外延扩张

摘要： 2022,风向哪儿吹?疫情仍在肆虐,经济与环境协同发展新格局正在形成,很多行业外延扩张的红利逐渐退去,国内存量竞争更趋激烈。1月14日,纳爱斯集团董事长何丽明,在年度股东大会上发表了内部讲话,将“争朝夕”三字融入企业发展的全过程。在他的讲话中,同行非敌手,船大不占海。商业竞争的本质不是战胜对手,而是满足客户、引导消费、提升生活品质。

摘要： 当前,城市发展正在由外延扩张式向内涵提升式转变,城市更新作为存量时期主要的城市发展和空间治理方式,是资源环境约束背景下国土空间规划管理的重点领域。立足于产业提质与城市更新发展,成都市成华区高质量打造了成都熊猫国际旅游度假区、成都龙潭工业机器人产业功能区、成都成华区东郊记忆艺术区三个市级产业功能区,为探索城市发展新路径做出了有益实践。

摘要： 为有效应对工业增长速度下行的压力和高质量发展的瓶颈问题,贵州工业应当改变外延扩张型的发展模式,通过精准投资,抓关键技术的重点,补结构调整的短板,强产业环节的弱项,实现内涵提升型的发展模式,推进工业发展实现量的合理增长和质的稳步提升。

摘要： 由市人大常委会代表工委会同各专委会组织的上海人大代表论坛业已举办了50期。参与论坛,受益良多。开阔视野,收获颇丰。论坛先后聚焦上海“十四五”规划蓝图诸专题,就上海提高城市核心竞争力,适应人民群众日益增长的美好生活需要,推进城市更新,提升城市发展质量,对城市规划建设模式由外延扩张转向内涵提升。

摘要： 香河县认真落实国务院《关于坚决制止耕地"非农化"行为的通知》精神,积极调整创森工作思路,将造林绿化工作重心由外延扩张向内涵提升转变,按照"异龄、复层、混交"的理念对现有绿化成果进行改造提升,努力打造园林化、生态化、人文化的高标准绿化景观。把生态文化教育基地建设作为创森的宣传主阵地,在全县上下营造创森浓厚氛围。东南西北中,在县城中心城区和周边同步谋划实施了多项景观改造提升工程,把创森工作不断引向深入。

摘要： 2020年10月16日,中共中央政治局召开会议审议《成渝地区双城经济圈建设规划纲要》,要求“处理好中心和区域的关系,着力提升重庆主城和成都的发展能级和综合竞争力,推动城市发展由外延扩张向内涵提升转变,以点带面、均衡发展,同周边市县形成一体化发展的都市圈”。

摘要： 2020年10月16日,习近平总书记主持召开中共中央政治局会议,审议《成渝地区双城经济圈建设规划纲要》。会议强调要全面落实党中央决策部署,突出重庆。成都两个中心城市的协同带动,注重体现区域优势和特色,使成渝地区成为具有全国影响力的重要经济中心。科技创新中心。改革开放新高地。高品质生活宜居地,打造带动全国高质量发展的重要增长极和新的动力源;处理好中心和区域的关系,着力提升重庆主城和成都的发展能级和综合竞争力,推动城市发展由外延扩张向内涵提升转变,以点带面。均衡发展,同周边市县形成一体化发展的都市圈。

摘要： 改革开放后,山东经济获得了迅速发展。截至1987年,全省国民生产总值、国民收入、工农业总产值均大幅提升,提前3年实现了省四次党代会提出的工农业总产值翻一番的奋斗目标。但与经济发达地区相比,山东经济整体上还停留在粗放式、外延扩张式的发展阶段。为实现山东由经济大省向经济强省的转变.

摘要： 生育政策带来的新生儿数量增加以及国家、家长对早教的重视与支持,都推动了国内婴幼玩具市场的向好向上发展,也促使更多企业布局该领域。分析可知,国内研发婴幼玩具的企业大致分三类:传统婴幼玩企、扩充婴幼玩具品类的传统玩企、互联网基因品牌。后两类作为进入婴幼玩具领域的"新生力量",有各自的定位与布局模式;而传统婴幼玩企在夯实本业基础上,将产品线向外延扩张,以应对日益激烈的竞争。

摘要： 本发明涉及一种外延衬底，用于生长外延层，该外延衬底包括：一基底，该基底具有一图案化的表面作为外延生长面，其中，所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。

摘要： 本发明公开了红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构。一种红光LED外延片的分割方法，包括：在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠。本发明的技术方案，通过在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层，然后氧化未涂覆保护层的第二位置以将红光LED外延片进行分割，解决了红光LED外延片分割成本高、损伤大的问题，达到了降低红光LED外延片分割成本和减小红光LED外延片分割损伤的效果。

摘要： SiC外延晶圆（1）具备小于4度的偏角衬底（2）、和配置在小于4度的偏角衬底（2）上的SiC外延生长层（3），SiC外延生长层以Si化合物为Si的供给源，并以C化合物为C的供给源，使载流子密度均匀性小于10％，且缺陷密度小于1个/cm2，Si化合物与C化合物之C/Si比具有0.7以上0.95以下的范围。提供在低偏角SiC衬底上SiC外延生长中，膜厚均匀性及载流子密度均匀性优异，且表面缺陷少的高质量的SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置。

摘要： 本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法，属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽，在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内，反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力，压差作用下，衬底会吸附在孔洞上，减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部，抵消离心力对衬底的影响，减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触，衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀，因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀，可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。

摘要： 本发明提供一种外延晶圆背面检查方法，能够检测出外延晶圆背面的针印缺陷，且能够定量地评价该针印缺陷的各个点状缺陷的缺陷尺寸。基于本发明的外延晶圆背面的检查方法包括：一边以扫描部扫描光学系统，一边连续地拍摄外延晶圆背面的部分图像的拍摄工序（S10）；从所述部分图像中获取所述背面的整体图像的获取工序（S20）；从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷的检测工序（S30）；对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理，算出所述各个点状缺陷的缺陷面积的数值化处理工序（S40）。

摘要： 本发明提供一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，外延成长装置能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵，并且能够减少尘粒附着于晶片的表面。在所述外延成长装置中，在腔室的内部具备：载置硅晶片(W)的基座(4)；从下方支承该基座(4)，并且具有与基座(4)的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂(17b)的支承轴；以及插通于设置在基座(4)的贯穿孔(4h)以及设置在支承臂(17b)的贯穿孔(17h)双方，并在铅垂方向上移动自如地配设的顶升销(15)，外延成长装置使该顶升销(15)升降来使硅晶片(W)载置于基座(4)上或与基座(4)分离，所述外延成长装置的特征在于，顶升销(15)的至少其表层区域由硬度低于基座(4)的硬度的材料构成，顶升销(15)的穿过基座(4)的贯穿孔(4h)内的直体部上部区域(15d)的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且顶升销(15)的穿过支承臂(17b)的贯穿孔(17h)内的直体部下部区域(15c)的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。

摘要： 本发明涉及一种外延衬底，用于生长外延层，该外延衬底包括：一基底，该基底具有一图案化的表面作为外延生长面，其中，所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。

摘要： 本发明实施例公开了一种外延反应腔室的恢复方法、外延生长装置及外延晶圆；将新基座装载至烘烤腔室中，并根据时间非线性地升高所述烘烤腔室内部温度以对所述新基座进行烘烤；待所述新基座烘烤完成后，将所述新基座安装至外延反应腔室中，并对所述外延反应腔室按照设定的烘烤条件升高所述外延反应腔室内部温度以对所述外延反应腔室内部进行烘烤；待所述外延反应腔室内部烘烤完成后，开始制备外延晶圆并测量所述外延晶圆的MCLT值。

摘要： 本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法，属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽，在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内，反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力，压差作用下，衬底会吸附在孔洞上，减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部，抵消离心力对衬底的影响，减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触，衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀，因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀，可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。

摘要： 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。