高集成度

摘要： 随着二维闪存存储器的发展,虽然半导体生产工艺取得了一定的进度,但是二维闪存面临芯片面积大而存储容量小的技术问题,且二维即平面闪存存储器的质量对掩膜工艺的要求特别高,因此想要再度提高集成的密度就显得特别困难,为了解决二维闪存面临的问题以及现在大众越来越追求更低的存储器的生产成本,这时功耗低、体积小、存储容量大的三维存储器应运而生,且在目前的半导体领域取得了越来越广泛的应用,随着技术的发展越来越成熟稳定,大众对三维存储器的要求逐渐提高,从体积小、容量大为出发点希望推出高集成度的三维存储模式,生产出适合普通大众使用的存储密度大且单位面积小的三维存储器产品。

摘要： 瑞芯微发布新一代机器视觉方案--RV1106及RV1103,两颗芯片在NPU、ISP、视频编码、音频处理等性能均有显著升级,具有高集成度、高性价比、低待机功耗的特点。RV1106及RV1103为普惠型方案,旨在助力更多行业伙伴高效实现机器视觉产品的研发及落地。

摘要： 高集成度微波组件具有生产难度大,过程问题多,返修成本高的特点,该文提出了高集成度微波组件加电前通用检测方法,并对检测后的产品进行了质量数据的统计与分析,验证了该方法的可靠性。

摘要： 针对传统遥感相机体积大、工作模式单一等问题,提出了一种基于FPGA的微纳遥感成像系统,系统采用Xilinx XC7K410T FPGA作为主控芯片,实现了快速自动曝光算法、数字TDI推扫算法、高性能Bayer图像压缩等算法,解决了传统微纳遥感相机Bayer图像数据压缩效率低、高效数字TDI实现困难及自动曝光运算收敛慢等问题。该相机系统整机重量2.8 kg,在500 km轨道上实现了对地2 m分辨率成像,同时实现了1~25级可调节数字TDI推扫成像,7 920×6 004全画幅拍照成像和25帧/s的1 920×1 080凝视视频成像,相机在轨实测自动曝光收敛速度小于4帧,图像压缩质量和Bayer图像数字TDI效果优异。该相机系统具有体积小、重量轻、功能强、可靠性好等优点,可被搭载于各种航天器智能遥感系统中。

摘要： 射频变频通道模块通常有混合集成或者低温共烧陶瓷(LTCC)一体化集成两种实现方式,无法同时兼顾高集成度与可测试性。一种高集成度超宽带(2 GHz~ 18 GHz)射频变频模块被研究,可将2 GHz~ 18 GHz的射频信号变换成1.8 GHz的中频信号以供后续信号处理。该模块不仅具有小型化的优点,还具有良好的可测性、可调试性与返修性,同时也能很好解决变频通道内的电磁兼容问题。

摘要： 针对重大自然灾害中大尺度区域应急通信需求,设计了一种高集成度的数字短波广播(Digital Radio Mondiale,DRM)发射系统。为实现高集成度和设计灵活性,采用片上系统(System on Chip,SoC)结构,将基带信号与上变频芯片进行耦合设计,利用硬件电路的高速数据处理能力完成多载波调制,并利用软件设计的灵活性在单芯片上生成基带信号。采用Zynq-7020开发板,搭建基带信号调制系统,设计了无线传输整体硬件电路。在提高发射系统集成度的基础上,还具有发射频点可重构的优点,以有效应对短波频率选择性衰落。理论分析与仿真结果表明,基于SoC结构的DRM调制系统可以正确稳定输出用于上变频的器件的基带I/Q信号,具备较高的工程价值。

摘要： 随着高集成度电路板在机载产品中的使用越来越广泛,传统的检测方法已经无法满足新机中高频电路模块的检测需求。文章在分析电磁扫描技术测试优势的基础上,提出利用新型测试方法检测高频电路模块的思路,搭建了基于电磁扫描技术的电路板测试系统,着重从异常频率点检测、异常区域检测和故障点判定等方面展开研究,实现对加电的待测高频电路模块的非接触式检测的目的。

摘要： 介绍了一种高集成度多标记光刻版版图的快速处理技术。其中包括以下四个模块:chip芯片排布模块、标记排布模块、芯粒数统计模块和自动版号模块。在版图编辑工具L-edit中使用这些模块可以大幅提升微光刻中的高集成度多标记光刻版版图的排布效率并提高准确度,从而有效缩短掩膜版的生产周期。

摘要： 本文提出了一种高集成超小型收发系统设计方法,将原来用庞大单元才能实现的频率源、多通道前端接收、数字信号产生、上变频发射、定时控制等功能集成在同一个组件同一块印制板内。大大减小了体积、重量及电路复杂度。测试结果表明,该系统满足指标要求。具有积极的工程实践意义,为雷达系统提供了先进的设计思路。

摘要： 为提升车用燃料电池系统集成度、耐久性和降低车用燃料电池系统零部件成本,针对捷氢科技第四代车用燃料电池系统研发了高集成度的介质循环模块,该模块集成了气体/液体输入输出接口、外部管路和水汽分离器等多个零件,具有离子析出率低、集成度高、寿命长、流阻小和成本低等优点。

摘要： 一种高集成度的超声诊断系统模拟前端设计方案，该设计以AFE5805，HDL6V5581为基础，使用FPGA实现LVDS信号的串并转换。与传统的分立方案相比，该方案不仅能显著缩小板子的面积，还能提供更优异的性能。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明提供一种高集成度的集成电路封装装置，包括：下安装板、上模具、引线框架、塑封通道、加热压入腔、下夹持机构、上夹持机构、驱动机构、同步机构和混合机构，所述下安装板顶部固定有下模具，所述下模具上表面对称开设有第一定位槽，所述第一定位槽中部开设有下模腔，所述下模具的四角对称开设有第三定位孔，所述上模具设置在下模具上表面，所述上模具下表面对称开设有第二定位槽，所述第二定位槽中部开设有上模腔。本发明可大大提高良品率和树脂压入速度，提高工作效率，而提高压入速度又可防止塑封料硬化粘度变高托起小岛，进一步提高良品率，并且可提高融化速度，从而提高封装效率。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明提供了一种用于深空探测的高集成度高可靠高稳频率源设计方法及系统，包括：步骤S1：高稳频率源产生多路高稳频率基准信号；步骤S2：多路高稳频率基准信号两两合路后进行滤波处理，形成多路信号，为多台单机提供高稳定度的频率基准信号。本发明设计的高稳频率源使用1路高稳晶振输出，在高集成度和高可靠性设计的基础上，为多台单机提供高稳定度的外部输入频率基准信号。

摘要： 本申请涉及一种高集成度的COB集成光源，属于LED光源的技术领域，其包括底座，所述底座上连接有基板，所述基板上安装有LED芯片，所述LED芯片包括多个半导体芯片，所述基板上固定有多个反光杯，所述反光杯与所述半导体芯片一一对应，所述基板上固定有荧光粉层，所述反光杯位于所述荧光粉层内部，所述基板上安装有保护罩，所述荧光粉层和所述基板位于所述保护罩内。本申请具有使灯具体积减小的效果。

摘要： 该发明公开了一种高集成度纳米墙集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明提出一种具有高集成度的纳米墙集成电路单元结构(Nano‑Wall FET，简称NWaFET)。NWaFET可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件沟道宽长比调整的灵活性，节约芯片面积。

摘要： 本实用新型公开了一种高集成度高可靠度的新能源工具锂电保护板，包括底板、防护层、活性炭层、PCB板，地板为U型底板，底板侧壁设置活性炭层，底板底面设置防护层，防护层上设置减震层，减震层上设有PCB板，PCB板上为连接层，连接层内设有温度传感器与压力传感器，连接层上纵向设置多个防辐射网，连接层上设有电极接口，底板侧面设有输出接口，底板上设有盖板，本实用新型结构合理，使用操作简单，减少锂电池在放置和使用时由于摩擦产生的静电与振动，有效屏蔽电磁波辐射信号，防止电磁干扰锂电池的正常工作，有效避免空气接触导致的短路损坏。

摘要： 本申请涉及一种高集成度的COB集成光源，属于LED光源的技术领域，其包括底座，所述底座上连接有基板，所述基板上安装有LED芯片，所述LED芯片包括多个半导体芯片，所述基板上固定有多个反光杯，所述反光杯与所述半导体芯片一一对应，所述基板上固定有荧光粉层，所述反光杯位于所述荧光粉层内部，所述基板上安装有保护罩，所述荧光粉层和所述基板位于所述保护罩内。本申请具有使灯具体积减小的效果。