外延反应腔室的恢复方法、外延生长装置及外延晶圆

摘要

本发明实施例公开了一种外延反应腔室的恢复方法、外延生长装置及外延晶圆；将新基座装载至烘烤腔室中，并根据时间非线性地升高所述烘烤腔室内部温度以对所述新基座进行烘烤；待所述新基座烘烤完成后，将所述新基座安装至外延反应腔室中，并对所述外延反应腔室按照设定的烘烤条件升高所述外延反应腔室内部温度以对所述外延反应腔室内部进行烘烤；待所述外延反应腔室内部烘烤完成后，开始制备外延晶圆并测量所述外延晶圆的MCLT值。