反铁磁

摘要： 量子自旋液体候选的伊辛三角晶格反铁磁NdTa;O;领域:磁性材料题目:The Ising triangular-lattice antiferromagnet neodymium heptatantalate as a quantum spin liquid candidate团队:斯洛文尼亚卢布尔雅那大学数学和物理学院期刊:Nat Mater (impact factor:43.8) 1区进展:被称为自旋液体的无序磁态在基础科学和应用科学中都具有极其重要的意义。预测了伊辛反铁磁三角模型的经典态,同时提出了额外的非交换条件来诱导其量子版本为量子自旋液体,然而这些预测还没有被实验证实。本文报道了在三角形晶格反铁磁NdTa;O;中存在这种状态的证据。

摘要： 采用双时格林函数方法研究了自旋为1的双层平方晶格阻挫模型的相变行为.详细探讨了层间耦合相互作用J_(c)和单离子各向异性参数D对奈尔态(AF1)和共线态(AF2)之间相转换的影响.结果显示:只要参数J_(c)和D不同时为零,奈尔态和共线态在J_(2)=J_(1)/2(这里J_(1)和J_(2)分别描述的是系统自旋间最近邻和次近邻交换作用)时的相变温度相等,两个态共存.在低于相变点的温度范围内,AF1-AF2态之间可以发生相转换,其相变类型为一阶相变.当J_(2)≠J_(1)/2时,尽管AF1-AF2态有不同相变温度,但它们也可以共存.如果AF1(AF2)态的相变温度大,在低温,AF1(AF2)态更稳定;在高温,AF2(AF1)态更稳定;在中间温度范围内,AF1-AF2态之间也可以发生一阶相转换.

摘要： 氧化物反铁磁Cr_(2)O_(3)薄膜在自旋电子学器件中有着广泛的应用。重点论述了反铁磁Cr_(2)O_(3)的早期基础性研究,以及反铁磁Cr_(2)O_(3)薄膜在交换偏置和磁电效应方面的研究进展。最后指出了氧化物反铁磁Cr_(2)O_(3)薄膜研究中存在的部分问题,并展望了它的发展前景。

摘要： 基于线性自旋波理论,研究了二维各向异性双层平方晶格阻挫模型的基态性质.探讨了各向异性和自旋间交换作用对基态相图及系统可能发生相变的影响.结果显示:对于各向同性,当层间耦合相互作用J_(c)≥0.21或J_(c)≤-0.175时,Neel态(NS)和Collinear态(CS)能共存;对于各向异性,NS和CS也可以共存.对弱的各向异性,NS更稳定;对于强的各向异性,系统将发生由NS向CS转换的一阶相变.

摘要： 利用直流磁控溅射技术在MgO(001)基片上沉积外延Fe_(x)Rh_(1-x)(0.40.5时,Fe_(x)Rh_(1-x)薄膜室温下为铁磁相,没有发生反铁磁相到铁磁相的转变,这可能是由于最近邻Fe原子间的交换作用破坏了次近邻Fe原子间的反铁磁耦合,在Fe_(x)Rh_(1-x)薄膜中加入过量Fe元素可使薄膜在整个温度范围保持铁磁性。

摘要： 为研究TbCrO_(3)低温下的磁相变和介电弛豫,采用溶胶凝胶自蔓延燃烧合成法制备了TbCrO_(3)材料,并对其磁、电性能进行了分析。利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和综合物性测量系统对材料进行了物相和物性表征。X射线衍射结果表明,合成的TbCrO_(3)为单相多晶样品,空间群为Pbnm;直流磁化曲线表明,材料的奈尔温度T N=162 K,分子的有效磁矩理论值与通过磁化曲线高温顺磁段外推得到的实验值相吻合,说明样品的磁性遵循居里外斯定律,外斯常数为负值(-32.2 K),表明样品内部的反铁磁耦合特性;介电测量中,在低频、高温下,样品出现了介电色散和巨介电常数,归因于空间电荷极化。样品在200 K附近出现介电驰豫,损耗峰随着频率增大向高温移动,拟合出的活化能为0.358 eV,这与RCrO_(3)体系中其他样品的活化能接近。根据介电常数虚部与频率关系分析出驰豫为麦克斯韦-瓦格纳驰豫,由阻抗谱分析出驰豫是由晶界与晶粒共同作用的。TbCrO_(3)在低温下存在顺磁-反铁磁相变,介电弛豫显示出热激活行为。

摘要： 魔角石墨烯超导电性的发现使人们对石墨烯等蜂巢晶格材料的研究再次升温.魔角石墨烯的超导电性与铜氧化物高温超导体的超导电性有很多相似之处,而铜氧化物超导体的自旋激发对其超导电性有重要的影响,故研究石墨烯这样的蜂巢晶格材料的自旋激发特性,对理解魔角石墨烯的超导电性有重要的促进作用.利用格林函数理论讨论了蜂巢晶格反铁磁材料的自旋动力学.结果表明,蜂巢晶格反铁磁材料的最近邻和次近邻关联函数均随温度的升高而逐渐降低,次近邻关联函数比最近邻关联函数弱得多,并在高温极限时趋于零;系统的自旋激发谱和动力学自旋结构因子因两个子格子的相互作用而劈裂为成键态和反键态两支,在布里渊区中心附近成键态自旋激发谱与波矢成正比,而反键态支则偏离正比关系;成键态和反键态动力学自旋结构因子在布里渊区中心周围出现磁散射峰,并且随着能量的增加磁散射峰远离布里渊区中心.

摘要： 魔角石墨烯超导电性的发现使人们对石墨烯等蜂巢晶格材料的研究再次升温.魔角石墨烯的超导电性与铜氧化物高温超导体的超导电性有很多相似之处,而铜氧化物超导体的自旋激发对其超导电性有重要的影响,故研究石墨烯这样的蜂巢晶格材料的自旋激发特性,对理解魔角石墨烯的超导电性有重要的促进作用.利用格林函数理论讨论了蜂巢晶格反铁磁材料的自旋动力学.结果表明,蜂巢晶格反铁磁材料的最近邻和次近邻关联函数均随温度的升高而逐渐降低,次近邻关联函数比最近邻关联函数弱得多,并在高温极限时趋于零;系统的自旋激发谱和动力学自旋结构因子因两个子格子的相互作用而劈裂为成键态和反键态两支,在布里渊区中心附近成键态自旋激发谱与波矢成正比,而反键态支则偏离正比关系;成键态和反键态动力学自旋结构因子在布里渊区中心周围出现磁散射峰,并且随着能量的增加磁散射峰远离布里渊区中心.

摘要： 二维磁性材料的研究推动了现代纳米电子器件的发展.寻找本征的具有磁性的层状材料,为探索研究新的二维磁性材料、制备二维电子器件提供了重要的材料基础.近来,本征二维反铁磁拓扑材料的发现引起了人们的广泛关注和兴趣.EuIn2As2被预言是一种轴子拓扑绝缘材料,它具有典型的反铁磁序和层状的晶体结构,其潜在的多种拓扑量子效应可以为未来新型电子学器件提供新的发展思路.实验结果表明EuIn2As2处于金属态,而非绝缘态.本文通过掺杂Ca来调节体系的费米能级和磁性,发现Eu1-xCaxIn2As2中仍然存在与母体类似的长程反铁磁的结果.反铁磁矩沿面内方向,符合理论预言的轴子态磁结构.在反铁磁转变温度以上发现了铁磁极化子.由此可见,非磁性杂质掺杂对体系的磁性影响不大,但是载流子浓度却降低了一个数量级,费米能级沿电子型方向进行调制.本文的研究为在二维磁性材料中探索和诱导非平庸拓扑态提供了重要信息.

摘要： 通过水热法合成了一种新型双核钴(Ⅱ)混配配合物[Co2(phen)2(HL)2·(H2O)4](1),其中phen为邻菲罗啉;H3L为主配体5-((3-羧基-1,2,4-三唑-1-基)甲基)-邻苯二甲酸.单晶结构结果表明:配合物1属单斜晶系,空间群P21/c,晶胞参数为a=17.848(4),b=17.398(4),c=7.482(15)?,β=100.126(6)°.配合物1中心钴(Ⅱ)离子分别与来自邻菲罗啉(phen)的2个N原子、邻苯二甲酸基团上的2个O原子和3-羧基-1,2,4-三唑中羧基的1个O原子和三氮唑的一个N原子配位,形成[CoN3O3]畸变八面体配位几何构型.两个相邻的Co(II)离子通过两个配体HL2-的桥联作用,形成了零维的双核结构.双核分子通过分子间氢键O-H…O和π-π堆积作用,构成三维空间中的一类超分子网状结构.变温磁化率测试结果表明该化合物在2～300 K范围内显示反铁磁性.在零场分裂的作用下,以单核Co(II)模型详细探讨了配合物1磁化率随温度的变化情况.

摘要： 在t-J模型和fermion-spin理论框架下,研究了电子次近邻跃迁t′对欠掺杂四方晶格铜氧化物材料的反铁磁非公度自旋关联的影响.结果表明,虽然电子次近邻跃迁项使得自旋结构因子的非公度峰强度增加,但对物理上合理的、较小的t′值,t-t′-J模型的非公度自旋关联与t-J模型定性一致.

摘要： 本文对反铁磁FeBr的相变过程进行了研究,发现在相变温度附近出现异常穆斯堡尔谱.进一步的测试结果表明,不但是穆斯堡尔谱,而且直流和交流磁化率均出现异常.通过对此样品的穆斯堡尔谱的解析和对其他测试结果的研究表明,此类样品在结果上的特征容易导致的结构缺陷,从而导致了上述的异常.

摘要： 本文用凝胶方法在SrFeO表面包覆反铁磁CoO层,研究发现磁滞回线有较强的偏置.在场冷于Néel温度(T=290k)以下,由于铁磁与反铁磁的作用诱导的单轴各向异性面产生的交换偏置场,使样品的低温矫顽力H和矩形比M/M比零场冷却的有明显的增加.在室温下,由于样品的预热处理也引起矫顽力H的增加.

摘要： 合成了大环双核铜化合物[(LCu)(CHOH)Cu(phen)(CHOH)]ClO·NO(HL=2,3-二氧代-5,6:15,16-二苯并-1,4,8,13-四氮杂环十六-7,13-二烯;phen=1,10-邻啡罗啉),并对其进行表征,对配合物进行了X-射线晶体结构分析,该配合物属于三斜晶系,晶胞参数为a=9.682(3)A,b=14.156(4)A,c=14.724(4)A, α=65.990(5),β=88.071(5),γ=75.384(5),晶胞体积V=1778.2(9)A,Z=2.最终偏离因子为R=0.0526,wR=0.1296.测的配合物的变温磁化率,求出交换积分(J=-207.64cm),表明在这双核配合物中两个铜之间存在着反铁磁的相互作用.

摘要： 采用sol-gel法,以柠檬酸为络合剂,PEG为分散剂,首次合成纯净单相菱方钙钛矿型BiFeO纳米微粒.磁测量显示其具有反铁磁结构的弱铁磁性,随温度升高弱铁磁性显著降低.本文还讨论了磁性与纳米结构的关系.

摘要： 本发明涉及一种用于磁场的磁致电阻传感器，其包括参考元件(2)、分隔元件(3)和对磁场灵敏的元件(4)的堆叠(1)，其中参考元件(2)和灵敏元件(4)分别具有在第一和第二方向上的第一和第二磁各向异性(5、6)。灵敏元件(4)包括铁磁材料(FM1)的层和反铁磁材料(AF1)的层的重叠，布置该重叠以给出磁矩(10)，其在待测场方向上的分量作为待测磁场的函数可逆地且在可调的场范围中线性地变化。本发明还涉及这样地传感器的使用。

摘要： 本发明一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜，至少包括第一铁磁层、第二铁磁层，在第一铁磁层、第二铁磁层之间，采用两个间隔层使两个铁磁层通过层间耦合铁磁或反铁磁地耦合在一起；所述的多层膜为可呈现垂直磁各向异性，所述的多层膜为可呈现面内磁各向异性，该多层膜从下到上依次是第二铁磁层、第二间隔层、第一间隔层、第一铁磁层；其所述的第一铁磁层和第二铁磁层指铁磁材料形成的薄膜层，在同一结构中，上下两个铁磁层可通过层间耦合作用，铁磁或反铁磁地耦合在一起，通过选取具有不同性质的间隔层材料，使多层膜结构具有不同的优势，可用于实现具有强磁各向异性、低阻尼系数、高隧穿磁阻比率值等优点的自旋电子器件。

摘要： 本发明公开了一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器，以及使用自旋轨道矩进行数据擦写的自旋轨道矩‑反铁磁磁性随机存储器，其包含磁性固定层，缓冲层，绝缘层，重金属缓冲层，反铁磁自由层和非磁性重金属层，其中反铁磁自由层可以通过在非磁性重金属层和重金属缓冲层中施加两个独立的横向电流来调控其反铁磁序。所述装置的特点是在重金属缓冲层中施加的电流固定不变，仅需改变施加在非磁性重金属层上的电流就可以实现上述磁结构的磁性固定层的磁序和反铁磁自由层的反铁磁序在两个不同夹角之间的相互转变。在电流作用下实现数据的稳定写入，结构简单，具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。

摘要： 本发明公开了一种反铁磁磁力计，包括飞秒激光、太赫兹时域谱探测元件和电磁铁，所述飞秒激光和太赫兹时域谱探测元件构成太赫兹发射谱光路，反铁磁样品在太赫兹发射谱光路中作为太赫兹源，所述反铁磁样品为由衬底、反铁磁层和重金属层组成的三层结构，所述电磁铁在反铁磁样品上施加磁场。本发明还公开了一种反铁磁磁化表征的方法，利用飞秒激光泵浦反铁磁样品，测量产生的太赫兹发射谱的幅值与外加磁场的关系，标定反铁磁样品的磁化强度。本发明利用反铁磁样品的太赫兹发射谱表征反铁磁磁性的方法具有经济性好、易于调节和实时性强的优势，实现了高灵敏度和易于超快光学系统中集成的反铁磁磁性表征。

摘要： 本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备，涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金，具有很高的有效自旋极化率，良好的半金属性，使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应，而反铁磁层采用多铁性材料，不但具备各种单一的铁性，还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应，表现出磁电耦合效应，因此，通过改变反铁磁层的厚度变化，来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用，就可以获得整个异质结构的磁性变化，获得一个具有振荡形式的交换偏置效应，基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。

摘要： 本发明涉及一种异常磁电阻(EMR)传感器，其在EMR有源膜上具有反铁磁/铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁/铁磁双层结构提供垂直于EMR有源膜平面的磁场来偏置EMR传感器的磁电阻对磁场响应。铁磁层可由任何可用于垂直磁记录的铁磁材料形成，并以其各向异性轴显著地离面的方式来制备。反铁磁层可由任何已知的Mn合金形成，例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn，或者由任何绝缘反铁磁材料形成，例如那些基于钴氧化物和镍氧化物的反铁磁材料。

摘要： 本发明涉及一种用于磁场的磁致电阻传感器，其包括参考元件(2)、分隔元件(3)和对磁场灵敏的元件(4)的堆叠(1)，其中参考元件(2)和灵敏元件(4)分别具有在第一和第二方向上的第一和第二磁各向异性(5、6)。灵敏元件(4)包括铁磁材料(FM1)的层和反铁磁材料(AF1)的层的重叠，布置该重叠以给出磁矩(10)，其在待测场方向上的分量作为待测磁场的函数可逆地且在可调的场范围中线性地变化。本发明还涉及这样地传感器的使用。

摘要： 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。

摘要： 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；以及形成在所述自由磁层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。

摘要： 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋轨道矩磁随机存储器。一种自旋轨道矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；形成在所述自由磁层上的自旋轨道矩材料层；以及形成在所述自旋轨道矩材料层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。