机译:残余应力在DRAM中埋入式通道阵列晶体管(B-CAT)动态刷新故障中的作用
机译:从〈110〉切换到〈100〉的沟道方向,减少了非常短的P沟道晶体管中的硼横向离子沟道
机译:50纳米以下的隐通道型DRAM单元晶体管中的界面陷阱的空间分布
机译:通过使用具有<100个单轴和{100} Uni平面通道的直凹陷频道阵列晶体管来克服DRAM缩放限制
机译:S100A1与钙调蛋白竞争钙调蛋白结合蛋白,CaV1.2和SK2通道。
机译:亚100nm通道长度石墨烯晶体管
机译:如何在同一时间实现子蜂窝级空间分辨率和子峰值级时间分辨率在神经映射中仍然是技术挑战,而两个信息对于推进神经科学来说都很重要。这里,我们提出穿透阵列由单神经元级透明微电极组成,具有低阻抗涂层,其可以同时实现高空间和时间分辨率。这些32通道透明穿透电极具有记录小的部位面积,225μm²的低阻抗在1 kHz的〜149kΩ的低阻抗,充足的电荷注入极限为±0.76mc / cm2,率高达100%。机械弯曲试验结果显示高达1000个弯曲循环的强大机制。在用聚乙二醇进行临时变硬后,该电极实现了很大的插入结果,而无需任何屈曲或变形。这些结果共同建立了一种新型神经技术 - 穿透透明,灵活的双层圆形脉冲阵列,其具有巨大的大脑研究潜力
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K