COMS

摘要： 5月29日,魅蓝发布今年第三款手机——魅蓝6T。毫无疑问,对于一台不到800元的手机来说,魅蓝6T的卖点绝对不是“烧配置”。但问题在于,按照魅蓝一贯的风格,就算不在运算配置上满足那些参数控的喜好,也绝对会找出一个让更多人无法拒绝的卖点,并尽可能地发挥到极致。所以,魅蓝6T这次的口号,就是“千元以内最有意思的双摄手机”。至于质素如何,EF也很有兴趣想快些知道。讨巧的设计在2018年初的时候,魅蓝推出旗下首款全面屏手机—魅蓝S6,没有跟随市面上全面屏手机常见的背部指纹设计,而是使用侧面式指纹,让该机首发当天就在各大网络平台取得单品销量冠军。随之,魅蓝继续推出魅蓝E3手机,使用全面屏,继续沿用侧面指纹,搭载骁龙636SoC和索尼IMX362+IMX350 COMS的影像组件,凭借其外观、性能、相机等亮点,同样取得十分不错的销量佳绩。但今日这魅蓝6T,搭载MT6750,使用后置指纹——这是魅蓝首款采用背部指纹的手机。魅蓝6 T提供曜石黑、香槟金、珊瑚红三种配色,拥有3 G B RAM+32GB ROM、4GB RAM+32GB ROM和4GB RAM+64GB ROM几种配置方案。EF手里这台,是珊瑚红版本,整体感观还不错,机身质感也符合当前这个价位的定位,背部采用了聚碳酸酯一体成型机身,是一种我们非常熟悉的材质,特殊的航空涂料涂层工艺,让手感更细腻,再以圆润平滑的机身四角,贴合掌心。加之,它正面屏幕采用2.5D玻璃覆盖,所有保持了依旧圆润的质感,机身重量减至145g,握持手感轻巧玲珑。各竞品在这方面也都差异不大。而且,指纹按键位置使用金属线条收边,摸起来具有质感,与背部材质过渡自然,不会让手指产生割裂感。重要的是,双摄镜头在背面的设计没有明显的凸出感,整体与背部保持着一致。

摘要： Compared with COMS planar technology,FinFET technology has more obvious advantages in advanced nanoscale devices,which provides the possibility of continuous advancement of Moore’s Law.FinFET process devices have attracted extensive attention in the radiation resistance field,especially in single-event effects(SEEs).Due to the particularity of structure for 3D FinFET devices,effect from the angle of incidence is an important factor to be taken into account.

摘要： 安森美半导体近日推出两款新的高集成度100万像素（Mp）CMOS图像传感产品——AS0140和AS0142，推进公司在快速增长的汽车成像领域的重大进展。

摘要： 在1987年全球股市遭遇大崩盘后，多家交易所开始反思交易规则和机制。CME(芝家哥商业交易所)在1988年开发了新的保证金系统---SPAN，当前该系统已成为世界上公认的保证金国际评价标准，被全球50多家交易所、清算组织、服务机构和监管机构承认和接纳。2005年韩国交易所开发设计了COMS保证金系统，该系统承袭了SPAN和TIMS的优点，同时选取了独特又较为保守的保证金模式，其自主开发的COMS系统在保证金制度调整、计算方式的修改、系统的改进等方面，能更好适应韩国本土市场的特点。文章比较分析了SPAN和COMS保证金系统架构、具体设计原理和基础算法的特征，并对我国期权保证金的设计提出了建议。

摘要： 硅基共面波导(CPW)是毫米波集成电路设计的基础元件之一。阐述了硅基共面波导(CPW)的机理和等效电路模型的设计方法，建立了基于硅衬底的标准90 nm CMOS 工艺的毫米波 CPW模型和参数提取算法，通过仿真和实测数据对比发现，模型在0~66 GHz 内有效。%Si-based coplanar waveguide (CPW)is one of the basic components of millimeter wave integrated circuit design.This paper describes one of the key technology millimeter wave CMOS integrated circuits,Si-based mechanism coplanar waveguide(CPW)and equivalent circuit model.A millimeter-wave CPW model based on standard 90 nm CMOS process.By comparing simulation and experimental data,the model is valid for 0-66 GHz.

摘要： The domestic undergraduate intelligent vehicle design competition and relevant electronic informa-tion competition is set as the background in this paper. In order to solve the mismatch problem between image output of COMS digital video camera used on the intelligent vehicle and sampling speed of microcontroller,a real-time acquisition scheme of low speed microcontroller based on COMS digital video camera is proposed. It has advantages of low cost,easy realization,high resolution and full frame rate,and so on,which can increase acquisition resolution from 160 pixel points per row to 320 pixel points per row. The whole picture has no error point. The experiment shows that this method can reduce the requirements of the hardware,carry out high speed data acquisition at the same time,save cost and provide a new way for high speed data acquisition of low speed microcontroller.%以国内大学生智能车设计竞赛及相关电子信息类竞赛为背景，主要针对智能车所用COMS数字摄像头的图像输出与单片机的采集速度不匹配问题，提出一种基于COMS数字摄像头的低速单片机的实时采集方案。具有低成本、易实现、高分辨率、全速帧率等优点，能够将采集分辨率从每行160个像素点提高到每行320个像素点，整张图片无噪点。实验证明此方法可以在降低对硬件要求的同时进行高速数据采集，节省成本，为低速单片机的高速数据采集的提供了一种新思路。

摘要： 美国佐治亚理工学院的研究人员研发出一种超细微的传感器设备，希望能够帮助降低心脏病致人死亡的案例。这种设备实质上就是1．4mm的硅芯片，可以拍摄心脏和冠状动脉内部及血管周围的实时3D图像。

摘要： 用CMOS电路和ASIC超大规模集成电路系统去解决医学和系统生物学的问题，使得生物／cM0s界面和协同设计成了迅速增长的研究领域。VLSI．CMOS设计与硅和／或金属上分子生物物理学界面之间的相互关系直接导致了面向生物／CMOS界面跨学科的工程方法的出现。在3D电路设计与纳米技术的推动下，这种新方法已经导致了VLSI系统在生物世界的新的概念和应用的产生。

摘要： 本申请提供一种用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片，包括：在微桥面上设有从顶部到底部依次设置的P型半导体层、形变层以及红外吸收层，在P型半导体层内形成有晶体管对阵列，每个晶体管对包括P型半导体层的顶部区域设置的两个第一N型区域、底部区域设置的两个第二N型区域、两个第一N型区域的上方设置的第一栅介质层、两个第二N型区域的下方设置的第二栅介质层、第一栅电极、第二栅电极、第一源电极、第二源电极、第一漏电极以及第二漏电极，通过如此设置，灵敏度更高。

摘要： 本发明属于位移传感器技术领域，具体涉及一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器，包括光源、凸透镜、光栅、COMS相机，所述光源设置在凸透镜的焦点处，所述光源发出的散射光通过凸透镜后成为平行光束，所述平行光束的光路方向上设置有光栅，所述平行光束经光栅发生衍射干涉，所述平行光束在光栅后形成Talbot像，所述COMS相机设置在任一级的Talbot像上；本发明通过光学设计使光源位移与Talbot像周期相结合，通过COMS相机对Talbot像周期进行测量进而实现对光源位移的测量，实现位移信号输出，仅使用光源、凸透镜、光栅、COMS相机器件，结构较为简单；同时，通过对Talbot像周期的测量也可实现对光源的准直，进而提高定位精度。本发明用于光微位移的测量。

摘要： 本发明公开一种基于COMS和高光谱相机的杆状物分选装置及方法，属于物料分选技术领域，包括进料装置、传送装置、超高速图像预处理单元、工控机、喷阀控制单元和多级分选装置，相机采集物料图像，图像经超高速图像预处理单元处理后，发送至工控机，工控机通过迁移学习算法提取图片特征，使用实例分割算法分析特征图片得到物料中杆状物及异物的特点、位置信息，对物料中杆状物及异物进行识别分割，完成杆状物的分选工作。本发明将分选系统模块化，根据不同物料，自行搭配使用；CMOS工业线阵相机及高光谱相机通过深度学习的方法对图像进行识别分割可以提升杆状物识别的准确率，实现精准分选，成功的解决了人工分选的低精度、高成本的难题。

摘要： 本发明公开一种COMS振荡器电路，包括监测模块和复位脉冲产生模块；通过监测模块在监测到所述RS触发器的两个输出信号的电平相同时，输出触发信号至所述复位脉冲产生模块；以使复位脉冲产生模块输出复位脉冲信号至第一延迟单元、第一比较器和第二比较器，进而控制RS触发器的两个输出信号电平相反。实现了初始输出波形满足稳定工作的要求。

摘要： 本发明公开了一种基于COMS场管的输出驱动电路系统，包括，电源模块，所述电源模块用于对各个模块进行电流的通断，驱动模块，所述驱动模块用于对主电路的下级模块运行前进行模拟测试，同时进行运行结果信号传递，MOS管连接模块，所述MOS管连接模块用于对驱动电路中数字信号进行逻辑转换，从而对电路的“导通”与“关闭”的工作状态进行判定。本发明中通过采用CMOS场管进行设计，各个通道采用续流二极管，从而防止了感性负载动作期间的浪涌对电路的冲击，此外通过各个通道的CMOS场管控制电源采用的光耦隔离技术，从而确保控制电压、驱动电压及通道之间独立，各个通道采用防短路及接地设计，稳定保障了控制卡件的可靠性，防止高压电串入DCS或PLC。

摘要： 本发明公开一种基于COMS和高光谱相机的杆状物分选装置及方法，属于物料分选技术领域，包括进料装置、传送装置、超高速图像预处理单元、工控机、喷阀控制单元和多级分选装置，相机采集物料图像，图像经超高速图像预处理单元处理后，发送至工控机，工控机通过迁移学习算法提取图片特征，使用实例分割算法分析特征图片得到物料中杆状物及异物的特点、位置信息，对物料中杆状物及异物进行识别分割，完成杆状物的分选工作。本发明将分选系统模块化，根据不同物料，自行搭配使用；CMOS工业线阵相机及高光谱相机通过深度学习的方法对图像进行识别分割可以提升杆状物识别的准确率，实现精准分选，成功的解决了人工分选的低精度、高成本的难题。

摘要： 本申请提供一种用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片，包括：在微桥面上设有从顶部到底部依次设置的P型半导体层、形变层以及红外吸收层，在P型半导体层内形成有晶体管对阵列，每个晶体管对包括P型半导体层的顶部区域设置的两个第一N型区域、底部区域设置的两个第二N型区域、两个第一N型区域的上方设置的第一栅介质层、两个第二N型区域的下方设置的第二栅介质层、第一栅电极、第二栅电极、第一源电极、第二源电极、第一漏电极以及第二漏电极，通过如此设置，灵敏度更高。

摘要： 一种用于长焦透镜与COMS传感器对位的六轴调整装置。它包括长焦透镜模组、固定支架、六轴调整机构、多个螺钉、COMS传感器；所述固定支架为折弯结构，所述固定支架包括左侧的竖板部、及底板部，所述六轴调整装置还包括印刷电路板，所述CMOS传感器设置于印刷电路板上；所述六轴调整机构包括由内向外依次设置的调整支架一、调整支架二、调整支架三、调整支架四；所述印刷电路板通过螺钉螺孔固定于调整支架一上。该机构通过调整COMS传感器位置实现长焦透镜模组与COMS传感器的对位，且采用集成式六轴机构，便于COMS传感器位置的精准控制，该机构可大大提升产品组装生产成品合格率和生产效率。

摘要： 本发明提供了一种COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；利用第一光罩刻蚀掉核心NMOS管和核心PMOS管所在区域的氧化层；利用第二光罩向核心NMOS管及输入输出PMOS管进行第一N型LDD离子注入及第一P型袋状离子注入；利用第三光罩向核心PMOS管及输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入。利用核心N/PMOS LDD轻掺杂与输入输出N/PMOS LDD轻掺杂离子注入深度的不同，通过第一层光罩使得核心N/PMOS区域和输入输出N/PMOS区域表层氧化厚度不一样，从而使得在使用第二光罩和第三光罩进行离子注入的时候得到能够同时满足核心MOS和输入输出MOS需求的轻掺杂。

摘要： 本申请公开了一种COMS图像传感器中源漏通孔的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上依次形成第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；定义源漏通孔图案；根据源漏通孔图案按氧化物和氮化硅的第一刻蚀选择比刻蚀第二氧化层，第二氧化物的刻蚀速率大于氮化硅的刻蚀速率；根据源漏通孔图案按氮化硅和氧化物的第二刻蚀选择比刻蚀氮化硅层，氮化硅的刻蚀速率大于第一氧化物的刻蚀速率；根据源漏通孔图案按氧化物和氮化硅的第三刻蚀选择比刻蚀第一氧化层，氧化物的刻蚀速率大于氮化硅的刻蚀速率；解决了目前小线宽的CIS产品容易出现实现的问题；达到了优化CIS产品的通孔形成工艺，保证产品性能的效果。