测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法

摘要

本发明提供一种测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法，通过提供一第一补偿因子、一第二补偿因子及一第三补偿因子以测量一金属氧化半导体场效晶体管的有效电流通道长度以及该晶体管的栅极、漏极及源极重叠长度；该第一补偿因子可通过测量该晶体管的两栅极等效电容来计算出，该第二补偿因子可通过测量该晶体管的两重叠等效电容来计算出，而该第三补偿因子则等于该第二补偿因子除以该第一补偿因子；本发明利用计算晶体管分别操作于积累状态或是反转状态时的等效电容，经由一连串的运算式推导出有效电流通道长度以及相关的电性特征值，而能更正确地测量有效电流通道长度以及晶体管内源极与漏极的位置。