半金属

摘要： 硅基晶体管的集成正在接近工艺物理的极限,而具有超高载流子迁移率的石墨烯有望成为下一代主流芯片材料。石墨烯纳米带中存在由量子效应引入的带隙,使之具有独特的电学性能,可以克服石墨烯本身半金属特质带来的不便,更适用于集成电路的制造。中国科学院化学研究所有机固体实验室于贵研究员课题组在石墨烯二维材料的制备策略、性能及其应用方面开展了系列研究。

摘要： 采用基于第一性原理的全势能线性缀加平面波方法计算闪锌矿结构CaC和SrC的电子结构.计算结果表明,锌矿结构CaC和SrC是自旋向上电子为非金属性的半金属,其半金属隙分别为0.83 eV和0.81 eV.磁性的计算分析表明,CaC和SrC的晶胞总磁矩都为2.00μ_(B),C的原子磁矩较强,Ca和Sr的原子磁矩较弱.使晶格均匀体形变△a/a_(0)限于±15%,在此范围内计算CaC和SrC的电子结构.计算研究表明,当闪锌矿结构CaC和SrC的晶格常数分别为0.490 nm—0.661 nm和0.539 nm—0.707 nm时,它们的半金属性不变,晶胞总磁矩仍然为2.00μ_(B).

摘要： 源于其有独特的物理性质和广阔的应用前景,近些年二维磁性半金属材料逐渐成为研究的热潮.基于第一性原理的理论计算,本文预测了一种新型二维磁性材料——单层InMnTe3.计算结果表明二维InMnTe3是一种半金属磁性材料,其自旋向上的电子表现为金属性,而自旋向下的表现为半导体特性,因而可以实现100%的自旋极化.磁矩主要分布在Mn原子上且存在较强的铁磁耦合作用和极大的面外磁各向异性能.鉴于以上优点,二维InMnTe3将在高密度信息存储领域和自旋电子器件等方面拥有潜在的应用价值.

摘要： 二维材料的发现开启了研究二维材料磁性的大门,为实现新功能器件拓宽了思路.基于第一性原理计算方法,本文研究了MSi2N4(M=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu)体系材料的电子结构和磁特性.结果表明,MSi2N4具有丰富的磁特性,CrSi2N4材料是非磁的半导体材料,而MSi2N4(M=V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu)为普通的磁性金属.MSi2N4(M=Sc,Mn,V)表现出半金属特性,费米能级附近的电子可以实现100％的自旋极化,研究结果为自旋电子器件上的应用提供了理论依据和模型,在自旋电子器件上具有潜在的应用价值.

摘要： 外尔物理量子模拟取得重要进展中国科学技术大学潘建伟团队与北京大学团队合作,在超冷原子模拟拓扑量子材料方面取得重要进展。研究团队在国际上首次利用超冷原子体系实现了三维自旋轨道耦合,并构造出有且仅有一对外尔点的理想外尔半金属能带结构。研究成果于4月16日以研究长文的形式发表在国际学术期刊《科学》杂志上。外尔半金属是一类重要的拓扑物态,其能带中的外尔点结构具有许多奇异的性质:它是一种拓扑磁单极子,且总是成对出现,在其附近的低能激发的运动模式符合"外尔费米子"的方程,最早于1929年由德国科学家赫尔曼·外尔提出。有且仅有两个外尔点的外尔半金属——理想外尔半金属。

摘要： 二维材料的发现开启了研究二维材料磁性的大门,为实现新功能器件拓宽了思路。基于第一性原理计算方法,本文研究了MSi_(2)N_(4)(M=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu)体系材料的电子结构和磁特性。结果表明,MSi_(2)N_(4)具有丰富的磁特性,CrSi_(2)N_(4)材料是非磁的半导体材料,而MSi_(2)N_(4)(M=V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu)为普通的磁性金属。MSi_(2)N_(4)(M=Sc,Mn,V)表现出半金属特性,费米能级附近的电子可以实现100%的自旋极化,研究结果为自旋电子器件上的应用提供了理论依据和模型,在自旋电子器件上具有潜在的应用价值。

摘要： 中国科学技术大学潘建伟、陈帅等与北京大学刘雄军等合作,在国际上首次利用超冷原子体系实现了三维自旋轨道耦合,并构造出有且仅有一对外尔点的理想外尔半金属能带结构。研究成果以研究长文形式发表在国际学术期刊《科学》杂志上,同时还专门配发了评论文章。外尔半金属是一类重要的拓扑物态,它是一种拓扑磁单极子,且总是成对出现。

摘要： 凝聚态体系中拓扑物相的发现革新了对量子物质基本相的认识。在过去的十多年里,人们在寻找新奇拓扑物质方面取得了大量突破,发现了诸多新的拓扑相,如量子霍尔效应、对称保护的拓扑绝缘体、拓扑半金属、拓扑超导体等。尽管如此,在理论预言的众多拓扑相中,目前仍只有很小的一部分在凝聚态实验中被观察到。量子模拟作为一种前沿的技术,可以超越真实体系所受的限制,为探索和研究各种奇异的量子物相提供一种强有力的手段。

摘要： 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400 K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同的缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

摘要： 作为当前国际上的前沿研究学科之一,自旋电子学受到了人们极大的关注.了解电子自旋相关现象的物理本质以及开发具有新型功能的工作器件是自旋电子学的两大目标.而有关材料方面的工作又构成了目前该领域最重要的努力方向.本文对国际上自旋电子学领域的材料研究的现状和发展作了介绍.

摘要： 作为当前国际上的前沿研究学科之一,自旋电子学受到了人们极大的关注.了解电子自旋相关现象的物理本质以及开发具有新型功能的工作器件是自旋电子学的两大目标.而有关材料方面的工作又构成了目前该领域最重要的努力方向.本文对国际上自旋电子学领域的材料研究的现状和发展作了介绍.

摘要： 作为当前国际上的前沿研究学科之一,自旋电子学受到了人们极大的关注.了解电子自旋相关现象的物理本质以及开发具有新型功能的工作器件是自旋电子学的两大目标.而有关材料方面的工作又构成了目前该领域最重要的努力方向.本文对国际上自旋电子学领域的材料研究的现状和发展作了介绍.

摘要： 作为当前国际上的前沿研究学科之一,自旋电子学受到了人们极大的关注.了解电子自旋相关现象的物理本质以及开发具有新型功能的工作器件是自旋电子学的两大目标.而有关材料方面的工作又构成了目前该领域最重要的努力方向.本文对国际上自旋电子学领域的材料研究的现状和发展作了介绍.

摘要： 公开了一种用于搅拌半固体金属浆料的搅拌装置(110)，其中当用于搅拌半固体金属浆料时，搅拌装置(110)绕旋转轴(X‑X)旋转。搅拌装置(110)包括沿旋转轴(X‑X)延伸的细长轴(111)，以及至少两个翼片(112a、112b)，其牢固地布置到细长轴(111)并从细长轴径向向外延伸，其中至少两个翼片(112a、112b)也沿旋转轴(X‑X)具有基本轴向的延伸。因此，在浆料中产生回旋，引起良好均质化的浆料，内部没有大的金属氧化物表面。还公开了一种用于生产浆料的生产方法和系统。

摘要： 本发明公开了一种片状半金属MoTe2:Cu和片状半金属MoTe2:Cu/RGO的制备方法，将碲粉和硼氢酸钾加入到去离子水中并置于密封环境反应，得Te2‑前驱体水溶液；将仲钼酸铵和醋酸铜加入到10ml溶剂中溶解后加入柠檬酸，得钼离子源前驱体溶液；将Te2‑前驱体水溶液和钼离子源前驱体溶液置入反应釜中室温下保持后梯度升温至155～165°C水热反应，冷却至室温，过滤并对过滤物清洗后干燥，得Cu离子掺杂的片状半金属二碲化钼和Cu离子掺杂的片状半金属二碲化钼与石墨烯的复合物。其能够直接生产半金属结构的金属二碲化钼且其制备工艺简单。

摘要： 本发明涉及一种用于制备具有高活性、极佳立构规整性、高熔点和宽分子量分布的间规立构苯乙烯聚合物的具有惰性结构的过渡金属半金属茂催化剂以及使用该催化剂制备苯乙烯聚合物的方法。本发明提供了具有单核结构的半金属茂催化剂，其中周期表中3～10族中的过渡金属在其一侧与环烷基二烯基基团或衍生形成的5-配位键结合，并且在其另一侧与具有多个键合位点和高位阻的三乙醇胺、N-烷基二乙醇胺和N-二烷基乙醇胺的任意一个结合。根据本发明的惰性金属茂催化剂被用于制备具有宽分子量分布和高活性的高间规立构乙烯基芳香族聚合物。

摘要： 本发明公开了一种具有多核半金属茂结构的多核过渡金属半金属茂催化剂，其中元素周期表中的3～10族的过渡金属一侧与环烷二烯基或其衍生基团连接，并且另一侧与具有多个结合部位的酚或酚胺化合物连接。该金属茂催化剂与少量的助催化剂一起用于高活性地制备具有极优立构规整性、高熔点和宽分子量分布的间同立构苯乙烯聚合物。本发明进一步公开了一种使用该催化剂制备苯乙烯聚合物的方法。

摘要： 本发明提供能够在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。本发明的方法中，使用N‑三烷基甲硅烷基‑1,2,3‑三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4‑三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

摘要： 本发明提供能够在低温下成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法和装置。将含有通式(1)所表示的胍化合物的氮源和金属源或半金属源供给至成膜对象物上，成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。(式中，多个R可以相同或不同，分别表示氢原子、碳原子数1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或碳原子数1～9的三烷基甲硅烷基。其中，多个R可以相互键合形成环)

摘要： 本发明公开了一种具有多核半金属茂结构的多核过渡金属半金属茂催化剂，其中元素周期表中的3～10族的过渡金属一侧与环烷二烯基或其衍生基团连接，并且另一侧与具有多个结合部位的酚或酚胺化合物连接。该金属茂催化剂与少量的助催化剂一起用于高活性地制备具有极优立构规整性、高熔点和宽分子量分布的间同立构苯乙烯聚合物。本发明进一步公开了一种使用该催化剂制备苯乙烯聚合物的方法。

摘要： 本发明涉及一种用于制备具有高活性、极佳立构规整性、高熔点和宽分子量分布的间规立构苯乙烯聚合物的具有惰性结构的过渡金属半金属茂催化剂以及使用该催化剂制备苯乙烯聚合物的方法。本发明提供了具有单核结构的半金属茂催化剂，其中周期表中3～10族中的过渡金属在其一侧与环烷基二烯基基团或衍生形成的5－配位键结合，并且在其另一侧与具有多个键合位点和高位阻的三乙醇胺、N－烷基二乙醇胺和N－二烷基乙醇胺的任意一个结合。根据本发明的惰性金属茂催化剂被用于制备具有宽分子量分布和高活性的高间规立构乙烯基芳香族聚合物。

摘要： 本发明涉及包含用聚合物涂覆的含金属、金属氧化物、金属氮化物或半金属氮化物的芯颗粒的粉末。具体地，本发明涉及通过经由引入电磁能使各粉末层的区域选择性熔融而制备成型体的逐层加工方法中使用的粉末，包含由完全或部分涂有沉淀聚合物的芯颗粒制备的复合颗粒，其中所述芯颗粒的d

摘要： 本发明涉及包含用聚合物涂覆的含金属、金属氧化物、金属氮化物或半金属氮化物的芯颗粒的粉末。具体地，本发明涉及通过经由引入电磁能使各粉末层的区域选择性熔融而制备成型体的逐层加工方法中使用的粉末，包含由完全或部分涂有沉淀聚合物的芯颗粒制备的复合颗粒，其中所述芯颗粒的d50中值粒径是1μm或更大并且所述复合颗粒的d50中值粒径与所述芯颗粒的d50中值粒径之比是1.15或更大。本发明进一步涉及粉末的制备方法，此外还涉及通过逐层加工方法应用上述粉末制备成型体的方法。