情况下显示反波长色散性的面内延迟。

摘要： 本发明涉及一种各向异性导电膜组成物、各向异性导电膜以及使用所述各向异性导电膜的连接结构。各向异性导电膜包含：粘合剂树脂；包括脂环族环氧化合物和氧杂环丁烷化合物的可固化化合物；季铵催化剂；以及导电粒子，各向异性导电膜具有15％或小于15％的热量变化率，以差示扫描量热法(DSC)所测量和方程式1所计算：热量变化率(％)＝[(H0‑H1)/H0]×100‑‑‑(1)，其中H0是各向异性导电膜的DSC热量，如在25°C下和0小时的时间点所测量，并且H1是各向异性导电膜的DSC热量，如在40°C下静置24小时后所测量。各向异性导电膜可在低温下实现快速固化，同时展现极佳储存稳定性和可靠性。

摘要： 本发明涉及一种多层膜，其具有第一基材和在上述第一基材上直接形成的包含固化液晶分子的光学各向异性层，上述第一基材具有取向控制力，并且上述第一基材的23°C时的拉伸模量为2500MPa以上。

摘要： 本发明涉及一种能够获得具有优良永久减磁率的塑胶磁石的各向异性磁粉末的制造方法。本发明的各向异性磁粉的制造方法是,对RFeB系材料(R:稀土类元素)进行低温氢化工序,高温氢化工序及第1排气工序,制造其氢化物RFeBHx粉末,对这种由RFeBHx粉末(各向异性磁粉的原料粉末)组成的始原料混合由镝氢化物等组成的扩散粉末,并且,进行扩散热处理工序,脱氢工序,来得到顽磁力和各向异性化率优良的各向异性磁粉。由这种各向异性磁粉做成的塑胶磁石具有优良的永久减磁率。

摘要： 本发明提供一种液晶化合物的取向状态被固定且沿厚度方向具有多个液晶化合物的取向状态不同的区域的光学各向异性层的简便的制造方法、层叠体的制造方法、带偏振器的光学各向异性层的制造方法、带偏振器的层叠体的制造方法、组合物及光学各向异性层。本发明的光学各向异性层的制造方法包括：工序1，将组合物层形成于基板上，所述组合物层包含至少包含感光性手性试剂的手性试剂及聚合性液晶化合物；工序2，对组合物层实施加热处理以使组合物层中的液晶化合物取向；工序3，在工序2之后，在氧浓度为1体积％以上的条件下，对组合物层进行光照射；及工序4，对组合物层实施固化处理而形成光学各向异性层，并且在加热条件下实施工序3，或者进一步包括在工序3与工序4之间对组合物层实施加热处理的工序5，手性试剂的合计含量为规定量。

摘要： [课题]本发明提供可以通过更简单的工序制作且具有高可靠性的新型且经改良的各向异性导电连接结构体、各向异性导电连接方法和各向异性导电粘接剂。[解决手段]为了解决前述课题，依照本发明的某观点，提供各向异性导电连接结构体，其具备：基底基板；设置于基底基板上的第1端子；挠性基板；设置于挠性基板上的布线图案；覆盖布线图案的绝缘性保护膜；连接于布线图案上的第2端子；以及将第1端子与第2端子进行各向异性导电连接的各向异性导电粘接剂层，其中，绝缘性保护膜配置于基底基板的面方向外侧，各向异性导电粘接剂层从第2端子延伸至绝缘性保护膜的基底基板侧的端部为止。

摘要： 在本发明的一方式中，在各向异性磁铁粉末中，包含TbCu7型钐‑铁‑氮系合金的单晶粒子。

摘要： 一种各向异性导电片，具有：多个导电通路；以及绝缘层，以将所述多个导电通路之间填埋的方式配置，且具有第一面和第二面。导电通路在绝缘层的厚度方向上延伸，且具有第一面侧的第一端部和第二面侧的第二端部。当以第一端部的中心与第二端部的中心重叠的方式透视导电通路时，导电通路的至少一部分不与第一端部和所述第二端部重叠。

摘要： 本发明提供了一种调控并增强LSMO薄膜磁各向异性的方法，磁各向异性可调的LSMO薄膜及其制备方法。该方法通过结构设计，利用自旋轨道耦合作用和氧八面体的旋转相结合，实现了LSMO薄膜磁各向异性的调控，并且与纯LSMO薄膜相比，该结构LSMO薄膜的磁各向异性能显著增强。此方法丰富了调控磁各向异性的材料选择和技术路径，有利于开发基于磁性氧化物新型自旋电子器件。