graphene transistors self-aligned gate nanowires transit time cutoff frequency;
机译:低于100 nm沟道长度的石墨烯晶体管
机译:低于100纳米的沟道长度Ge / Si纳米线晶体管,具有2 THz的开关速度
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:通过替代栅极工艺制造的亚100 nm栅极长度的金属栅极NMOS晶体管
机译:通过会聚束电子衍射表征低于100 nm的硅晶体管中的应变。
机译:掺硼石墨烯带对沟道长度对晶体管输运特性的影响
机译:低于100纳米的沟道长度Ge / Si纳米线晶体管,具有2 THz的开关速度