机译:利用基于远程库仑散射的亚阈值电流-电压特性,有效地测量具有口袋注入的金属氧化物半导体晶体管的沟道长度
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:Kubo-Greenwood方法,用于计算包括屏蔽的远程库仑散射在内的全方位栅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率—与实验的比较
机译:Kubo-Greenwood方法计算包括屏蔽的远程库仑散射在内的全方位栅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率,并与实验进行了比较
机译:掺杂双体对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管电流-电压特性的建模研究
机译:具有局部沟道和口袋注入的NMOS晶体管。
机译:不同栅极长度对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射电势的影响
机译:伪对称偏差和库仑/约束的正确估计 金属氧化物半导体沟道中无意量子点的能量 场效应晶体管
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)