首页> 外文会议>Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International >Overcoming DRAM scaling limitations by employing straight recessed channel array transistors with <100> uni-axial and 100 uni-plane channels
【24h】

Overcoming DRAM scaling limitations by employing straight recessed channel array transistors with <100> uni-axial and 100 uni-plane channels

机译:通过采用具有<100>单轴和100单平面通道的直凹通道阵列晶体管来克服DRAM缩放限制

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