机译:Si和SiGe金属 - 氧化物半导体场效应晶体管中的通道有效质量和界面效应:电荷控制模型研究
机译:有效固定电荷对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中短沟道效应的影响
机译:绝缘体上应变硅衬底上应用Ge缩合技术制备的高绝缘体绝缘硅锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用热氧化的GeO_2界面层制造的界面控制自对准源/漏Ge p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:硅和低质量的III-V通道双栅极MOS晶体管的统一电荷质心模型
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用固态金属氧化物半导体场效应晶体管剂量法从计算机断层扫描估计有效剂量的样本量要求
机译:具有薄硅覆盖层的伪非晶Si / SiGe / Si p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的有效迁移率
机译:模拟重载粒子对mOsFET的影响(金属氧化物半导体场效应晶体管)