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Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International
Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International
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1.
Low phase noise array-composite micromechanical wine-glass disk oscillator
机译:
低相位噪声阵列复合微机械酒杯盘振荡器
作者:
Yu-Wei Lin
;
Sheng-Shian Li
;
Zeying Ren
;
Nguyen C.T.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
2.
Low voltage high speed SiO/sub 2/AlGaN/AlLaO/sub 3/TaN memory with good retention
机译:
低压高速SiO / sub 2 / AlGaN / AlLaO / sub 3 / TaN存储器,保持良好
作者:
Chin A.
;
Laio C.C.
;
Chen C.
;
Chiang K.C.
;
Yu D.S.
;
Yoo W.J.
;
Samudra G.S.
;
Wang T.
;
Hsieh I.J.
;
McAlister S.P.
;
Chi C.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
3.
Low-voltage inkjetted organic transistors for printed RFID and display applications
机译:
用于印刷RFID和显示应用的低压喷墨有机晶体管
作者:
Molesa S.E.
;
de la Fuente Vornbrock A.
;
Chang P.C.
;
Subramanian V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
4.
Materials and patterning techniques for macroelectronics
机译:
宏观电子学的材料和图案化技术
作者:
Sun Y.
;
Mack S.
;
Meitl M.
;
Rogers J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
5.
Mechanism of moisture uptake induced via failure and its impact on 45nm node interconnect design
机译:
失效引起的吸湿机理及其对45nm节点互连设计的影响
作者:
Fujimaki T.
;
Higashi K.
;
Nakamura N.
;
Matsunaga N.
;
Yoshida K.
;
Miyawaki N.
;
Hatano M.
;
Hasunuma M.
;
Wada J.
;
Nishioka T.
;
Akiyama K.
;
Kawashima H.
;
Enomoto Y.
;
Hasegawa T.
;
Honda K.
;
Iwai M.
;
Yamada S.
;
Matsuoka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
6.
Mechanisms of hydrogen release in the breakdown of SiO/sub 2/-based gate oxides
机译:
SiO / sub 2 /基栅氧化物击穿时氢释放的机理
作者:
Sune J.
;
Wu E.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
7.
Microstructure modified HfO/sub 2/ using Zr addition with Ta/sub x/ C/sub y/ gate for improved device performance and reliability
机译:
微结构改性的HfO / sub 2 /,通过添加Zr和Ta / sub x / C / sub y /门来改进器件性能和可靠性
作者:
Hegde R.I.
;
Triyoso D.H.
;
Tobin P.J.
;
Kalpat S.
;
Ramon M.E.
;
Tseng H.-H.
;
Schaeffer J.K.
;
Luckowski E.
;
Taylor W.J.
;
Capasso C.C.
;
Gilmer D.C.
;
Moosa M.
;
Haggag A.
;
Raymond M.
;
Roan D.
;
Nguyen J.
;
La L.B.
;
Hebert E.
;
Cotton R.
;
Wang X.-D.
;
Zollner S.
;
Gregory R.
;
Werho D.
;
Rai R.S.
;
Fonseca L.
;
Stoker M.
;
Tracy C.
;
Chan B.W.
;
Chiu Y.H.
;
White B.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
8.
Nanocrystal flash memory fabricated with protein-mediated assembly
机译:
蛋白质介导组装的纳米晶体闪存
作者:
Shan Tang
;
Chuanbin Mao
;
Yueran Liu
;
Kelly D.Q.
;
Banerjee S.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
9.
Nanoelectromechanical DRAM for ultra-large-scale integration (ULSI)
机译:
用于超大规模集成(ULSI)的纳米机电DRAM
作者:
Jang J.E.
;
Cha S.N.
;
Choi Y.
;
Butler T.P.
;
Kang D.J.
;
Hasko D.G.
;
Jung J.E.
;
Kim J.M.
;
Amaratunga G.A.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
10.
New findings on inversion-layer mobility in highly doped channel Si MOSFETs
机译:
高掺杂沟道Si MOSFET的反型层迁移率的新发现
作者:
Nakabayashi Y.
;
Ishihara T.
;
Koga J.
;
Takayanagi M.
;
Takagi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
11.
New physical insight and modeling of second breakdown (It/sub 2/) phenomenon in advanced esd protection devices
机译:
先进的esd保护设备中的第二次击穿(It / sub 2 /)现象的新物理洞察力和建模
作者:
Chatterjee A.
;
Duwury C.
;
Banerjee K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
12.
New stress inducing technique of epitaxial si on recessed S/D fabricated in substrate strained-si of 100channel on rotated wafers
机译:
在旋转晶圆上100通道的衬底应变硅中制造的凹陷S / D上外延硅应力诱导新技术
作者:
Sanuki T.
;
Tanaka H.
;
Oota K.
;
Fujii O.
;
Yamaguchi R.
;
Nakayama K.
;
Morimasa Y.
;
Takasu Y.
;
Idebuchi J.
;
Nishiyama N.
;
Fukui H.
;
Yoshimura H.
;
Matsuo K.
;
Mizushima I.
;
Ito H.
;
Takegawa Y.
;
Saito M.
;
Iwai M.
;
Nagashima N.
;
Matsuoka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
13.
New three-dimensional integration technology using self-assembly technique
机译:
使用自组装技术的新型三维集成技术
作者:
Fukushima T.
;
Yamada Y.
;
Kikuchi H.
;
Koyanagi M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
14.
Non-linearity cancellation in MEMS resonators for improved power-handling
机译:
MEMS谐振器中的非线性抵消功能,可改善功率处理
作者:
Agarwal M.
;
Park K.
;
Candler R.
;
Hopcroft M.
;
Jha C.
;
Melamud R.
;
Kim B.
;
Murmann B.
;
Kenny T.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
15.
Novel dielectric slots in Cu interconnects for suppressing stress-induced void failure
机译:
铜互连中的新型介电插槽可抑制应力引起的空洞失效
作者:
Lim Y.K.
;
Pey K.L.
;
Tan J.B.
;
Lee T.J.
;
Vigar D.
;
Hsia L.C.
;
Lim Y.H.
;
Kamat N.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
16.
Organic and hybrid organic/inorganic transistors for chemical and bio sensing
机译:
用于化学和生物传感的有机和混合有机/无机晶体管
作者:
Sharma S.
;
Wang L.
;
Burham C.
;
Fine D.
;
Dodabalapur A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
17.
Organic circuits on flexible substrates
机译:
柔性基板上的有机电路
作者:
Klauk H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
18.
Organic thin film electronics
机译:
有机薄膜电子
作者:
Jackson T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
19.
Overcoming DRAM scaling limitations by employing straight recessed channel array transistors with <100> uni-axial and 100 uni-plane channels
机译:
通过采用具有<100>单轴和100单平面通道的直凹通道阵列晶体管来克服DRAM缩放限制
作者:
Kim I.-G.
;
Park S.-H.
;
Yoon J.-S.
;
Kim D.-J.
;
Noh J.-Y.
;
Lee J.-H.
;
Kim Y.-S.
;
Hwang M.-W.
;
Yang K.-H.
;
Joosung Park
;
Kyungseok Oh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
20.
PECVD-oxynitride gas chromatographic columns
机译:
PECVD-氮氧化物气相色谱柱
作者:
Agah M.
;
Wise K.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
21.
Performance and limitations of 65 nm CMOS for integrated RF power applications
机译:
用于集成RF功率应用的65 nm CMOS的性能和局限性
作者:
Scholvin J.
;
Greenberg D.R.
;
del Alamo J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
22.
Performance of carbon nanotube field effect transistors with doped source and drain extensions and arbitrary geometry
机译:
具有掺杂的源极和漏极扩展以及任意几何形状的碳纳米管场效应晶体管的性能
作者:
Fiori G.
;
Iannaccone G.
;
Klimeck G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
23.
Physical mechanisms of electron mobility enhancement in uniaxial stressed MOSFETs and impact of uniaxial stress engineering in ballistic regime
机译:
单轴应力MOSFET中电子迁移率增强的物理机制以及弹道状态下单轴应力工程的影响
作者:
Uchida K.
;
Krishnamohan T.
;
Saraswat K.C.
;
Nishi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
24.
Physics-based noise modelling of semiconductor devices in largesignal operation including low-frequency noise conversion effects
机译:
大信号运行中半导体器件的基于物理的噪声建模,包括低频噪声转换效应
作者:
Ghione G.
;
Bonani F.
;
Donati S.
;
Bertazzi F.
;
Conte G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
25.
Piezoelectric RF MEMS tunable capacitor with 3V operation using CMOS compatible materials and process
机译:
使用CMOS兼容材料和工艺的3V工作压电RF MEMS可调电容器
作者:
Kawakubo T.
;
Nagano T.
;
Nishigaki M.
;
Abe K.
;
Itaya K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
26.
Process damages in HfO/sub 2/TiN stacks: the key role of H/sup 0/ and H/sub 2/ anneals
机译:
HfO / sub 2 / TiN堆栈中的过程损坏:H / sup 0 /和H / sub 2 /退火的关键作用
作者:
Garros
;
X.
;
Reimbold
;
G.
;
Louveau
;
O.
;
Holliger
;
P.
;
Hobbs
;
C.
;
Leroux
;
C.
;
L. Pham Nguyen
;
Martin
;
F.
;
Boulanger
;
F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
27.
Record RF performance of sub-46 nm L/sub gate/ NFETs in microprocessor SOI CMOS technologies
机译:
在微处理器SOI CMOS技术中记录低于46 nm L /子栅极/ NFET的RF性能
作者:
Sungjae Lee
;
Wagner L.
;
Jagannathan B.
;
Csutak S.
;
Pekarik J.
;
Breitwisch M.
;
Ramachandran R.
;
Freeman G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
28.
Self-assembling resists for nanolithography
机译:
自组装光刻胶
作者:
Nealey P.F.
;
Edwards E.W.
;
Muller M.
;
Stoykovich M.P.
;
Solak H.H.
;
de Pablo J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
29.
Single molecular devices with fullerenes and oligophenylenevinylene (opv) derivatives
机译:
具有富勒烯和低聚亚苯基亚乙烯基(opv)衍生物的单分子装置
作者:
Danilov A.V.
;
Kafanov S.G.
;
Bjornholm T.
;
Kubatkin S.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
30.
Source/drain germanium condensation for p-channel strained ultra-thin body transistors
机译:
用于p沟道应变超薄体晶体管的源/漏锗冷凝
作者:
King-Jien Chui
;
Kah-Wee Ang
;
Anuj Madan
;
Huiqi Wang
;
Chih-Hang Tung
;
Lai-Yin Wong
;
Yihua Wang
;
Siew-Fong Choy
;
Balasubramanian N.
;
Ming Fu Li
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
31.
Strained Si and Ge MOSFETs with high-k/metal gate stack for high mobility dual channel CMOS
机译:
具有高k /金属栅叠层的应变Si和Ge MOSFET,用于高迁移率双通道CMOS
作者:
Weber O.
;
Bogumilowicz Y.
;
Ernst T.
;
Hartmann J.-M.
;
Ducroquet F.
;
Andrieu F.
;
Dupre C.
;
Clavelier L.
;
Le Royer C.
;
Cherkashin N.
;
Hytch M.
;
Rouchon D.
;
Dansas H.
;
Papon A.-M.
;
Carron V.
;
Tabone C.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
32.
Stress memorization in high-performance FDSOI devices with ultra-thin silicon channels and 25nm gate lengths
机译:
具有超薄硅通道和25nm栅极长度的高性能FDSOI器件中的应力记忆
作者:
Singh D.V.
;
Sleight J.W.
;
Hergenrother J.M.
;
Ren Z.
;
Jenkins K.A.
;
Dokumaci O.
;
Black L.
;
Chang J.B.
;
Nakayama H.
;
Chidambarrao D.
;
Venigalla R.
;
Pan J.
;
Natzle W.
;
Tessier B.L.
;
Nomura A.
;
Ott J.A.
;
Ieong M.
;
Haensch W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
33.
Stress-induced voiding under vias connected to 'narrow' copper lines
机译:
连接到“窄”铜线的通孔下应力引起的空洞
作者:
Kouno T.
;
Suzuki I.T.
;
Otsuka S.
;
Hosoda T.
;
Nakamura I.T.
;
Mizushima I.Y.
;
Shiozu M.
;
Matsuyama H.
;
Shono K.
;
Watatani H.
;
Ohkura Y.
;
Sato M.
;
Fukuyama S.
;
Miyajima M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
34.
System LSI multi-vth transistors design methodology for maximizing efficiency of body-biasing control to reduce vth variation and power consumption
机译:
系统LSI多vth晶体管设计方法,可最大化体偏置控制的效率以减少vth变化和功耗
作者:
Yasuda Y.
;
Kimizuka N.
;
Akiyama Y.
;
Yamagata Y.
;
Goto Y.
;
Imai K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
35.
Technology for sub-50nm DRAM and NAND flash manufacturing
机译:
50nm以下DRAM和NAND闪存制造技术
作者:
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
36.
The micro to nano addressing block (MNAB)
机译:
微米到纳米地址块(MNAB)
作者:
Gopalakrishnan K.
;
Shenoy R.S.
;
Rettner C.T.
;
King R.S.
;
Zhang Y.
;
Kurdi B.
;
Bozano L.D.
;
Welser J.J.
;
Rothwell M.E.
;
Jurich M.
;
Sanchez M.I.
;
Hernandez M.
;
Rice P.M.
;
Risk W.P.
;
Wickramasinghe H.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
37.
The roles of hydrogen and holes in trap generation and breakdown in ultra-thin SiON dielectrics
机译:
氢和空穴在超薄SiON电介质中陷阱产生和击穿中的作用
作者:
Nicollian P.E.
;
Krishnan A.T.
;
Bowen C.
;
Chakravarthi S.
;
Chancellor C.A.
;
Khamankar R.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
38.
Theory of hydrogen-related levels in semiconductors and oxides
机译:
半导体和氧化物中与氢有关的能级理论
作者:
Van de Walle C.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
39.
Thermal and source bumps utilizing carbon nanotubes for flip-chip high power amplifiers
机译:
利用碳纳米管的热和源凸点用于倒装芯片大功率放大器
作者:
Iwai T.
;
Shioya H.
;
Kondo D.
;
Hirose S.
;
Kawabata A.
;
Sato S.
;
Nihei M.
;
Kikkawa T.
;
Joshin K.
;
Awano Y.
;
Yokoyama N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
40.
Thin body silicon-on-insulator N-MOSFET with silicon-carbon source/drain regions for performance enhancement
机译:
具有硅碳源/漏区的薄型绝缘体上硅N-MOSFET,可增强性能
作者:
Kah-Wee Ang
;
King-Jien Chui
;
Bliznetsov V.
;
Yihua Wang
;
Lai Yin Wong
;
Chih-Hang Tung
;
Balasubramanian N.
;
Ming-Fu Li
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
41.
Thin film transistor circuits integrated onto elastomeric substrates for elastically stretchable electronics
机译:
集成在弹性基材上的薄膜晶体管电路,用于可弹性拉伸的电子设备
作者:
Lacour S.P.
;
Wagner S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
42.
Three terminal solid-electrolyte nanometer switch
机译:
三端固体电解质纳米开关
作者:
Sakamoto T.
;
Banno N.
;
Iguchi N.
;
Kawaura H.
;
Kaeriyama S.
;
Mizuno M.
;
Terabe K.
;
Hasegawa T.
;
Aono M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
43.
Ultra-thin (EOT=3/spl Aring/) and low leakage dielectrics of La-alminate directly on si substrate fabricated by high temperature deposition
机译:
直接在高温沉积法制得的硅衬底上的超薄(EOT = 3 / spl Aring /)和低泄漏的La-alified铝电介质
作者:
Suzuki M.
;
Tomita M.
;
Yamaguchi T.
;
Fukushima N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
44.
Uniaxial-biaxial stress hybridization for super-critical strained-si directly on insulator (SC-SSOI) PMOS with different channel orientations
机译:
直接在不同沟道取向的绝缘子(SC-SSOI)PMOS上的超临界应变硅进行单轴-双轴应力杂交
作者:
Thean A.V.-Y.
;
Prabhu L.
;
Vartanian V.
;
Ramon M.
;
Nguyen B.-Y.
;
White T.
;
Collard H.
;
Xie Q.-H.
;
Murphy S.
;
Cheek J.
;
Venkatesan S.
;
Mogab J.
;
Chang C.H.
;
Chiu Y.H.
;
Tuan H.C.
;
See Y.C.
;
Liang M.S.
;
Sun Y.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
45.
Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces - guiding principles for gate metal selection
机译:
金属/基于Hf的高k电介质界面处功函数的通用理论-栅极金属选择的指导原则
作者:
Shiraishi K.
;
Akasaka Y.
;
Miyazaki S.
;
Nakayama T.
;
Nakaoka T.
;
Nakamura G.
;
Torii K.
;
Furutou H.
;
Ohta A.
;
Ahmet P.
;
Ohmori K.
;
Watanabe H.
;
Chikyow T.
;
Green M.L.
;
Nara Y.
;
Yamada K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
46.
Wrap-gated inas nanowire field-effect transistor
机译:
包裹式Inas纳米线场效应晶体管
作者:
Wernersson L.E.
;
Bryllert T.
;
Lind E.
;
Samuelson L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
47.
Past and future technologies of information displays
机译:
信息显示的过去和未来技术
作者:
Suzuki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
48.
Ge-spacer technology in AlGaN/GaN HEMTs for mm-wave applications
机译:
用于毫米波应用的AlGaN / GaN HEMT中的Ge-spacer技术
作者:
Palacios T.
;
Snow E.
;
Pei Y.
;
Chakraborty A.
;
Keller S.
;
DenBaars S.P.
;
Mishra U.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
49.
High power, high AlGaN/GaN-HEMTs with novel powerbar design
机译:
高功率,高功率AlGaN / GaN-HEMT与新颖的功率棒设计
作者:
Lossy R.
;
Liero A.
;
Wurfl J.
;
Trankle G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
50.
8-watt GaN HEMTs at millimeter-wave frequencies
机译:
毫米波频率下的8瓦GaN HEMT
作者:
Wu Y.-F.
;
Moore M.
;
Saxler A.
;
Wisleder T.
;
Mishra U.K.
;
Parikh P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
51.
Conference highlights
机译:
会议亮点
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
52.
100 MHz CMOS circuits using sequential laterally solidified silicon thin-film transistors on plastic
机译:
在塑料上使用顺序横向固化的硅薄膜晶体管的100 MHz CMOS电路
作者:
Kane M.G.
;
Goodman L.
;
Firester A.H.
;
van der Wilt P.C.
;
Limanov A.B.
;
Im J.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
53.
A 36mm GaN-on-Si HFET producing 368W at 60V with 70 drain efficiency
机译:
36mm的GaN-on-Si HFET在60V时产生368W的功率,漏极效率为70%
作者:
Therrien R.
;
Singhal S.
;
Johnson J.W.
;
Nagy W.
;
Borges R.
;
Chaudhari A.
;
Hanson A.W.
;
Edwards A.
;
Marquart J.
;
Rajagopal P.
;
Park C.
;
Kizilyalli I.C.
;
Linthicum K.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
54.
380v/1.9A GaN power-HEMT: current collapse phenomena under high applied voltage and demonstration of 27.1 MHz class-E amplifier
机译:
380v / 1.9A GaN功率HEMT:高施加电压下的电流崩溃现象和27.1 MHz E类放大器的演示
作者:
Saito W.
;
Kuraguchi M.
;
Takada Y.
;
Tsuda K.
;
Domon T.
;
Omura I.
;
Yamaguchi M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
55.
A new charge-trapping technique to extract SILC-trap time constants in SiO/sub 2/
机译:
提取SiO / sub 2 /中SILC俘获时间常数的新电荷俘获技术
作者:
Ielmini D.
;
Spinelli A.S.
;
Lacaita A.L.
;
Chiavarone L.
;
Visconti A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
56.
BE-SONOS: A bandgap engineered SONOS with excellent performance and reliability
机译:
BE-SONOS:带隙设计的SONOS,具有出色的性能和可靠性
作者:
Hang-Ting Lue
;
Szu-Yu Wang
;
Erh-Kun Lai
;
Yen-Hao Shih
;
Sheng-Chih Lai
;
Ling-Wu Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Ku J.
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Rich Liu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
57.
Highly reliable 2-bit/cell nitride trapping flash memory using a novel array-nitride-sealing (ANS) ONO process
机译:
采用新型阵列氮化物密封(ANS)ONO工艺的高度可靠的2位/单元氮化物捕获闪存
作者:
Yen-Hao Shih
;
Lee S.C.
;
Lue H.T.
;
Wu M.D.
;
Hsu T.H.
;
Lai E.K.
;
Hsieh J.Y.
;
Wu C.W.
;
Yang L.W.
;
Kuang Yeu Hsieh
;
Chen K.C.
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
58.
A novel p-channel NAND-type flash memory with 2-bit/cell operation and high programming throughput (> 20 MB/sec)
机译:
具有2位/单元操作和高编程吞吐量(> 20 MB /秒)的新颖p通道NAND型闪存
作者:
Hang-Ting Lue
;
Szu-Yu Wang
;
Erh-Kun Lai
;
Min-Ta Wu
;
Ling-Wu Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Ku J.
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
59.
A 28 mega pixel large area full frame CCD with 2/spl times/2 on-chip RGB charge-binning for professional digital still imaging
机译:
具有2 / spl次/ 2片上RGB电荷合并功能的28兆像素大面积全帧CCD,用于专业数字静态成像
作者:
Draijer C.
;
Polderdijk F.
;
van der Heide A.
;
Dillen B.
;
Klaassens W.
;
Bosiers J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
60.
Highly efficient current scaling AMOLED panel employing a new current mirror pixel circuit fabricated by excimer laser annealed poly-Si TFTs
机译:
采用准分子激光退火的多晶硅TFT制造的新型电流镜像素电路的高效电流缩放AMOLED面板
作者:
Jae-Hoon Lee
;
Woo-Jin Nam
;
Hee-Sun Shin
;
Min-Koo Han
;
Yong-Min Ha
;
Chang-Hwan Lee
;
Hong-Seok Choi
;
Soon-Kwang Hong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
61.
Dislocation engineering for a silicon-based light emitter at 1.5 /spl mu/
机译:
硅基发光体的位错工程,速度为1.5 / spl mu /
作者:
Kittler M.
;
Reiche M.
;
Arguirov T.
;
Seifert W.
;
Yu X.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
62.
Multi-subband monte carlo modeling of nano-mosfets with strong vertical quantization and electron gas degeneration
机译:
具有强垂直量化和电子气变性的纳米MOSFET的多子带蒙特卡洛建模
作者:
Lucci L.
;
Palestri P.
;
Esseni D.
;
Selmi L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
63.
Physical mechanism of work function modulation due to impurity pileup at Ni-FUSI/SiO(N) interface
机译:
Ni-FUSI / SiO(N)界面杂质堆积导致功函数调制的物理机制
作者:
Tsuchiya Y.
;
Yoshiki M.
;
Koyama M.
;
Kinoshita A.
;
Koga J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
64.
Ni/sub x/Ta/sub 1-x/Si and Ni/sub x/Pt/sub 1-x/Si ternary alloys for work function tuning on SiO/sub 2/, HfSiO/sub x/ and HfO/sub 2/ dielectrics
机译:
Ni / sub x / Ta / sub 1-x / Si和Ni / sub x / Pt / sub 1-x / Si三元合金,用于在SiO / sub 2 /,HfSiO / sub x /和HfO / sub 2上进行功函数调整/电介质
作者:
Biswas N.
;
Novak S.
;
Bei Chen
;
Lichtenwalner D.
;
Ozturk M.
;
Misra V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
65.
Ultra-fast programming of silicided polysilicon fuses based on new insights in the programming physics
机译:
基于编程物理学的新见解,对硅化多晶硅熔丝进行超快速编程
作者:
Doorn T.S.
;
Altheimer M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
66.
Fabrication and characterization of CMOSFETs on porous silicon for novel device layer transfer
机译:
用于新型器件层转移的多孔硅上CMOSFET的制造和表征
作者:
Sanda H.
;
McVittie J.
;
Koto M.
;
Yamagata K.
;
Yonehara T.
;
Nishi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
67.
Accurate circuit performance prediction model and lifetime prediction method of nbt stressed devices for highly reliable ulsi circuits
机译:
高度可靠的ulsi电路的nbt受压器件的精确电路性能预测模型和寿命预测方法
作者:
Kuroda R.
;
Watanabe K.
;
Teramoto A.
;
Mifuji M.
;
Yamaha T.
;
Sugawa S.
;
Ohmi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
68.
High performance multi-gate pMOSFET using uniaxially-strained SGOI channels
机译:
使用单轴应变SGOI通道的高性能多栅极pMOSFET
作者:
Irisawa T.
;
Numata T.
;
Tezuka T.
;
Usuda K.
;
Nakaharai S.
;
Hirashita N.
;
Sugiyama N.
;
Toyoda E.
;
Takagi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
69.
Damage-free neutral beam etching technology for high mobility FinFETs
机译:
高迁移率FinFET的无损中性束蚀刻技术
作者:
Endo K.
;
Noda S.
;
Masahara M.
;
Kubota T.
;
Ozaki T.
;
Samukawa S.
;
Yongxun Liu
;
Ishii K.
;
Ishikawa Y.
;
Sugimata E.
;
Matsukawa T.
;
Takashima H.
;
Yamauchi H.
;
Suzuki E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
70.
Sidewall transfer process and selective gate sidewall spacer formation technology for sub-15nm finfet with elevated source/drain extension
机译:
具有提高的源/漏扩展的15nm以下finfet的侧壁转移工艺和选择性栅侧壁隔离层形成技术
作者:
Kaneko A.
;
Yagishita A.
;
Yahashi K.
;
Kubota T.
;
Omura M.
;
Matsuo K.
;
Mizushima I.
;
Okano K.
;
Kawasaki H.
;
Inaba S.
;
Izumida T.
;
Kanemura T.
;
Aoki N.
;
Ishimaru K.
;
Ishiuchi H.
;
Suguro K.
;
Eguchi K.
;
Tsunashima Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
71.
Quality assured mass productive 1.6V operational 0.18 /spl mu/m 1T1C FRAM embedded smart card with advanced integration technologies against defectives
机译:
质量保证的量产型1.6V可操作0.18 / spl mu / m 1T1C FRAM嵌入式智能卡,具有先进的集成技术,可防止缺陷
作者:
Kim J.-H.
;
Kang Y.M.
;
Park J.H.
;
Joo H.J.
;
Kang S.K.
;
Choi D.Y.
;
Rhie H.S.
;
Koo B.J.
;
Lee S.Y.
;
Jeong H.S.
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
72.
High speed toggle MRAM with mgO-based tunnel junctions
机译:
具有基于mgO的隧道结的高速触发MRAM
作者:
Slaughter J.M.
;
Dave R.W.
;
Durlam M.
;
Kerszykowski G.
;
Smith K.
;
Nagel K.
;
Feil B.
;
Calder J.
;
DeHerrera M.
;
Garni B.
;
Tehrani S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
73.
New constraint for Vth optimization for sub 32nm node CMOS gates scaling
机译:
低于32nm节点CMOS栅极缩放的Vth优化的新约束
作者:
Morifuji E.
;
Kapur P.
;
Kuo-An Chao A.
;
Nishi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
74.
On the dispersive versus arrhenius temperature activation of nbti time evolution in plasma nitrided gate oxides: measurements, theory, and implications
机译:
等离子体氮化栅氧化物中nbti时间演化的色散与阿累尼乌斯温度活化关系:测量,理论和意义
作者:
Varghese D.
;
Saha D.
;
Mahapatra S.
;
Ahmed K.
;
Nouri F.
;
Alam M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
75.
Thermal phenomena in deeply scaled MOSFETs
机译:
深层MOSFET中的热现象
作者:
Rowlette J.
;
Pop E.
;
Sinha S.
;
Panzer M.
;
Goodson K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
76.
Robust multi-bit programmable flash memory using a resonant tunnel barrier
机译:
使用谐振隧道势垒的坚固的多位可编程闪存
作者:
Shieun Kim
;
Seung Jae Baik
;
Zongliang Huo
;
Young-Jin Noh
;
Chulsung Kim
;
Jeong Hee Han
;
In-Seok Yeo
;
U-In Chung
;
Joo Tae Moon
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
77.
A full self-consistent methodology for strain-induced effects characterization in silicon devices
机译:
硅器件中应变诱发效应表征的完整自洽方法
作者:
Fantini P.
;
Ghetti A.
;
Carnevale G.P.
;
Bonera E.
;
Rideau D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
78.
Impact of crystallization statistics on data retention for phase change memories
机译:
结晶统计数据对相变存储器的数据保留的影响
作者:
Redaelli A.
;
Ielmini D.
;
Lacaita A.L.
;
Pellizzer F.
;
Pirovano A.
;
Bez R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
79.
Performance assessment of sub-percolating nanobundle network transistors by an analytical model
机译:
超渗滤纳米束网络晶体管性能的解析模型
作者:
Ninad Pimparkar
;
Jing Guo
;
Alam M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
80.
On-chip detection and counting of single-photons
机译:
片内检测和单光子计数
作者:
Tisa S.
;
Zappa F.
;
Labanca I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
81.
An intra-chip electro-optical channel based on CMOS single photon detectors
机译:
基于CMOS单光子检测器的芯片内电光通道
作者:
Sergio M.
;
Charbon E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
82.
Experimental and theoretical analysis of scaling issues in dual-bit discrete trap non-volatile memories
机译:
双位离散陷阱非易失性存储器中定标问题的实验和理论分析
作者:
Perniola L.
;
Iannaccone G.
;
De Salvo B.
;
Ghibaudo G.
;
Molas G.
;
Gerardi C.
;
Deleonibust S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
83.
Analysis and implications of ic cooling for deep nanometer scale cmos technologies
机译:
集成电路冷却对深纳米尺度CMOS技术的分析及启示
作者:
Sheng-Chih Lin
;
Ravi Mahajan
;
Vivek De
;
Kaustav Banerjee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
84.
Multi-layer cross-point binary oxide resistive memory (OxRRAM) for post-NAND storage application
机译:
NAND后存储应用的多层交叉点二进制氧化物电阻存储器(OxRRAM)
作者:
Baek I.G.
;
Kim D.C.
;
Lee M.J.
;
Kim H.-J.
;
Yim E.K.
;
Lee M.S.
;
Lee J.E.
;
Ahn S.E.
;
Seo S.
;
Lee J.H.
;
Park J.C.
;
Cha Y.K.
;
Park S.O.
;
Kim H.S.
;
Yoo I.K.
;
U-In Chung
;
Moon J.T.
;
Ryu B.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
85.
Excellent resistance switching characteristics of Pt/SrTiO/sub 3/ schottky junction for multi-bit nonvolatile memory application
机译:
Pt / SrTiO / sub 3 /肖特基结的出色电阻切换特性,适用于多位非易失性存储应用
作者:
Hyunjun Sim
;
Hyejung Choi
;
Dongsoo Lee
;
Man Chang
;
Dooho Choi
;
Yunik Son
;
Eun-Hong Lee
;
Wonjoo Kim
;
Yoondong Park
;
In-Kyeong Yoo
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
86.
Negative bias temperature instability of carrier-transport enhanced pMOSFET with performance boosters
机译:
具有性能增强器的载流子增强型pMOSFET的负偏置温度不稳定性
作者:
Hwa Sung Rhee
;
Ho Lee
;
Tetsuji Ueno
;
Dong Suk Shin
;
Seung Hwan Lee
;
Yihwan Kim
;
Samoilov A.
;
Hansson P.-O.
;
Min Kim
;
Hyong Soo Kim
;
Nae-In Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
87.
IEDM Executive Committee
机译:
IEDM执行委员会
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
88.
An easily integrable NiSi TOSI-gate/SiON-module for LP SRAM applications based on a single step silicidation of gate and junction
机译:
基于栅极和结的单步硅化,可轻松集成的NiSi TOSI栅极/ SiON模块,用于LP SRAM应用
作者:
Muller M.
;
Mondot A.
;
Gierczynski N.
;
Aime D.
;
Froment B.
;
Leverd F.
;
Gouraud P.
;
Talbot A.
;
Descombes S.
;
Morand Y.
;
Le Tiec Y.
;
Besson P.
;
Toffoli A.
;
Ribes G.
;
Roux J.-M.
;
Pokrant S.
;
Andre F.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
89.
Inverted T channel FET (ITFET) - Fabrication and characteristics of vertical-horizontal, thin body, multi-gate, multi-orientation devices, ITFET SRAM bit-cell operation. A novel technology for 45nm and beyond CMOS.
机译:
倒T沟道FET(ITFET)-垂直水平,薄体,多栅极,多方向器件,ITFET SRAM位单元操作的制造和特性。适用于45nm及以上CMOS的新技术。
作者:
Mathew L.
;
Sadd M.
;
Kalpat S.
;
Zavala M.
;
Stephens T.
;
Mora R.
;
Bagchi S.
;
Parker C.
;
Vasek J.
;
Sing D.
;
Shimer R.
;
Prabhu L.
;
Workman G.O.
;
Ablen G.
;
Shi Z.
;
Saenz J.
;
Min B.
;
Burnett D.
;
Nguyen B.-Y.
;
Mogab J.
;
Chowdhury M.M.
;
Zhang W.
;
Fossum J.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
90.
Lanthanide and Ir-based dual metal-gate/HfAlON CMOS with large work-function difference
机译:
镧系和铱基双金属栅/ HfAlON CMOS,功函数差异大
作者:
Yu D.S.
;
Chin A.
;
Wu C.H.
;
Li M.-F.
;
Zhu C.
;
Wang S.J.
;
Yoo W.J.
;
Hung B.F.
;
McAlister S.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
91.
0.1/spl mu/m poly-Si thin film transistors for system-on-panel (SoP) applications
机译:
适用于面板上系统(SoP)应用的0.1 / spl mu / m多晶硅薄膜晶体管
作者:
Bing-Yue Tsui
;
Chia-Pin Lin
;
Chih-Feng Huang
;
Yi-Hsuan Xiao
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
92.
2-bit poly-Si-TFT nonvolatile memory using hafnium oxide, hafnium silicate and zirconium silicate
机译:
使用氧化ha,硅酸ha和硅酸锆的2位多晶Si-TFT非易失性存储器
作者:
Yu-Hsien Lin
;
Chao-Hsin Chien
;
Tung-Hung Chou
;
Tien-Sheng Chao
;
Chun-Yen Chang
;
Tan-Fu Lei
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
93.
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot-electron stress
机译:
经过3000小时的通态和关态热电子应力后,在GaN / AlGaN / GaN HEMT中产生陷阱的证据
作者:
Sozza A.
;
Dua C.
;
Morvan E.
;
diForte-Poisson M.A.
;
Delage S.
;
Rampazzo F.
;
Tazzoli A.
;
Danesin F.
;
Meneghesso G.
;
Zanoni E.
;
Curutchet A.
;
Malbert N.
;
Labat N.
;
Grimbert B.
;
De Jaeger J.-C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
94.
Oxygen-doped gesbte phase-change memory cells featuring 1.5 V/100-/spl mu/A standard 0.13/spl mu/m CMOS operations
机译:
具有1.5 V / 100- / spl mu / A标准0.13 / spl mu / m CMOS操作的掺杂氧的gesbte相变存储单元
作者:
Matsuzaki N.
;
Kurotsuchi K.
;
Matsui Y.
;
Tonomura O.
;
Yamamoto N.
;
Fujisaki Y.
;
Kitai N.
;
Takemura R.
;
Osada K.
;
Hanzawa S.
;
Moriya H.
;
Iwasaki T.
;
Kawahara T.
;
Takaura N.
;
Terao M.
;
Matsuoka M.
;
Moniwa M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
95.
A new insight into the degradation mechanisms of various mobility-enhanced CMOS devices with different substrate engineering
机译:
对具有不同衬底工程的各种迁移率增强型CMOS器件的退化机理的新见解
作者:
Chung S.S.
;
Liu Y.R.
;
Wu S.J.
;
Lai C.S.
;
Liu Y.C.
;
Chen D.F.
;
Lin H.S.
;
Shiau W.T.
;
Tsai C.T.
;
Chien S.C.
;
Sun S.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
96.
A novel CMOS compatible L-shaped impact-ionization MOS (LI-MOS) transistor
机译:
新型CMOS兼容L形冲击电离MOS(LI-MOS)晶体管
作者:
Eng-Huat Toh
;
Grace Huiqi Wang
;
Guo-Qiang Lo
;
Balasubramanian N.
;
Chih-Hang Tung
;
Benistant F.
;
Chan L.
;
Samudra G.
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
97.
From DRAM to SRAM with a novel sige-based negative differential resistance (NDR) device
机译:
使用新颖的基于sige的负差分电阻(NDR)器件从DRAM到SRAM
作者:
Yue Liang
;
Gopalakrishnan K.
;
Griffin P.B.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
98.
A study of the effect of the interface roughness on a DG-MOSFET using a full 2D NEGF technique
机译:
使用全二维NEGF技术研究界面粗糙度对DG-MOSFET的影响
作者:
Martinez A.
;
Svizhenko A.
;
Anantram M.P.
;
Barker J.R.
;
Brown A.R.
;
Asenov A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
99.
Demonstration of Ni fully germanosilicide as a pFET gate electrode candidate on HfSiON
机译:
在HfSiON上演示Ni完全锗化硅作为pFET栅极候选电极
作者:
Yu H.Y.
;
Singanamalla R.
;
Opsomer K.
;
Augendre E.
;
Simoen E.
;
Kittl J.A.
;
Kubicek S.
;
Severi S.
;
Shi X.P.
;
Brus S.
;
Zhao C.
;
de Marneffe J.F.
;
Locorotondo S.
;
Shamiryan D.
;
Van Dal M.
;
Veloso A.
;
Lauwers A.
;
Niwa M.
;
Maex K.
;
Meyer K.D.
;
Absil P.
;
Jurczak M.
;
Biesemans S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
100.
Defect passivation with fluorine in a Ta/sub x/C/ high-K gate stack for enhanced device threshold voltage stability and performance
机译:
Ta / sub x / C /高K栅堆叠中的氟缺陷钝化可增强器件阈值电压的稳定性和性能
作者:
Tseng H.-H.
;
Tobin P.J.
;
Hebert E.A.
;
Kalpat S.
;
Ramon M.E.
;
Fonseca L.
;
Jiang Z.X.
;
Schaeffer J.K.
;
Hegde R.I.
;
Triyoso D.H.
;
Gilmer D.C.
;
Taylor W.J.
;
Capasso C.C.
;
Adetutu O.
;
Sing D.
;
Conner J.
;
Luckowski E.
;
Chan B.W.
;
Haggag A.
;
Backer S.
;
Noble R.
;
Jahanbani M.
;
Chili Y.H.
;
White B.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
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