源区

摘要： 蟒岭花岗岩体位于北秦岭构造带黑沟—栾川断裂和乔端—瓦穴子断裂之间,是由3期岩浆侵入形成的岩浆杂岩体,其岩石类型从早到晚依次为含辉石黑云母闪长岩、二长花岗岩和黑云母正长花岗岩。在详细的野外调查和岩相学观察基础上,对蟒岭花岗岩体中的前两期岩石进行了系统的矿物学和Sr-Nd-Hf同位素研究。结果表明:蟒岭花岗岩体以I型花岗岩为主,从早到晚(含辉石黑云母闪长岩→二长花岗岩→黑云母正长花岗岩),其岩石成因类型具有从I型向I-A过渡型花岗岩变化的趋势;含辉石黑云母闪长岩和二长花岗岩中黑云母形成于较高氧逸度环境,其结晶温度分别为675°C~740°C和550°C~675°C;蟒岭花岗岩体是古老地壳物质部分熔融形成的长英质岩浆与可能起源于幔源的基性岩浆混合而成的产物。

摘要： 东川式铜矿主要分布在云南省中北部的康滇地区,属于典型的沉积岩型容矿铜矿床,以东川地区的东川铜矿床铜储量最大.东川群是东川式铜矿的主要赋矿围岩,查明东川群物源对于识别沉积作用的源区、沉积构造环境和Cu成矿作用以及对于研究沉积岩型容矿铜矿床的成矿模式具有重要意义.本文对东川地区东川群的因民组、黑山组、青龙山组样品的碎屑锆石进行了LA-ICP-MS U-Pb定年和原位微量元素分析.结果 表明,东川群绝大多数碎屑锆石属岩浆锆石,且来自S型花岗岩源区.所有锆石显示了～2.7Ga、～2.5Ga、～2.2Ga、～1.8Ga和～1.5Ga等5个年龄峰值,首次确定青龙山组最大沉积年龄为～ 1220Ma.东川群含矿地层成岩和成矿物质具有二元特征:地层主体成分来自于毗邻的哥伦比亚造山带的S型花岗岩,而金属Cu应为同一造山带内先期存在的Cu矿床或者富Cu岩石经过剥蚀、搬运和沉积成矿作用富集的.

摘要： 对比分析了安徽省沿江地区早白垩世侵入岩体的岩石地球化学特征,探讨了该区中酸性侵入岩体的岩浆源区演化特征.该区燕山期侵入岩主要形成于晚侏罗世和早白垩世,早白垩世岩浆源区具壳幔混合源特征,主要来自富集地幔,与部分地壳物质发生混染而成,其时空分布于岩浆成矿带内的矿集区具有高度吻合性.

摘要： 孟加拉湾内和湾口附近有丰富的中尺度现象,本文利用2.0版可分辨低纬地区中尺度涡的Chelton数据集,通过溯源的方法得到中尺度涡的源地分布.苏门答腊岛西北海域(以5°N,94°E为核心的区域)是中尺度涡重要源区之一.通过拉格朗日方法的涡旋追踪表明,1993—2017年该海域(3°N—6°N、92°E—95°E),分别有57个气旋式和40个反气旋式中尺度涡.频谱分析显示海表面高度异常存在180 d和360 d两个显著周期.地形和风场的共同作用是该海域产生中尺度涡的动力机制:沿5°N西传的罗斯贝波在海岭地形的作用下触发了中尺度涡的生成;赤道风场是源区重要的能量来源,局地风场能诱发中尺度涡的极性.本研究也揭示了以往文献虽刻画了苏门答腊岛西北部海域为高涡动能区,却没有识别出较多中尺度涡的原因.

摘要： 作为全球三大成矿域之一,特提斯成矿域发育众多的世界级成矿带(矿床),例如,旁地德斯、萨汉德-巴兹曼、贾盖、玉龙、冈底斯成矿带等.为了进一步了解特提斯成矿域中新世斑岩铜矿的成因及成矿作用,本文对萨汉德-巴兹曼、贾盖和冈底斯铜矿带典型矿床的地质、地球化学、Sr-Nd-Pb数据进行对比分析,探讨含矿斑岩岩石成因、源区特征和构造环境,归纳其构造演化与其成矿作用过程.地球化学数据显示,这三个铜矿带中新世斑岩体总体显示钙碱性I型花岗岩的特征,具有埃达克岩亲和性.与冈底斯铜矿带相比较,萨汉德-巴兹曼铜矿带和贾盖铜矿带斑岩体显示出弧岩浆岩与埃达克岩过渡的地球化学特征,暗示其岩浆源区MORB质角闪榴辉岩或榴辉岩可能发生的较大程度的部分熔融.Sr-Nd-Pb同位素数据显示,这些含矿斑岩主要来源于受岩浆作用控制的壳幔混合物质,显示DUPAL异常.综合研究分析,认为这些含矿斑岩可能形成于岛弧造山带演化过程中,是洋壳俯冲消减和大陆碰撞过程中增厚下地壳部分熔融的结果.

摘要： 青藏高原其独特的地质背景和复杂的地理环境,滑坡灾害极为发育.由于构造活动强烈、河谷深切、斜坡高陡,内外动力耦合作用下诱发的高位崩滑往往具有极高的位能和超远的位移,对其危害范围内的构筑物和人类活动等造成严重破坏.因此,青藏高原重大滑坡灾害防治应从源头区—运动区—堆积区进行全过程调控和综合治理,因势利导地进行总体设计.本文对重大滑坡灾害源区、运动区的处置措施、减灾机理及其应用范围进行了探讨,根据青藏高原滑坡特点,研发了适应高海拔地区的变管径高扬程虹吸排水技术,抵抗滑体大变形的新型抗滑桩结构,以及抗冲击耗能减震棚洞结构.室内虹吸排水试验和混凝土梁试样的4点弯试验结果表明:1)对于不同扬程的试验,4.0 mm+6.5 mm的虹吸系统排水能力均强于4.0 mm的虹吸排水系统,变管径使得排水能力提升64％～117％;2)随着扬程的升高,6.5 mm虹吸排水系统排水能力下降明显比4.0 mm+6.5 mm快,变管径使得随扬程升高排水能力下降比例减小了28％～42％;3)相较于传统抗滑桩,新型钢绞线抗滑桩不仅提高了抗折强度,而且韧性更好,可承载更大的变形而不发生破坏.以金沙水电站山梁子高位崩塌滑坡灾害治理为例,开展了从滑源区到运动区全过程的综合治理设计和应用实施,为金沙水电工程的安全施工与长期运行提供保障.

摘要： 青藏高原其独特的地质背景和复杂的地理环境,滑坡灾害极为发育。由于构造活动强烈、河谷深切、斜坡高陡,内外动力耦合作用下诱发的高位崩滑往往具有极高的位能和超远的位移,对其危害范围内的构筑物和人类活动等造成严重破坏。因此,青藏高原重大滑坡灾害防治应从源头区-运动区-堆积区进行全过程调控和综合治理,因势利导地进行总体设计。本文对重大滑坡灾害源区、运动区的处置措施、减灾机理及其应用范围进行了探讨,根据青藏高原滑坡特点,研发了适应高海拔地区的变管径高扬程虹吸排水技术,抵抗滑体大变形的新型抗滑桩结构,以及抗冲击耗能减震棚洞结构。室内虹吸排水试验和混凝土梁试样的4点弯试验结果表明:1)对于不同扬程的试验,4.0 mm+6.5 mm的虹吸系统排水能力均强于4.0 mm的虹吸排水系统,变管径使得排水能力提升64%~117%;2)随着扬程的升高,6.5 mm虹吸排水系统排水能力下降明显比4.0 mm+6.5 mm快,变管径使得随扬程升高排水能力下降比例减小了28%~42%;3)相较于传统抗滑桩,新型钢绞线抗滑桩不仅提高了抗折强度,而且韧性更好,可承载更大的变形而不发生破坏。以金沙水电站山梁子高位崩塌滑坡灾害治理为例,开展了从滑源区到运动区全过程的综合治理设计和应用实施,为金沙水电工程的安全施工与长期运行提供保障。

摘要： NWA 12279为2016年发现的一块斜长岩质月球陨石,由86％的斜长岩和14％的冲击熔融角砾岩组成.斜长岩具嵌晶结构,矿物组成主要为斜长石(70.6％)、橄榄石(11.3％)、辉石(10.0％)、镁铝尖晶石(7.0％),含少量石英、铬铁矿和钛铁矿;冲击熔融角砾岩具角砾状结构,主要由岩屑(斜长岩、辉长-橄长-斜长岩、微斑熔融角砾岩、辉长岩)、晶屑(橄榄石、辉石、斜长石、尖晶石)、玻屑和基质组成.斜长岩和角砾岩的矿物组成基本一致,主要为斜长石(An92.9 ～98.4)、紫苏辉石(Fs15.5 ～32.2Wo2.98～4.22)、易变辉石(Fs27.9～53 1Wo7.19～14.7)、普通辉石(Fs8.42～38.9 Wo17.0～44.1)、橄榄石(Fo53.7～89.4)、尖晶石[(Mg4.97Fe0.86)5.83(Al11.4Cr0.61)120O24].通过对陨石的矿物组成、碎屑组成、矿物成分、全岩成分和冲击变质特征进行研究,并和已发现的月球斜长岩进行了对比,认为该陨石可能起源于一个新的富含尖晶石的辉长橄长斜长岩高地.该陨石的斜长岩和角砾岩具有不同的冲击特征,斜长岩区域发育橄榄石面状破裂、斜长石熔长石化及含未熔融的辉石和橄榄石晶屑的冲击熔脉;角砾岩区域发育玻璃质熔脉、冲击熔体及岩石角砾化,这些特征限制了斜长岩区和角砾岩区经历的冲击压力峰值分别约为45 GPa和78 GPa,温度峰值分别约为1 100°C和1 890°C,冲击变质阶段为S5～S6.

摘要： 稀有金属矿产对现代工业和科技的发展极其重要,伟晶岩矿床作为稀有金属的主要来源,其成因与成矿作用有待深入研究,普遍争论的成因模式包括:花岗岩结晶分异、地壳部分熔融以及岩浆液态不混溶.研究表明地壳深熔过程中锂同位素不发生有意义的分馏,因此在解决花岗岩和伟晶岩的岩浆源区性质方面提供了强有力的证据.文章主要从花岗伟晶岩的成因、锂同位素分馏机制以及锂同位素在伟晶岩矿床中的应用三个方面系统综述了国内外近年来取得的一些研究进展.国内外学者以锂同位素分馏机制详细论述了花岗伟晶岩的Li同位素组成,认为伟晶岩矿床的成因主要为花岗岩结晶分异或地壳部分熔融.但是锂同位素应用于伟晶岩矿床成因方面的研究还不够成熟,需要开展更多的工作.

摘要： 研究了沿黄土高原的东南－西北断面3 个末次间冰期古土壤(S1)的Zr、Rb、Ti、Hf 等元素和元素比值在空间上的分布特征。结果表明，从黄土高原西北部到东南部，在末次间冰 期Zr、Rb 元素丰度均表现出增加的趋势，但在末次冰期早期和倒数第二次冰期晚期，Zr 元素 丰度由西北向东南呈现递减的趋势，Rb 元素丰度则仍表现为递增的趋势。同一剖面间冰期的 Rb 元素丰度总是高于冰期时段的水平。在黄土高原西北部风化作用较弱的定西剖面，间冰期的Zr 元素丰度低于冰期时段的水平。在远离源区、风化作用较强的天水和蓝田剖面，间冰期的Zr 元素丰度高于冰期时段的水平。Zr/Hf 值在较窄的范围内波动，定西剖面的Zr/Hf 值相对 恒定，天水和蓝田剖面S1 土体部分的Zr/Hf 值略高于L1 和L2 部分，表明间冰期含锆矿物的组成与冰期有所不同，且有相对较多的含锆矿物在粘粒部分富集。因此，Zr 元素丰度首先受 控于源区的风化程度和风化产物，然后接受风力搬运分选作用在空间上重新分布。而Rb的迁 移随着风化作用的增强而逐渐增加。无疑，Zr/Rb 值的最终展现是源区因素、搬运以及沉积后的风化作用之间平衡的结果。在化学风化作用较强的情况下(CIA>65)，Zr/Rb 不是可靠的粒 度反映者。此外我们发现，Zr/Rb 始终被约束在1.7 以上。

摘要： 济南辉长岩体的Rb-Sr全岩-矿物参考等时线年龄为144±25Ma,线性差的原因可能是该岩体来自于锶、钕同位素初始比值不均一的源区,结晶时处于同位素不平衡状态.钕同位素初始值ε(t)值为-9.08～13.05,表明该岩体的源区为富集性质的地幔,并且表现出不均一性,ε(t)-Sr/Sr(t)关系显示出源区满足DMM、EMⅠ和EMⅡ的三元混合关系.

摘要： 本发明提供一种凹陷的晶体管配置，可选择性地提供一种类型之晶体管(150B)(例如N沟道晶体管)，因此提升应变诱发效率与串联电阻，同时可于其它晶体管(150A)(例如P沟道晶体管)设置实质上平面配置或提高的漏极与源极配置，该其它晶体管也可包含应变之半导体合金(157)，而提供与CMOS技术的高度兼容性。为此目的，在形成对应凹陷(107、112)期间，可提供一适当掩膜规画以有效地覆盖一晶体管类型(150A、150B)的栅极电极(151)，同时完全覆盖另一类型之晶体管(150A、150B)。

摘要： 藉由使场效晶体管的漏极及源极区(114，214)凹陷(112D，212D)，可在凹处(112，212)中形成高应力层(118，218)，例如，接触蚀刻中止层，以便增进于场效应晶体管(100，200)的邻近沟道区(104，204)中的应变产生。此外，藉由减少或避免金属硅化物(217)之不当的松弛效应(relaxation effect)，可使应变半导体材料(203)位在紧邻沟道区(104，204)，从而也提供增进的应变产生效率。在一些态样中，可组合两种效果以得到甚至更有效率的应变引发机构。

摘要： 本公开涉及源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构。一种源极/漏极区的制造方法，是适用于形成一源极/漏极区于一基材内，所述源极/漏极区的制造方法包括以下步骤。首先，以一第一剂量以及一第一能量，引入一第一材料的一离子束至所述基材的一表面，以将至少一掺杂注入所述基材，至少一所述掺杂具有一第一导电型。接着，以一第二剂量以及一第二能量，引入一第二材料的一等离子体至所述基材的所述表面，以将至少一掺杂注入所述基材，至少一所述掺杂具有所述第一导电型，所述第二剂量大于所述第一剂量，且所述等离子体的注入深度小于所述离子束的注入深度。

摘要： 本发明提供一种凹陷的晶体管配置，可选择性地提供一种类型之晶体管(150B)(例如N沟道晶体管)，因此提升应变诱发效率与串联电阻，同时可于其它晶体管(150A)(例如P沟道晶体管)设置实质上平面配置或提高的漏极与源极配置，该其它晶体管也可包含应变之半导体合金(157)，而提供与CMOS技术的高度兼容性。为此目的，在形成对应凹陷(107、112)期间，可提供一适当掩膜规画以有效地覆盖一晶体管类型(150A、150B)的栅极电极(151)，同时完全覆盖另一类型之晶体管(150A、150B)。

摘要： 藉由使场效晶体管的漏极及源极区(114，214)凹陷(112D，212D)，可在凹处(112，212)中形成高应力层(118，218)，例如，接触蚀刻中止层，以便增进于场效应晶体管(100，200)的邻近沟道区(104，204)中的应变产生。此外，藉由减少或避免金属硅化物(217)之不当的松弛效应(relaxation effect)，可使应变半导体材料(203)位在紧邻沟道区(104，204)，从而也提供增进的应变产生效率。在一些态样中，可组合两种效果以得到甚至更有效率的应变引发机构。

摘要： 公开了一种异源二聚体Fc融合蛋白和包含该异源二聚体Fc融合蛋白的药物组合物。该异源二聚体Fc融合蛋白包含免疫球蛋白重链恒定区(Fc)对的第一Fc区和第二Fc区，并且其中IL‑21与该第一Fc区和/或该第二Fc区的N末端或C末端中的至少一项结合，其中该第一Fc区和该第二Fc区的CH3结构域发生突变，从而促进异源二聚体的形成。当使用根据本发明的异源二聚体Fc融合蛋白时，可显著增加包括在异源二聚体Fc融合蛋白内的IL‑21的体内半衰期。

摘要： 本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。

摘要： 本发明涉及一种有源区、有源区阵列及其形成方法，有源区形成于衬底中，有源区中设有字线结构，字线结构沿第一方向贯穿有源区，并将有源区划分为源极区和漏极区，源极区和漏极区沿第二方向排列，且漏极区在第三方向上的尺寸大于源极区在第三方向上的尺寸；其中，第一方向与第二方向之间的夹角为锐角，第三方向垂直于第二方向。通过使有源区中的漏极区在第三方向上的尺寸大于源极区在第三方向上的尺寸，可以在漏极区上设置较大尺寸的接触孔，从而增大漏极区与接触孔之间的接触面积，根据寄生电阻的产生原理可知，增大接触面积可以减小漏极区与接触孔之间的寄生电阻，从而提高动态随机存储器的感应裕度和充放电速度的特性。

摘要： 本公开提供一种有源区结构以及形成有源区结构的方法，该有源区结构包括设置于所述有源层上的有源区；其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、第一封闭边界和第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。这种结构可以均衡有源器件单元与其边界的应力，防止器件单元因为应力不均而损坏。且第二封闭边界与器件单元同时形成，可以减少掩膜版的数量，简化工艺流程，降低成本。

摘要： 描述了一种有源区上有源区微电子器件(200A，200B，400A，400B)。例如，分别地，第一管芯(211、411)位于第二管芯(212、211)上，使第一基片(213、414)的下表面朝向第二基片(214、213)的上表面，以提供管芯堆叠(210A，210B，410A，410B)。第一和第二管芯(212、211)在ILD层(ILD1‑ILD11，ILD1‑ILD13)中各自具有金属层(M1‑M11，M1‑M13)以分别提供第一堆叠结构(217、417)和第二堆叠结构(227，217)。第一堆叠结构(217、417)互连到第一管芯(211、411)的TSV(222、422)的上端。靠近第一基片(213、414)的下表面的第二堆叠结构(227、217)的金属层(M11，M13)互连到TSV(222、422)的下端。第二堆叠结构(227、217)的功率分配网络层(M5)位于其金属层(M1‑M11，M1‑M13)的较下层和较上层之间。至少部分位于第二基片(214、213)中的晶体管(223、224)互连到功率分配网络层(M5)以接收电源电压或接地。