高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性研究

摘要

单离子磁体(SIMs)因其磁性双稳态和慢弛豫机制而在高密度信息存储、量子计算和分子自旋电子学等方面具有潜在的应用价值.其中3d过渡金属单离子磁体(3d-SIMs)磁构关系较为简单且易于分析,因此得到了众多研究者的关注.目前文献上报道的大多数3d-SIMs通常具有较低的配位数,而对于高配位(七配位和八配位)的3d-SIMs缺少深入而系统的研究.我们结合近年来的研究成果,从磁各向异性的基本性质、实验表征和理论计算3个方面出发,对高配位3d过渡金属单离子磁体的配位环境、磁各向异性和慢磁弛豫行为进行了综述,分析了配位构型和配位原子等配位环境对高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性的影响,为高配位3d过渡金属单分子磁体的设计与调控提供思路.